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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2696页 > MMBT3906WT1
MMBT3904WT1 ， NPN
MMBT3906WT1 ， PNP
通用
晶体管
NPN和PNP硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC-70封装哪
是专为低功耗表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
集热器
3
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
集热器
： BASE
电压
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
符号
V
首席执行官
价值
40
40
60
40
6.0
5.0
200
200
单位
VDC
1
2
VDC
3
SC- 70 （ SOT- 323 ）
CASE 419
方式3
V
CBO
标记图
VDC
XX M
G
G
1
= AM的MMBT3904WT1
= 2A的MMBT3906WT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
xx
辐射源
： BASE
电压
V
EBO
集电极电流
连续
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
I
C
MADC
热特性
特征
器件总功耗（注1 ）
@T
A
= 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
55
+150
单位
mW
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
订购信息
设备
MMBT3904WT1G
包
航运
SC70/
3000 /磁带&卷轴
SOT323
（无铅）
SC70/
3000 /磁带&卷轴
SOT323
（无铅）
MMBT3906WT1G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
启示录7
1
出版订单号：
MMBT3904WT1/D
MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
=
1.0
MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
C
=
10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(I
E
=
10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
=
30
VDC ，V
EB
=
3.0
VDC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
=
30
VDC ，V
EB
=
3.0
VDC ）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
=
0.1
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
1.0
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
50
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
(I
C
=
100
MADC ，V
CE
=
1.0
VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B
=
1.0
MADC ）
(I
C
=
50
MADC ，我
B
=
5.0
MADC ）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
MMBT3904WT1
h
FE
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
0.65
0.65
300
300
0.2
0.3
0.25
0.4
0.85
0.95
0.85
0.95
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V
（ BR ） CEO
40
40
60
40
6.0
5.0
50
50
50
50
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
VDC
I
BL
NADC
I
CEX
NADC
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V
CE （ SAT ）
VDC
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V
BE （ SAT ）
VDC
http://onsemi.com
2
MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
=
10
MADC ，V
CE
=
20
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
=
5.0
VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
=
0.5
VDC ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
小
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
=
10
VDC ，我
C
=
1.0
MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫）
(V
CE
=
5.0
VDC ，我
C
=
100
MADC ，
R
S
= 1.0 k
W,
F = 1.0千赫）
开关特性
特征
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
条件
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
=
0.5伏）
(V
CC
=
3.0
VDC ，V
BE
= 0.5伏）
(I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
=
10
MADC ，我
B1
=
1.0
MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
=
3.0
VDC ，我
C
=
10
MADC ）
(I
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
=
1.0
MADC ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
符号
t
d
t
r
t
s
t
f
民
最大
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
单位
ns
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
f
T
300
250
1.0
2.0
0.5
0.1
100
100
1.0
3.0
4.0
4.5
8.0
10.0
10
12
8.0
10
400
400
40
60
5.0
4.0
兆赫
符号
民
最大
单位
C
敖包
pF
C
IBO
pF
h
ie
k
W
h
re
X 10
4
h
fe
h
oe
毫姆欧
NF
dB
MMBT3904WT1
+3 V
+10.9 V
10 k
0
- 0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
S
< 4 PF *
- 9.1 V
＆ LT ; 1纳秒
1N916
C
S
< 4 PF *
275
+3 V
+10.9 V
275
10 k
占空比= 2 ％
300纳秒
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
http://onsemi.com
3
MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP
MMBT3904WT1
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
500
I
C
/I
B
= 10
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
MMBT3904WT1
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
40 V
15 V
2.0 V
50 70 100
200
图3.打开
ΔON
时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
t′
s
= t
s
-
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.上升时间
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
I
C
/I
B
= 10
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.贮存时间
图6.下降时间
典型的音频小信号特性的噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
MMBT3904WT1
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
MMBT3904WT1
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
男，频率（KHz ）
图7.噪声系数
http://onsemi.com
4
R
S
，源电阻（千欧）
图8.噪声系数
MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP
MMBT3904WT1
h参数值
(V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
MMBT3904WT1
200
^ h FE ，电流增益
100
50
MMBT3904WT1
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
图9.电流增益
20
重，电压反馈比例（ X 10
-4
)
即输入阻抗（千欧）
10
5.0
MMBT3904WT1
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
MMBT3904WT1
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
典型静态特性
1000
V
CE
= 1 V
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
100
MMBT3904WT1
10
1.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
1000
图13.直流电流增益
http://onsemi.com
5
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN和PNP硅
这些晶体管被设计为通用放大器应用。他们被安置
在SOT- 323 / SC- 70是专为低功耗表面贴装应用。
NPN
MMBT3904WT1
PNP
MMBT3906WT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
40
– 40
60
– 40
6.0
– 5.0
200
– 200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
通用
放大器晶体管
表面贴装
3
I
C
1
2
热特性
特征
器件总功耗（ 1 ）
T
A
=25 °C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
CASE 419-02 ，花柱3
SOT- 323 / SC- 70
器件标识
MMBT3904WT1 = AM ; MMBT3906WT1 = 2A
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
(I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
(I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V
（ BR ） CEO
40
– 40
60
– 40
—
—
—
—
VDC
V
（ BR ） CBO
VDC
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V
(
BR ） EBO
6.0
– 5.0
—
—
50
-50
50
– 50
VDC
I
BL
—
—
—
—
NADC
I
CEX
NADC
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
2.脉冲测试：脉冲宽度<300
s;
占空比<2.0 ％ 。
K3–1/9
乐山无线电公司， LTD 。
NPN MMBT3904WT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
h
FE
MMBT3904WT1
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V
BE （ SAT ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
0.65
––
– 0.65
––
0.85
0.95
– 0.85
– 0.95
––
––
––
––
0.2
0.3
– 0.25
– 0.4
VDC
––
––
300
––
––
––
––
300
––
––
VDC
民
最大
单位
––
PNP MMBT3906WT1
基本特征（ 2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
(I
C
= -100 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
MMBT3906WT1
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
CB
= -5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 5.0VDC ，我
C
= 100μAdc ，R
S
= 1.0千欧， F = 1.0kHz ）
(V
CE
= -5.0Vdc ，我
C
= –100
μAdc ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0kHz ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
h
fe
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
h
oe
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
NF
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
––
––
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
μmhos
f
T
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
C
敖包
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
C
IBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
h
ie
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
h
re
0.5
0.1
8.0
10
—
1.0
2.0
10
12
X 10
–4
兆赫
300
250
––
––
––
––
––
––
pF
4.0
4.5
pF
8.0
10.0
k
K3–2/9
乐山无线电公司， LTD 。
NPN MMBT3904WT1
开关特性
延迟时间（ V
CC
= 3.0伏，V
BE
= -0.5 V直流）
(V
CC
= -3.0伏，V
BE
= 0.5伏）
上升时间（我
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B1
= -1.0 MADC ）
存储时间（V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ）
(V
CC
= -3.0伏， I C = -10 MADC ）
下降时间（我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
2.脉冲测试：脉冲宽度<300
s;
占空比<2.0 ％ 。
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
t
d
t
r
t
s
t
f
—
—
—
—
—
—
—
—
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
ns
ns
PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
+3 V
300纳秒
占空比= 2 ％
+10.9 V
10 <吨
1
＆ LT ; 500
s
占空比= 2 ％
275
10 k
t
+3 V
1
+10.9 V
275
10 k
– 0.5 V
C
S
< 4.0 pF的*
<1 NS
0
– 9.1 V
<1.0 NS
1N916
C
S
< 4.0 pF的*
测试夹具和连接器的*总并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
5000
MMBT3904WT1
7.0
3000
2000
V
CC
= 40 V
I
C
/ I
B
= 10
MMBT3904WT1
5.0
电容（pF）
C
IBO
3.0
Q， CHARGE （ PC）
1000
700
500
300
200
2.0
C
敖包
Q
T
Q
A
100
70
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
50
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电容
图4.收费数据
K3–3/9
乐山无线电公司， LTD 。
NPN MMBT3904WT1
MMBT3904WT1
500
300
200
500
PNP MMBT3906WT1
I
C
/I
B
= 10
t
r
，上升时间（ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
10
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
t
r
@V
CC
=3.0V
40 V
15 V
MMBT3904WT1
t
d
@V
OB
=0V
20
30
2.0 V
50 70 100
200
7
5
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
500
300
200
500
图6.上升时间
t’
s
= t
s
–1/8t
f
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
200
V
CC
=40V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
t ’
s
，存储时间（纳秒）
100
100
t
f
，下降时间（ NS ）
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
MMBT3904WT1
MMBT3904WT1
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
14
10
源电阻= 200Ω
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
8
源电阻= 200
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0kΩ
I
C
= 50
A
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
A
I
C
= 100
A
6
4
2
0
源电阻= 500Ω
I
C
= 100
A
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
MMBT3904WT1
20
40
100
MMBT3904WT1
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻值（kΩ ）
图9.噪声系数
图10.噪声系数
K3–4/9
乐山无线电公司， LTD 。
NPN MMBT3904WT1
PNP MMBT3906WT1
h参数值
(V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
100
h
oe
，输出导纳（
μmhos ）
MMBT3904WT1
200
50
MMBT3904WT1
h
fe
，电流增益
20
10
100
70
50
5
2
1
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电流增益
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
–4
)
h
ie
，输入阻抗（千欧）
20
10
10
7.0
5.0
图12.输出导纳
MMBT3904WT1
MMBT3904WT1
5.0
3.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
0.5
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13.输入阻抗
图14.电压反馈比例
K3–5/9
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
MMBT3904WT1/D
通用晶体管
NPN和PNP硅
这些晶体管被设计为通用放大器应用。他们是
安置在SOT- 323 / SC- 70是专为低功耗表面贴装
应用程序。
NPN
MMBT3904WT1
PNP
MMBT3906WT1
通用
放大器晶体管
表面贴装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
40
–40
60
–40
6.0
–5.0
200
–200
单位
VDC
VDC
VDC
3
连续集电极电流 - MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MADC
1
2
热特性
特征
器件总功耗（ 1 ）
TA = 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
150
833
- 55 + 150
单位
mW
° C / W
°C
CASE 419-02 ，花柱3
SOT–323/SC–70
器件标识
MMBT3904WT1 = AM
MMBT3906WT1 = 2A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
基地截止电流
（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
V（ BR ） CEO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V（ BR ） CBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V（ BR ） EBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
IBL
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
ICEX
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
—
—
50
–50
—
—
50
–50
NADC
6.0
–5.0
—
—
NADC
60
–40
—
—
VDC
40
–40
—
—
VDC
VDC
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S;占空比
2.0%.
v
v
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 2 ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
的hFE
MMBT3904WT1
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
VCE （ SAT ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
VBE （ SAT ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
0.65
—
–0.65
—
0.85
0.95
–0.85
–0.95
—
—
—
—
0.2
0.3
–0.25
–0.4
VDC
—
—
300
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
MMBT3906WT1
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
（ VEB = -0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ VCE = 5.0伏， IC = 100
m
ADC ， RS = 1.0
,
F = 1.0千赫）
（ VCE = -5.0伏， IC = -100
m
ADC ， RS = 1.0
,
F = 1.0千赫）
fT
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
科博
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
CIBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
缺氧缺血性脑病
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
HRE
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
的hFE
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
HOE
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
NF
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
—
—
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
0.5
0.1
8.0
10
—
1.0
2.0
10
12
X 10– 4
—
—
8.0
10.0
k
—
—
4.0
4.5
pF
300
250
—
—
pF
兆赫
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
2.脉冲测试：脉冲宽度
（ VCC = 3.0伏， VBE = - 0.5 V直流）
（ VCC = -3.0伏， VBE = 0.5伏）
（ IC = 10 MADC ， IB1 = 1.0 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB1 = -1.0 MADC ）
（ VCC = 3.0伏， IC = 10 MADC ）
（ VCC = -3.0伏， IC = -10 MADC ）
（ IB1 = IB2 = 1.0 MADC ）
（ IB1 = IB2 = -1.0 MADC ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
—
—
—
—
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
占空比= 2 ％
300纳秒
+3 V
+10.9 V
10 k
275
10 < T1 < 500
m
s
占空比= 2 ％
t1
+3 V
+10.9 V
275
10 k
0
– 0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
CS < 4 PF *
– 9.1 V
＆ LT ; 1纳秒
1N916
CS < 4 PF *
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
MMBT3904WT1
7.0
电容（pF）
Q， CHARGE （ PC）
5.0
CIBO
3.0
2.0
科博
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
QT
QA
VCC = 40 V
IC / IB = 10
MMBT3904WT1
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图3.电容
图4.收费数据
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
MMBT3904WT1
TD @ VOB = 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
IC ，集电极电流（毫安）
IC / IB = 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
200
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
VCC = 40 V
IC / IB = 10
时间（纳秒）
TR @ VCC = 3.0 V
40 V
15 V
2.0 V
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
图5.转向 - 时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC / IB = 20
IC / IB = 10
T的TS = - 1/8 TF
IB1 = IB2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图6.上升时间
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC / IB = 20
IC / IB = 20
IC / IB = 10
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
IC / IB = 10
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
IC = 100
m
A
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
14
F = 1.0千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
10
8
6
4
2
MMBT3904WT1
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
MMBT3904WT1
20
40
100
IC = 1.0毫安
源电阻= 200
W
IC = 1.0毫安
源电阻= 200
W
IC = 0.5毫安
源电阻= 1.0
IC = 50
m
A
IC = 0.5毫安
IC = 50
m
A
IC = 100
m
A
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（千欧）
图9.噪声系数
图10.噪声系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
h参数值
（ VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫， TA = 25 ° C）
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
MMBT3904WT1
200
^ h FE ，电流增益
100
50
MMBT3904WT1
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
图11.电流增益
20
重，电压反馈比例（ X 10
–4
)
即输入阻抗（千欧）
10
5.0
MMBT3904WT1
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
MMBT3904WT1
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
图13.输入阻抗
图14.电压反馈比例
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
MMBT3904WT1/D
通用晶体管
NPN和PNP硅
这些晶体管被设计为通用放大器应用。他们是
安置在SOT- 323 / SC- 70是专为低功耗表面贴装
应用程序。
NPN
MMBT3904WT1
PNP
MMBT3906WT1
通用
放大器晶体管
表面贴装
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
40
–40
60
–40
6.0
–5.0
200
–200
单位
VDC
VDC
VDC
3
连续集电极电流 - MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MADC
1
2
热特性
特征
器件总功耗（ 1 ）
TA = 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
R
q
JA
TJ ， TSTG
最大
150
833
- 55 + 150
单位
mW
° C / W
°C
CASE 419-02 ，花柱3
SOT–323/SC–70
器件标识
MMBT3904WT1 = AM
MMBT3906WT1 = 2A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
m
的adc ，IE = 0）
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
基地截止电流
（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 30 V直流， VEB = 3.0伏）
（ VCE = -30伏直流， VEB = -3.0 V直流）
V（ BR ） CEO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V（ BR ） CBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
V（ BR ） EBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
IBL
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
ICEX
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
—
—
50
–50
—
—
50
–50
NADC
6.0
–5.0
—
—
NADC
60
–40
—
—
VDC
40
–40
—
—
VDC
VDC
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S;占空比
2.0%.
v
v
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 2 ）
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -100 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
的hFE
MMBT3904WT1
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
VCE （ SAT ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
VBE （ SAT ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
0.65
—
–0.65
—
0.85
0.95
–0.85
–0.95
—
—
—
—
0.2
0.3
–0.25
–0.4
VDC
—
—
300
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
MMBT3906WT1
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
（ VCB = -5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
（ VEB = -0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入阻抗
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小 - 信号电流增益
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ VCE = 10 VDC ， IC = 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ VCE = 5.0伏， IC = 100
m
ADC ， RS = 1.0
,
F = 1.0千赫）
（ VCE = -5.0伏， IC = -100
m
ADC ， RS = 1.0
,
F = 1.0千赫）
fT
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
科博
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
CIBO
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
缺氧缺血性脑病
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
HRE
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
的hFE
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
HOE
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
NF
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
—
—
5.0
4.0
1.0
3.0
40
60
dB
100
100
400
400
0.5
0.1
8.0
10
—
1.0
2.0
10
12
X 10– 4
—
—
8.0
10.0
k
—
—
4.0
4.5
pF
300
250
—
—
pF
兆赫
m
姆欧
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
2.脉冲测试：脉冲宽度
（ VCC = 3.0伏， VBE = - 0.5 V直流）
（ VCC = -3.0伏， VBE = 0.5伏）
（ IC = 10 MADC ， IB1 = 1.0 MADC ）
（ IC = -10 MADC ， IB1 = -1.0 MADC ）
（ VCC = 3.0伏， IC = 10 MADC ）
（ VCC = -3.0伏， IC = -10 MADC ）
（ IB1 = IB2 = 1.0 MADC ）
（ IB1 = IB2 = -1.0 MADC ）
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
MMBT3906WT1
td
tr
ts
tf
—
—
—
—
—
—
—
—
35
35
35
35
200
225
50
75
ns
ns
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
占空比= 2 ％
300纳秒
+3 V
+10.9 V
10 k
275
10 < T1 < 500
m
s
占空比= 2 ％
t1
+3 V
+10.9 V
275
10 k
0
– 0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
CS < 4 PF *
– 9.1 V
＆ LT ; 1纳秒
1N916
CS < 4 PF *
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
MMBT3904WT1
7.0
电容（pF）
Q， CHARGE （ PC）
5.0
CIBO
3.0
2.0
科博
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
QT
QA
VCC = 40 V
IC / IB = 10
MMBT3904WT1
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图3.电容
图4.收费数据
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
MMBT3904WT1
TD @ VOB = 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
IC ，集电极电流（毫安）
IC / IB = 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
200
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
VCC = 40 V
IC / IB = 10
时间（纳秒）
TR @ VCC = 3.0 V
40 V
15 V
2.0 V
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
图5.转向 - 时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC / IB = 20
IC / IB = 10
T的TS = - 1/8 TF
IB1 = IB2
五六，下降时间（ NS ）
500
300
200
图6.上升时间
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC / IB = 20
IC / IB = 20
IC / IB = 10
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
IC / IB = 10
MMBT3904WT1
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
（ VCE = 5.0伏， TA = 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
IC = 100
m
A
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
14
F = 1.0千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
10
8
6
4
2
MMBT3904WT1
20
40
100
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
MMBT3904WT1
20
40
100
IC = 1.0毫安
源电阻= 200
W
IC = 1.0毫安
源电阻= 200
W
IC = 0.5毫安
源电阻= 1.0
IC = 50
m
A
IC = 0.5毫安
IC = 50
m
A
IC = 100
m
A
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（千欧）
图9.噪声系数
图10.噪声系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MMBT3904WT1 PNP MMBT3906WT1
MMBT3904WT1
h参数值
（ VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫， TA = 25 ° C）
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
MMBT3904WT1
200
^ h FE ，电流增益
100
50
MMBT3904WT1
20
10
5
100
70
50
2
1
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
图11.电流增益
20
重，电压反馈比例（ X 10
–4
)
即输入阻抗（千欧）
10
5.0
MMBT3904WT1
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
MMBT3904WT1
2.0
1.0
0.5
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0
10
图13.输入阻抗
图14.电压反馈比例
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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