MMBT3906TT1
通用
晶体管
PNP硅
该晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它被容纳在SOT -416 / SC- 75封装，是
专为低功率表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
40
5.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
通用
放大器晶体管
表面贴装
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
3
热特性
特征
器件总功耗，
FR- 4板（注1 ） @T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
（注1 ）
器件总功耗，
FR-4板（注2） @T
A
= 25°C
25°C以上降额
热阻，结到环境
（注2 ）
结温和存储温度范围
符号
P
D
200
1.6
R
qJA
P
D
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
400
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
600
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
2
1
CASE 463
SOT416/SC75
风格1
标记图
2A M
G
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0
×
1.0英寸的垫
2A =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MMBT3906TT1
MMBT3906TT1G
包
SOT416
SOT416
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第1版
出版订单号：
MMBT3906TT1/D
FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
硅
PNP
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
特征
低功耗，高效率。
高电流能力，
简化了电路设计。
低正向压降。
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
Guardring过电压保护。
无卤素产品的包装代号后缀"H"
超高速开关。
硅外延平面
订购信息
芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
设备
航运
MIL-STD-19500
记号
/228
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
& REEL
MMBT3906TT1
2A
3000/Tape
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT-523
机械数据
最大额定值
额定阻燃
环氧树脂： UL94 -V0
等级
符号
价值
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
– 40
V
CBO
V
EBO
I
C
– 40
– 5.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
集电极 - 基
方法2026
电压
发射极 - 基极电压
极性：由阴极频带指示
连续集电极电流 -
安装位置：任意
3
集热器
– 200
1
尺寸以英寸（毫米）
BASE
2
辐射源
重量： 0.011的逼近
热特性
克
器件总功耗FR- 4板（ 1 ）
P
D
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
T
A
=25 °C
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
减免上述25℃
对于容性负载，减免电流20 ％
热阻结到环境
R
θJA
器件总功耗
FR- 4板（ 2 ） ，T
A
= 25°C
最大的经常峰值反向电压
减免上述25℃
标识代码
评级
最大额定值和电气特性
200
1.6
600
300
13
30
2.4
21
400
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
14
15
40
50
毫瓦/°C的
28
° C / W
35
40
°C
50
特征
符号
最大
单位
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
P
D
V
RRM
V
RMS
R
I
O
I
FSM
θJA
12
20
14
16
60
42
60
1.0
30
40
120
最大
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大RMS
阻力结到环境
热
电压
最大直流阻断电压
结温和存储温度
V
DC
J
, T
英镑
20
T
30
-55到+150
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件标识
MMBT3906TT1
= 2A
R
θJA
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
典型结电容（注1 ）
C
J
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
特征
单位
+150
-55
VDC
开关特性
存储温度范围
T
J
TSTG
-55到+125
符号
民
-
65
到+175
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= –1.0
特征
最大
集电极 - 基极击穿电压
正向电压在1.0A DC
最大
(I
平均反向
E
目前在@T A = 25 ℃
C
= –10
μAdc ，
I = 0)
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
F
I
R
0.50
V
（ BR ） CBO
0.70
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
– 40
—
– 40
V
（ BR ） EBO
– 5.0
I
BL
—
I
CEX
—
0.5
—
10
0.85
VDC
0.9
0.92
VDC
NADC
注意事项：
(I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
—
– 50
NADC
– 50
基地截止电流
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
2-热阻结点到环境
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -30伏直流，V
EB
= -3.0 V直流）
1， FR- 4最小焊盘。
2. FR-4 1.0× 1.0英寸的垫。
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
3.脉冲宽度<300
s;
占空比<2.0 ％ 。
2012-11
2012-06
威伦
威伦电子COR
电子公司
FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
特征
低调的表面安装，以便应用程序
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
符号
h
FE
60
80
100
60
30
V
CE （ SAT ）
––
––
V
BE （ SAT ）
电气特性
(T
热阻。
更好的反向漏电流和
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
优化电路板空间。
基本特征（ 3 ）
民
SOD-123H
最大
0.146(3.7)
0.130(3.3)
单位
––
低功耗，高效率。
直流电流增益
高电流能力，低正向电压降。
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
高浪涌能力。
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -1.0 V直流）
Guardring过电压保护。
(I
C
V = –1.0
快速
CE
超
= -10 MADC ，
切换。
VDC ）
(I
C
=
外延
V
CE
=
芯片，金属
硅
-50 MADC ，
平面
= 1.0伏）
硅结。
(I
C
= -100 MADC ，V
环境的
无铅零件符合
CE
= -1.0 V直流）
标准
集电极 - 发射极饱和电压
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
RoHS指令
= -10 MADC ，我
B
= -1.0 MADC ）
＆ QUOT ; G＆ QUOT ;
(I
C
产品包装代号后缀
无卤产品
= -5.0 MADC ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
包装代号后缀"H"
––
––
300
––
––
VDC
– 0.25
– 0.4
VDC
– 0.85
– 0.95
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
电压
基射极饱和
小信号特性
方法2026
(I
C
=
UL94-V0
I
B
= -1.0 MADC ）
环氧树脂：
-10 MADC ，
额定阻燃
(I
C
:
-50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
例
=
模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
电流增益 - 带宽积
极性：由阴极频带指示
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
安装位置：任意
输出电容
重量
=
:
= 5.0伏，我
E
= 0,
0.011克
(V
CB
近似
F = 1.0兆赫）
– 0.65
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
––
0.031 （ 0.8 ）典型值。
f
T
尺寸以英寸（毫米）
兆赫
pF
250
––
––
C
敖包
4.5
C
IBO
输入电容
最大额定值，电器
(V
EB
= -0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
在25 ℃评分
阻抗
输入
环境温度，除非另有规定。
特征
h
ie
pF
––
2.0
10
k
12
X 10
–4
单相半
= 10 VDC ，我
C
=
阻感性负载。
(V
CE
=
波，60赫兹，
-1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
对于容性负载，
反馈率
由20％的
电压
当前减免
h
re
(V
CE
= –10
评级
-1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
VDC ，我
C
=
0.1
10
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
小信号电流增益
h
fe
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
—
115
120
(V
CE
= -10伏直流，我
C
= -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
100
400
100
20
30
40
50
60
80
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
输出导纳
* h
oe
μmhos
105
14
21
28
35
42
56
70
140
最大RMS电压
V
RMS
(V
CE
= -10伏， I = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
3.0
60
最大直流阻断电压
C
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
噪声系数
NF
dB
最大正向平均整流电流
I
O
1.0
(V
CE
= -5.0Vdc ，我
C
= –100
μAdc ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0kHz ）
––
4.0
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
30
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
R
θJA
延迟时间
(V
CC
= - 3.0伏，V
BE
= 0.5伏，
典型结电容（注1 ）
C
J
上升时间
工作温度范围
I
C
= -10 MADC ，我
B1
= –1.0
J
MADC ）
T
典型热阻（注2 ）
开关特性
t
d
t
s
t
f
—
—
—
—
-55到+125
t
d
40
35
120
35
ns
-55到+150
ns
存储温度范围
贮存时间
TSTG
(V
CC
= -3.0伏，我
C
= -10 MADC ，
-
65
to
225
+175
下降时间
特征
I
B1
= I
B2
= -1.0 MADC ）
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
75
最大正向电压
宽度<300
s;
占空比<2.0 ％ 。
V
F
3.脉冲测试：脉冲
在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
@T A = 125 ℃
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
V
3
3V
低调的表面安装，以便应用程序
+ 9.1 V
<1ns
优化电路板空间。
275
275
0.146(3.7)
低功耗，高效率。
0.130(3.3)
<1 NS
0.012 （ 0.3 ）典型值。
+
0.5 V
电流能力，低正向电压降。
高
10 k
10 k
0
0
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
1N916
C
S
< 4.0 pF的*
C
S
< 4.0 pF的*
0.071(1.8)
超
– 10.6 V
高速开关。
0.056(1.4)
300ns
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
10 <吨
1
＆ LT ; 500
s
t
1
占空比= 2 ％
10.9 V
无铅零件符合环保标准
占空比= 2 ％
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
测试夹具和连接器的*总并联电容
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
图1.延迟和上升时间
图2.存储和下降时间
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
典型的瞬态特性
方法2026
机械数据
当量
测试电路
等效测试电路
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
10.0
重量：的逼近0.011克
7.0
T
J
= 25°C
尺寸以英寸（毫米）
5000
3000
T
J
= 125°C
电容（pF）
3.0
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
300
标识代码
2.0
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
1.0
0.1
0.2 0.3
V
RRM
V
RMS
V
DC
12
20
14
20
Q， CHARGE （ PC）
C
敖包
5.0
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
C
IBO
对于容性负载，减免电流20 ％
2000
最大额定值和电气特性
1000
700
500
V
CC
= 40 V
I
C
/ I
B
= 10
200
13
30
21
70
30
50
1.0
100
14
T
Q
40
28
40
2.0 3.0
15
50
35
50
16
60
42
60
20
18
80
56
80
30
10
Q
A
100
70
100
50 70 100
115
150
105
150
200
120
200
140
200
最大正向平均整流电流
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms
3.电容
科幻gure
单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
FSM
R
θJA
I
C
/I
B
= 10
C
J
T
J
TSTG
500
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图4.收费数据
30
40
120
5.0 7.0 10
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
100
70
50
300
200
500
-55到+125
300
200
100
70
特征
时间（纳秒）
最大正向电压在1.0A DC
30
t
r
@V
CC
=3.0V
50
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
0.9
0.92
V
F
15 V
0.50
0.70
0.85
30
20
10
7
50 70 100
200
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
t
r
，下降时间（ NS ）
I
C
/I
B
= 20
-
65
到+175
I
B1
= I
B2
-55到+150
V
CC
= 40 V
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
20
额定阻断电压DC
10
@T A = 125 ℃
I
R
注意事项：
7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
5
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
t
d
@V
OB
=0V
20
30
40 V
2.0 V
0.5
I
C
/I
B
= 10
10
2-热阻结点到环境
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.下降时间
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
变化
噪声系数
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
典型的音频小信号特性
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
NF ，噪声系数（dB ）
更好的反向漏电流和耐热性。
SOD-123H
VDC ，T
A
应用
薄型表面贴装
(V
CE
= – 5.0
为了
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
优化电路板空间。
14
0.146(3.7)
低功耗，高效率。
源电阻= 200Ω
0.130(3.3)
F = 1.0千赫
I
C
= 1.0毫安
高
= 1.0毫安
能力，低正向电压降。
I
C
当前
12
高浪涌能力。
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 200
Guardring过电压保护。
10
I
C
- 0.5毫安
超高速开关。
8
源电阻= 1.0kΩ
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
I
C
= 50
A
无铅零件符合环保标准
6
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
4
无卤素产品的包装代号后缀"H"
源电阻= 500Ω
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
I
C
= 50
A
I
C
= 100
A
0.040(1.0)
0.024(0.6)
机械数据
I = 100
A
C
2
0
0.1
0.2
0.031 （ 0.8 ）典型值。
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
0
0.1
0.2 0.4
10
100
塑料，
4.0
案例：模压
1.0 2.0
SOD-123H
20 40
,
端子：镀金端子，
（千赫）
每MIL -STD- 750可焊性
男，频率
图7.噪声系数
方法2026
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
0.031 （ 0.8 ）典型值。
100
R
g
，源电阻值（kΩ ）
极性：由阴极频带指示
h参数值
安装位置：任意
(V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
重量：的逼近0.011克
h
oe
，输出导纳（
μmhos ）
300
100
50
图8.噪声系数
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
h
fe
，直流电流增益
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
200
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
标识代码
最大的经常峰值反向电压
70
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
50
100
20
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
10
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
2.0
3.0
12
20
14
20
10
13
30
5
21
30
2
1
0.1
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
80
56
80
10
100
70
100
5.0
115
150
105
150
10
120
200
140
200
30
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
C
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
5.0
我，集电极电流（毫安）
I
FSM
1.0
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
30
I
C
，集电极电流（毫安）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
10
存储温度范围
20
图9.电流增益
R
θJA
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
–4
)
典型结电容（注1 ）
C
J
T
J
TSTG
图10.输出导纳
40
120
-55到+125
7.0
5.0
3.0
2.0
10
-
65
到+175
-55到+150
h
ie
，输入阻抗（ kΩ的）
5.0
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
2.0
额定阻断电压DC
1.0
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.5
2-热阻结点到环境
0.2
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
2012-06
2012-11
威伦电子股份有限公司
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
MMBT3906TT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
典型静态特性
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
2.0
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
T
J
= +125°C
高电流能力，低正向电压降。
1.0
高浪涌能力。
+25°C
Guardring过电压保护。
0.7
超高速开关。
–55°C
0.5
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.3
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
0.2
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
无铅机生产线
特点
包装外形
h
FE
，直流电流增益（标准化）
0.146(3.7)
0.130(3.3)
V
CE
= 1.0 V
典型值。
0.012(0.3)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
10
0.031 （ 0.8 ）典型值。
20
案例：模压塑料， SOD- 123H
1.0
0.1
,
，集电极
端子：镀金端子，每焊
I
MIL-STD-750
电流（mA ）
C
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
30
50
70
100
200
0.031 （ 0.8 ）典型值。
图13.直流电流增益
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
1.0
重量：的逼近0.011克
0.8
尺寸以英寸（毫米）
T
J
= 25°C
最大额定值和
10毫安
电动
I
C
= 1.0毫安
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
特征
30毫安
百毫安
0.6
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
0.4
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
0.2
最大RMS电压
最大直流阻断电压
0
0.02
0.03
0.05
最大
0.01
正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
0.07
0.1
12
20
14
20
0.2
0.3
13
30
21
30
0.5
14
40
28
40
0.7
15
50
35
50
1.0
16
60
42
60
2.0
1.0
30
18
80
56
80
3.0
10
100
70
100
5.0
7.0
115
150
105
150
10
120
200
140
200
I
O
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
I
B
，基极电流（毫安）
I
FSM
图14.集电极饱和区
R
θJA
C
J
T
J
1.0
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
1.0
0.8
1.2
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
V，电压（V ）
系数（毫伏/ ℃）
TSTG
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
-55到+125
0.5
θ
VC
对于V
CE （ SAT ）
0
– 0.5
–1.0
–1.5
–2.0
40
120
-55到+150
-
+ 25 ° C至+ 125°C
65
到+175
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
最大正向电压在1.0A DC
0.6
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.4
额定阻断电压DC
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
-55℃ + 25℃
0.85
0.9
0.92
I
R
0.5
10
+ 25 ° C至+ 125°C
-55℃ + 25℃
注意事项：
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
θ
VB
对于V
BE （ SAT ）
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
2-热阻结点到环境
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
C，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图15为“ON”电压
图16.温度系数
2012-11
2012-06
威伦
威伦电子COR
电子公司
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