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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1389页 > MMBT3904LT3
MMBT3904LT1
首选设备
通用晶体管
NPN硅
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
60
6.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
类型6
1AM
=具体设备守则
1AM
3
记号
图
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
MMBT3904LT1
MMBT3904LT1G
MMBT3904LT3
MMBT3904LT3G
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年2月 - 修订版5
出版订单号：
MMBT3904LT1/D
MMBT3904LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压（I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压（I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
底座截止电流（V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
集电极截止电流（V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
基本特征
（注3）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
基地发射极饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（我
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容（V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳（V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 1.0 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数（V
CE
= 5.0伏，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5伏直流电，
I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，
I
C
= 10 MADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
200
50
ns
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
300
1.0
0.5
100
1.0
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
兆赫
pF
pF
千欧
X 10
4
毫姆欧
dB
H
FE
40
70
100
60
30
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.65
0.85
0.95
0.2
0.3
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
60
6.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
占空比= 2 ％
300纳秒
+3 V
+10.9 V
10 k
0.5 V
＆ LT ; 1纳秒
C
S
< 4 PF *
9.1 V′
＆ LT ; 1纳秒
275
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
t
1
+3 V
+10.9 V
275
10 k
1N916
C
S
< 4 PF *
0
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
http://onsemi.com
2
MMBT3904LT1
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
Q， CHARGE （ PC）
5.0
C
IBO
3.0
2.0
C
敖包
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
Q
T
Q
A
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
反向偏置电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40 V
15 V
2.0 V
50 70 100
200
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
图4.收费数据
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启-On时间
500
300
200
吨S，存储时间（纳秒）
′
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
五六，下降时间（ NS ）
图6.上升时间
t′
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
= I
B2
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.储存时间
图8.下降时间
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3
MMBT3904LT1
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
12
10
NF ，噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
0.1
源电阻= 500
W
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 1.0
I
C
= 50
mA
14
F = 1.0千赫
12
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
100
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 50
mA
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（千欧）
图9 。
网络连接gure 10 。
h参数值
(V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
5.0
10
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
^ h FE ，电流增益
200
100
70
50
30
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电流增益
20
即输入阻抗（千欧）
10
5.0
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图12.输出导纳
2.0
1.0
0.5
0.2
重，电压反馈比例（ X 10
4
)
5.0
10
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0
10
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图13.输入阻抗
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4
图14.电压反馈比例
MMBT3904LT1
典型静态特性
^ h FE ， DC电流增益（标准化）
2.0
T
J
= +125°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
55
°C
+25°C
V
CE
= 1.0 V
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
图15.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
I
B
，基极电流（毫安）
图16.集电极饱和区
1.2
T
J
= 25°C
1.0
V，电压（V ）
0.8
V
BE
@ V
CE
=1.0 V
0.6
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
0.2
0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
=10
系数（MV /
°
C)
1.0
0.5
q
VC
对于V
CE （ SAT ）
0
0.5
55
°C
至+ 25°C
1.0
+ 25 ° C至+ 125°C
1.5
2.0
q
VB
对于V
BE （ SAT ）
55
°C
至+ 25°C
+ 25 ° C至+ 125°C
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图17为“ON”电压
图18.温度系数
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5
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M95512-RMN6TP
MI-QC6VV-MWY
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M38510/07906BFA
MAS3691CE
MF180C154-30
MAL213491105E3
MAL213816682E3
MX29F002NBPC-70
MI-PC2ZR-MX
MC3367
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMBT3904LT3
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-89697985
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