【MMBT3904WT1 ， NPNMMBT3906WT1 ， PNP通用晶体管NPN和PNP硅这些晶】,IC型号MMBT3904WT1G,MMBT3904WT1G PDF资料,MMBT3904WT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT3904WT1 ， NPN

MMBT3906WT1 ， PNP

通用

晶体管

NPN和PNP硅

这些晶体管被设计为通用放大器

应用程序。它们都装在SOT -323 / SC-70封装哪

是专为低功耗表面贴装应用。

特点

http://onsemi.com

集热器

3

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

1

BASE

2

辐射源

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

集热器

： BASE

电压

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

符号

V

首席执行官

价值

40

60

40

6.0

5.0

200

单位

VDC

1

2

VDC

3

SC- 70 （ SOT- 323 ）

CASE 419

方式3

V

CBO

标记图

VDC

XX M

G

1

= AM的MMBT3904WT1

= 2A的MMBT3906WT1

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

xx

辐射源

： BASE

电压

V

EBO

集电极电流

连续

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

I

C

MADC

热特性

特征

器件总功耗（注1 ）

@T

A

= 25°C

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

P

D

R

qJA

T

J

, T

英镑

最大

150

833

55

+150

单位

mW

° C / W

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小

推荐的足迹。

订购信息

设备

MMBT3904WT1G

包

航运

SC70/

3000 /磁带&卷轴

SOT323

（无铅）

SC70/

3000 /磁带&卷轴

SOT323

（无铅）

MMBT3906WT1G

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

2011年1月

启示录7

1

出版订单号：

MMBT3904WT1/D

MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压（注2 ）

(I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

(I

C

=

1.0

MADC ，我

B

= 0)

集热器

： BASE

击穿电压

(I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

(I

C

=

10

MADC ，

I

E

= 0)

辐射源

： BASE

击穿电压

(I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

(I

E

=

10

MADC ，

I

C

= 0)

基地截止电流

(V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

(V

CE

=

30

VDC ，V

EB

=

3.0

VDC ）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

(V

CE

=

30

VDC ，V

EB

=

3.0

VDC ）

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

=

0.1

MADC ，V

CE

=

1.0

VDC ）

(I

C

=

1.0

MADC ，V

CE

=

1.0

VDC ）

(I

C

=

10

MADC ，V

CE

=

1.0

VDC ）

(I

C

=

50

MADC ，V

CE

=

1.0

VDC ）

(I

C

=

100

MADC ，V

CE

=

1.0

VDC ）

集热器

：辐射源

饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

(I

C

=

10

MADC ，我

B

=

1.0

MADC ）

(I

C

=

50

MADC ，我

B

=

5.0

MADC ）

BASE

：辐射源

饱和电压

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

(I

C

=

10

MADC ，我

B

=

1.0

MADC ）

(I

C

=

50

MADC ，我

B

=

5.0

MADC ）

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士;

占空比

v

2.0%.

MMBT3904WT1

h

FE

40

70

100

60

30

60

80

100

60

30

0.65

300

0.2

0.3

0.25

0.4

0.85

0.95

0.85

0.95

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

V

（ BR ） CEO

40

60

40

6.0

5.0

50

VDC

符号

民

最大

单位

V

（ BR ） CBO

VDC

V

（ BR ） EBO

VDC

I

BL

NADC

I

CEX

NADC

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

V

CE （ SAT ）

VDC

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

V

BE （ SAT ）

VDC

http://onsemi.com

2

MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）（续）

特征

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

(I

C

=

10

MADC ，V

CE

=

20

VDC ， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

CB

=

5.0

VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

(V

EB

=

0.5

VDC ，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

=

10

VDC ，我

C

=

1.0

MADC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

=

10

VDC ，我

C

=

1.0

MADC ， F = 1.0千赫）

小

“信号

电流增益

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

=

10

VDC ，我

C

=

1.0

MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）

(V

CE

=

10

VDC ，我

C

=

1.0

MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数

(V

CE

= 5.0伏，我

C

= 100

MADC ，

R

S

= 1.0 k

W,

F = 1.0千赫）

(V

CE

=

5.0

VDC ，我

C

=

100

MADC ，

R

S

= 1.0 k

W,

F = 1.0千赫）

开关特性

特征

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

条件

(V

CC

= 3.0伏，V

BE

=

0.5伏）

(V

CC

=

3.0

VDC ，V

BE

= 0.5伏）

(I

C

= 10 MADC ，我

B1

= 1.0 MADC ）

(I

C

=

10

MADC ，我

B1

=

1.0

MADC ）

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ）

(V

CC

=

3.0

VDC ，我

C

=

10

MADC ）

(I

B1

= I

B2

= 1.0 MADC ）

(I

B1

= I

B2

=

1.0

MADC ）

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

符号

t

d

t

r

t

s

t

f

民

最大

35

200

225

50

75

ns

单位

ns

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

MMBT3904WT1

MMBT3906WT1

f

T

300

250

1.0

2.0

0.5

0.1

100

1.0

3.0

4.0

4.5

8.0

10.0

10

12

8.0

10

400

40

60

5.0

4.0

兆赫

符号

民

最大

单位

C

敖包

pF

C

IBO

pF

h

ie

k

W

h

re

X 10

4

h

fe

h

oe

毫姆欧

NF

dB

MMBT3904WT1

+3 V

+10.9 V

10 k

0

- 0.5 V

＆ LT ; 1纳秒

C

S

< 4 PF *

- 9.1 V

＆ LT ; 1纳秒

1N916

C

S

< 4 PF *

275

+3 V

+10.9 V

275

10 k

占空比= 2 ％

300纳秒

10 <吨

1

＆ LT ; 500

ms

占空比= 2 ％

t

1

*测试夹具和连接器共有并联电容

图1.延迟和上升时间

等效测试电路

图2.存储和下降时间

等效测试电路

http://onsemi.com

3

MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP

MMBT3904WT1

典型的瞬态特性

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

500

I

C

/I

B

= 10

300

200

吨R，上升时间（ NS ）

100

70

50

30

20

10

7

5

1.0

MMBT3904WT1

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7

5

MMBT3904WT1

t

d

@ V

OB

= 0 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

时间（纳秒）

t

r

@ V

CC

= 3.0 V

40 V

15 V

2.0 V

50 70 100

200

图3.打开

ΔON

时间

500

300

200

吨S，存储时间（纳秒）

′

100

70

50

30

20

10

7

5

1.0

MMBT3904WT1

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

t′

s

= t

s

-

1

/

8

t

f

I

B1

= I

B2

五六，下降时间（ NS ）

500

300

200

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图4.上升时间

V

CC

= 40 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

100

70

50

30

20

10

7

5

1.0

I

C

/I

B

= 10

MMBT3904WT1

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.贮存时间

图6.下降时间

典型的音频小信号特性的噪声系数变异

(V

CE

= 5.0伏，T

A

= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）

12

10

NF ，噪声系数（dB ）

8

6

4

2

0

0.1

源电阻= 500

W

I

C

= 100

mA

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

源电阻= 200

W

I

C

= 1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

源电阻= 200

W

I

C

- 0.5毫安

源电阻= 1.0

I

C

= 50

mA

14

F = 1.0千赫

12

10

8

6

4

2

MMBT3904WT1

20

40

100

0

0.1

0.2

0.4

1.0

2.0

4.0

10

MMBT3904WT1

20

40

100

I

C

= 100

mA

I

C

= 1.0毫安

I

C

- 0.5毫安

I

C

= 50

mA

男，频率（KHz ）

图7.噪声系数

http://onsemi.com

4

R

S

，源电阻（千欧）

图8.噪声系数

MMBT3904WT1 ， NPN MMBT3906WT1 ， PNP

MMBT3904WT1

h参数值

(V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T

A

= 25°C)

300

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

MMBT3904WT1

200

^ h FE ，电流增益

100

50

MMBT3904WT1

20

10

5

100

70

50

2

1

30

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（毫安）

5.0

10

图9.电流增益

20

重，电压反馈比例（ X 10

-4

)

即输入阻抗（千欧）

10

5.0

MMBT3904WT1

10

7.0

5.0

3.0

2.0

图10.输出导纳

MMBT3904WT1

2.0

1.0

0.5

1.0

0.7

0.5

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

I

C

，集电极电流（毫安）

5.0

10

图11.输入阻抗

图12.电压反馈比例

典型静态特性

1000

V

CE

= 1 V

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 150°C

25°C

- 55°C

100

MMBT3904WT1

10

1.0

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

1000

图13.直流电流增益

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5