江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 03B塑封装晶体管
C
MMBT3906M
晶体管
WBFBP-03B
(1.2×1.2×0.5)
单位：mm
顶部
描述
PNP外延硅晶体管
特点
外延平面片建设
互补NPN类型可用（ MMBT3904M ）
超小型表面贴装封装
也可以在无铅版本
B
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
C
后
E
B
应用
通用放大器，开关
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： 3N
C
3N
Bé
最大额定值* T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
R
JA
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
功耗
热阻，结到环境
工作温度
储存和温度
参数
价值
-40
-40
-5
-200
150
833
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
典型值
最大
单位
V
V
V
-0.05
-0.1
60
80
100
60
30
-0.25
-0.4
-0.65
250
-0.85
-0.95
V
V
V
V
兆赫
300
A
A
电气特性（ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
除非
TEST
否则
条件
特定网络版）
民
-40
-40
-5
I
C
=-10A,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-10A,I
C
=0
V
CE
=-30V,V
EB （O FF ）
=-3V
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-0.1mA
V
CE
=-1V,I
C
=-1mA
V
CE
=-1V,I
C
=-10mA
V
CE
=-1V,I
C
=-50mA
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-20V,I
C
=-10mA,f=100MHz
SYM BOL
A
A1
b
b1
b2
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
k
z
IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .1 7 0
0 .2 7 0
0 .2 7 0
0 .3 7 0
0 0.2 5 0 R é F。
1 .1 5 0
1 .2 5 0
1 .1 5 0
1 .2 5 0
0 0.4 7 0 R é F。
0 0.8 1 0 R F。
0 0.8 0 ; 0 T P 。
0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 5 0 R é F。
0 0.3 0 0 R é F。
0 0.0 9 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
M IN 。
M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 7
0 .0 1 1
0 .0 1 1
0 .0 1 5
0 0.0 1 0 R F。
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 0.0 0 2 R é F。
0 0.0 3 2 R é F。
0 0.0 3 2 T P 。
0 0.0 1 1 R F。
0 0.0 0 9 R é F。
0 0.0 0 6 R é F。
0 0.0 1 2 R é F。
0 0.0 0 4 R é F。
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WBFBP - 03B塑封装晶体管
C
MMBT3906M
晶体管
WBFBP-03B
(1.2×1.2×0.5)
单位：mm
顶部
描述
PNP外延硅晶体管
特点
外延平面片建设
互补NPN类型可用（ MMBT3904M ）
超小型表面贴装封装
也可以在无铅版本
B
1.基地
2.辐射源
3.收集
E
C
后
E
B
应用
通用放大器，开关
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： 3N
C
3N
Bé
最大额定值* T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
R
JA
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
功耗
热阻，结到环境
工作温度
储存和温度
参数
价值
-40
-40
-5
-200
150
833
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
典型值
最大
单位
V
V
V
-0.05
-0.1
60
80
100
60
30
-0.25
-0.4
-0.65
250
-0.85
-0.95
V
V
V
V
兆赫
300
A
A
电气特性（ TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
除非
TEST
否则
条件
特定网络版）
民
-40
-40
-5
I
C
=-10A,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-10A,I
C
=0
V
CE
=-30V,V
EB （O FF ）
=-3V
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-0.1mA
V
CE
=-1V,I
C
=-1mA
V
CE
=-1V,I
C
=-10mA
V
CE
=-1V,I
C
=-50mA
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
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B
=-5mA
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
I
C
=-50mA,I
B
=-5mA
V
CE
=-20V,I
C
=-10mA,f=100MHz
SYM BOL
A
A1
b
b1
b2
D
E
D2
E2
e
L
L1
L2
k
z
IM ê N s个IO N s个在并购illim è T E R 5
M IN 。
M AX 。
0 .4 5 0
0 .5 5 0
0 .0 1 0
0 .0 9 0
0 .1 7 0
0 .2 7 0
0 .2 7 0
0 .3 7 0
0 0.2 5 0 R é F。
1 .1 5 0
1 .2 5 0
1 .1 5 0
1 .2 5 0
0 0.4 7 0 R é F。
0 0.8 1 0 R F。
0 0.8 0 ; 0 T P 。
0 0.2 8 0 R é F。
0 0.2 3 0 R é F。
0 .1 5 0 R é F。
0 0.3 0 0 R é F。
0 0.0 9 0 R é F。
IM ê N s个IO N s个在建华（E S）
M IN 。
M AX 。
0 .0 1 8
0 .0 2 2
0 .0 0 0
0 .0 0 4
0 .0 0 7
0 .0 1 1
0 .0 1 1
0 .0 1 5
0 0.0 1 0 R F。
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 .0 4 5
0 .0 4 9
0 0.0 0 2 R é F。
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0 0.0 1 1 R F。
0 0.0 0 9 R é F。
0 0.0 0 6 R é F。
0 0.0 1 2 R é F。
0 0.0 0 4 R é F。
QQ：2880707522 复制
