威伦
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低
ISA设备分拆我国流行
该
M
MBT3906DW1T1
正向电压降。
高浪涌能力。
SOT -23 / SOT- 323三含铅器件。它是专为一般
Guardring过电压保护。
目的放大器的应用程序和被收纳在SOT -363
超高速开关。
6引线表面贴装封装。通过将两个分立器件
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
一个封装，该器件非常适用于低功率表面贴装
无铅零件符合环保标准
应用中的电路板空间非常珍贵。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
h
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FE ， 100-300
双偏置电阻
晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
包
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
6
5
4
0.056(1.4)
0.071(1.8)
1
2
机械
0.4 V
低VCE （SAT） ，
≤
数据
设计
简化电路
额定阻燃
环氧树脂： UL94 -V0
减少
模压塑料， SOD- 123H
电路板空间
案例：
减少了元件数量
每MIL -STD- 750可焊性，
端子：镀金端子，
可在
方法2026
8mm时， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
器件标识：
MMBT3906DW1T1
= A2
极性：由阴极频带指示
重量： 0.005克
：任何
安装位置
Featrues
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ，
重量：的逼近0.011克
SOT-363
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
(3)
(2)
(1)
尺寸以英寸（毫米）
Q
1
Q
2
无卤产品
收视率和
后缀"H" 。
最大
包装代码
电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
(4)
(5)
(6)
最大额定值
等级
评级
标识代码
符号
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
集电极 - 发射极电压
最大的经常峰值反向电压
集电极 - 基极电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
发射极 - 基极电压
V
首席执行官
V
RRM
V
CBO
V
RMS
V
EBO
V
DC
I
C
I
O
价值
12
–40
20
–40
14
单位
13
30
VDC
21
VDC
30
VDC
14
40
28
40
15
50
35
16
60
20
–5.0
最大正向平均整流电流
连续集电极电流 -
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
–200
MADC
V
50
MMBT3906DW1T1
1.0
30
40
120
42
设备
60
订购信息
56
70
记号
100
80
18
80
10
100
115
150
120
200
140
V
A2
200
3000个/卷
105
航运
150
V
V
A
静电
目前8.3
ESD
峰值正向浪涌
放电
毫秒单一正弦半波
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
热特性
HBM>16000,
I
FSM
MM>2000
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
A
-55到+125
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
总包耗散
最大正向电压在1.0A DC
特征
符号
P
D
(1)
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
最大
150
833
单位
R
评级
热阻结到
@T A = 125 ℃
qJA
阻断电压DC
TA = 25°C
在最大平均反向电流
环境
V
F
I
R
mW
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
@T A = 25 ℃
° C / W
°C
m
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
温度范围
结存储
T
J
, T
英镑
-55到+150
2-热阻结点到环境
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
1.
推荐的足迹。
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
双偏置电阻
晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
包
威伦
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
无铅全国生产
特点
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
特征
包装外形
符号
民
SOD-123H
最大
0.146(3.7)
–40
0.130(3.3)
单位
开关特性
优化电路板空间。
低调的表面安装，以便应用程序
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
IBL
ICEX
的hFE
低功耗，高效率。
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
高电流能力，低正向电压降。
集电极 - 基极击穿电压
高浪涌能力。
发射极 - 基极击穿电压
保护。
Guardring过电压
超高速开关。
基地截止电流
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
收藏家Cuto FF电流
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
基本特征（ 2 ）
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
直流电流增益
无卤素产品的包装代号后缀"H"
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
机械
= 1.0伏）
（ IC = -1.0 MADC ， VCE =
数据
（ IC =
环氧树脂： UL94 -V0
= 1.0伏）
-10 MADC ， VCE =
额定阻燃
（ IC = -50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
–100
：模压塑料，
VDC ）
（ IC =
例
MADC ， VCE = -1.0
SOD-123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10 MADC ，我
方法2026
B = -1.0 MADC ）
（ IC =
极性：由阴极频带指示
-50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
基射极饱和电压
安装位置：任意
（ IC = -10 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
重量：的逼近0.011克
（ IC = -50 MADC ， IB = -5.0 MADC ）
–
–
–
–50
–50
VDC
0.012 （ 0.3 ）典型值。
–40
–5.0
–
–
VDC
VDC
0.071(1.8)
0.056(1.4)
NADC
NADC
0.031 （ 0.8 ）典型值。
60
80
100
60
30
–
–
300
–
–
–
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
VCE （ SAT ）
–
–0.25
–
–0.4
尺寸以英寸（毫米）
–0.65
–
–0.85
–0.95
VDC
VBE （ SAT ）
VDC
小信号特性
最大额定值和电气特性
在25 ℃评分
–
环境温度，除非另有规定。
电流增益带宽积
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
输出电容
对于容性负载，减免电流20 ％
输入电容
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤2.0%.
标识代码
最大的经常峰值反向电压
评级
fT
科博
CIBO
250
–
–
–
4.5
10.0
兆赫
pF
pF
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
12
13
14
20
30
40
V
RRM
除非
电气特性
（ TA = 25℃
V
RMS
另有说明） （续）
14
21
28
最大RMS电压
特征
V
DC
最大直流阻断电压
20
30
40
15
50
16
60
18
80
56
10
100
70
最大
100
115
150
105
单位
150
120
200
140
200
35
42
符号
60
50
民
80
1.0
2.0
30
0.1
40
100
120
输入阻抗
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
缺氧缺血性脑病
HRE
12
10
k
X 10–4
–
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
电压反馈比例
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
典型结电容（注1 ）
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
-55到+125
的hFE
400
HOE
-
65
to
3.0
+175
输出导纳
存储温度范围
（ VCE = -10伏直流， IC = -1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
-55到+150
60
毫姆欧
噪声系数
NF
4.0
dB
FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
–
（ VCE = -5.0
电压在1.0A DC
0.9
最大正向
VDC ， IC = -100
MADC ，
RS = 1.0
,
f =
F
千赫）
0.92
V
1.0
0.50
0.70
0.85
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
开关特性
延迟时间
（ VCC = -3.0伏， VBE = 0.5伏）
（ IC = -10 MADC ， IB1 = -1.0 MADC ）
（ VCC = -3.0伏， IC = -10 MADC ）
（ IB1 = IB2 = -1.0 MADC ）
@T A = 125 ℃
I
R
0.5
td
tr
ts
tf
10
–
–
–
–
35
35
225
75
注意事项：
时间
上升
ns
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
贮存时间
下降时间
ns
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
威伦
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
双偏置电阻
势垒整流器-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基
晶体管
包
＆ LT ; 1纳秒
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
3V
无铅全国生产
特点
3V
包装外形
+9.1 V
更好的反向漏电流和耐热性。
275
275
SOD-123H
＆ LT ; 1纳秒
表面贴装为了申请
低调
10
10 k
+0.5 V
优化电路板空间。
k
0
0.146(3.7)
低功耗，高效率。
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
高电流能力，低正向电压
s
下降。
< 4 PF *
CS < 4 PF *
1N916
高浪涌能力。
10.6 V
300纳秒
10 < T1 < 500
ms
Guardring过电压保护。
10.9 V
t1
占空比= 2 ％
0.071(1.8)
超高速开关。
占空比= 2 ％
0.056(1.4)
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
*测试夹具和连接器共有并联电容
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
图1.延迟和上升时间
图2.存储和下降时间
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
等效测试电路
等效测试电路
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
典型的瞬态特性
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
10
7.0
电容（pF）
5.0
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
TJ = 25°C
TJ = 125°C
5000
3000
2000
Q， CHARGE （ PC）
1000
700
500
300
200
13
30
100
70
21
50
30
VCC = 40 V
IC / IB = 10
尺寸以英寸（毫米）
最大
C
额定值和电气特性
敖包
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，
CIBO
阻感性负载。
3.0
对于容性负载，减免电流20 ％
2.0
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
V
RRM
V
RMS
12
20
14
QT
14
40
28
15
50
35
16
60
42
18
80
56
10
QA
100
70
115
150
105
150
200
120
200
140
200
20
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
V
DC
30 40
20
最大正向平均整流电流
I
O
反向偏置（伏）
图3.电容
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
1.0
0.1
0.2 0.3
1.0
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
40
2.0 3.0
50
5.0 7.0
60
10
20
80
30 50
100
100
70
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
图4.收费数据
30
40
120
典型热阻（注2 ）
500
R
θJA
C
B
IC / I
J
= 10
T
J
TSTG
典型结电容（注1 ）
500
-55
300
+125
to
200
300
工作温度范围
200
存储温度范围
五六，下降时间（ NS ）
-
65
到+175
= 20
IC / IB
0.70
0.5
10
IC / IB = 10
VCC = 40 V
-55
I
+150
B1 = IB2
时间（纳秒）
100
特征
70
最大正向电压在1.0A DC
50
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
100
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
F
TR @ VCC = 3.0 V
I
R
70
50
0.50
0.85
0.9
0.92
30
20
@T A = 125 ℃
15 V
40 V
2.0 V
200
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
注意事项：
10
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结到
TD @ VOB = 0 V
环境
7
5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
20
30
50 70 100
200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.下降时间
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
威伦
SOD-123
双偏置电阻
晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
包
A
更好的反向漏电流
CE
热阻。
和
低调的表面
= 200
W
为了申请
源电阻
安装
优化电路板空间。
IC = 1.0毫安
低功耗，高效率。
源电阻= 200
W
高电流能力，低正向电压降。
能力。
高浪涌
IC = 0.5毫安
Guardring过电压保护。
源电阻= 2.0
超高速开关。
50
mA
IC =
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
源电阻= 2.0
IC
无卤素产品的包装代号后缀"H"
= 100
mA
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
批量处理的设计，出色的功耗
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
(V
= -5.0伏，T
报价
12
F = 1.0千赫
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
特点
典型的音频小信号特性
包装外形
噪声系数变异
SOD-123H
无铅全国生产
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
IC = 1.0毫安
0.146(3.7)
0.130(3.3)
IC = 0.5毫安
0.012 （ 0.3 ）典型值。
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
0.071(1.8)
0.056(1.4)
IC = 50
mA
IC = 100
mA
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0
： UL94 -V0额定阻燃
0.2
1.0 2.0 4.0
10
20
0.1
环氧树脂
0.4
塑料， SOD- 123H
案例：模压
男，频率（KHz ）
机械数据
40
100
端子：镀
图7 。
每MIL -STD- 750可焊性
终端，
方法2026
,
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.4
20
1.0 2.0
4.0
10
RG ，源电阻（千欧）
40
100
0.031 （ 0.8 ）典型值。
网络连接gure 8 。
尺寸以英寸（毫米）
300
极性：由阴极频带指示
h参数值
安装位置：任意
(V
= -10伏直流， F = 1.0千赫， TA = 25 ° C）
重量：的逼近0.011克
CE
100
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
最大额定值和电气特性
70
^ h FE ， DC电流增益
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
200
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
50
30
20
13
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
100
标识代码
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
最大的经常峰值反向电压
70
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
50
21
10
30
7
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
IC ，
（ JEDEC的方法）
叠加在额定负荷
集电极电流（毫安）
典型热阻（注2 ）
图9.电流增益
典型结电容（注1 ）
30
5.0 7.0 10
I
FSM
R
θJA
T
J
TSTG
5
0.1
0.2
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
30
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
h
re
电压反馈RATIO （ ×10
-4
)
20
工作温度范围
即输入阻抗（千欧）
存储温度范围
C
J
-55
10
+125
to
40
图10.输出导纳
120
-
65
到+175
-55到+150
10
7.0
5.0
3.0
2.0
最大正向电压在1.0A DC
7.0
5.0
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
3.0
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
2.0
额定阻断电压DC
I
R
注意事项：
1.0
0.7
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.5
2-热阻结点到环境
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
威伦
SOD-123
典型静态特性
批量处理的设计，出色的功耗报价
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
双偏置电阻
晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
包
FM120-M
MMBT3906DW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
TJ = + 125°C
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
+25°C
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
-55°C
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
VCE = 1.0 V
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
0.1
阻燃
0.1
环氧树脂： UL94 -V0评分
0.5 0.7
0.2
0.3
1.0
案例：模压塑料， SOD- 123H
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
IC ，集电极电流（毫安）
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
电流增益
图13. DC
30
50
70
100
0.040(1.0)
0.024(0.6)
200
0.031 （ 0.8 ）典型值。
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.8
方法2026
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
IC = 1.0毫安
10毫安
30毫安
尺寸以英寸（毫米）
TJ = 25°C
百毫安
最大额定值和电气特性
0.6
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
为
0.4
容性负载，减免电流20 ％
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
0.2
V
RRM
V
RMS
12
20
14
13
30
21
14
40
28
15
50
35
50
1.0
16
60
42
60
2.0
1.0
30
40
120
18
80
56
80
3.0
10
100
70
100
7.0
5.0
115
150
105
150
10
120
200
140
200
0
最大直流阻断电压
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
V
DC
I
O
最大正向平均整流电流
20
0.3
30
0.5
40
0.7
0.2
IB ，基极电流（毫安）
科幻gure
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
14.集电极饱和区
I
FSM
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
中T = 25℃
存储温度范围
R
θJA
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.0
-55到+125
0.5
0
q
VC的VCE （SAT）
0.50
0.70
1.0
0.8
C
J
TSTG
-55到+150
J
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
T
J
V，电压（V ）
特征
VBE @ VCE = 1.0 V
V
F
-
65
到+175
+ 25 ° C至+ 125°C
0.85
-55 ° C至+ 25°C
0.9
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
最大正向电压在1.0A DC
0.6
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
0.4
@T A = 125 ℃
I
R
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
0
20
q
VB的VBE （SAT）
40
0.5
10
+ 25 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 25°C
注意事项：
VCE （ SAT ）
of
IC / I
VDC 。
1测得1 MHz和应用反向电压
@
4.0
B = 10
0.2
2-热阻结点到环境
0
1.0
2.0
50
5.0
10
20
IC ，集电极电流（毫安）
100
200
60
80 100 120 140
IC ，集电极电流（毫安）
160
180 200
图15为“ON”电压
图16.温度系数
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
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