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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2300页 > MMBT3904-7-F
SPICE模型: MMBT3904
LEAD -FREE
MMBT3904
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
·
外延平面片建设
互补PNP类型可用
(MMBT3906)
非常适用于中等功率放大和开关
无铅/符合RoHS (注2 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
B
顶视图
SOT-23
A
C
B
E
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
K
J
L
M
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
标记(见第2页) : K1N
订购&日期代码信息:参见第2页
重量: 0.008克(近似值)
E
D
G
H
H
J
K
L
M
a
C
B
E
尺寸:mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMBT3904
60
40
6.0
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - (注1)
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
注意事项:
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局上所示Diodes公司建议焊盘布局AP02001 ,
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
DS30036牧师16 - 2
1 4
www.diodes.com
MMBT3904
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性
(注3)
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征
(注3)
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
6.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10毫安,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10毫安,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
=
I
C
= 1.0毫安,V
CE
=
I
C
= 10毫安,V
CE
=
I
C
= 50mA时V
CE
=
I
C
= 100mA时V
CE
=
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
1.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
dB
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100mA时
R
S
= 1.0KW , F = 1.0kHz
t
d
t
r
t
s
t
f
(注4 )
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
订购信息
设备
MMBT3904-7-F
注意事项:
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K1N
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
K1N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2001
M
APR
4
YM
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30036牧师16 - 2
2 4
www.diodes.com
MMBT3904
15
F = 1MHz的
300
250
200
150
100
50
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
敖包
,输出电容( pF)的
350
P
D
,功耗(毫瓦)
10
5
CIBO
科博
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
0
0.1
1
10
100
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 2 ,输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
1000
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极( V)
饱和电压
1
I
C
I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 125°C
100
T
A
= -25°C
T
A
= +25°C
0.1
10
V
CE
= 1.0V
1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流
10
I
C
I
B
= 10
0.01
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4 ,典型的集电极 - 发射极
饱和电压与集电极电流
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射( V)
饱和电压
1
T
A
= -25°C
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
T
A
= 75°C
0.1
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5 ,典型的基射极
饱和电压与集电极电流
DS30036牧师16 - 2
3 4
www.diodes.com
MMBT3904
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正,修改, enhance-
ments ,改进,或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险,所有
使用并同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
www.diodes.com
不推荐用于生命支持系统中使用,其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面批准。
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4 4
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MMBT3904
MMBT3904
NPN小信号表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用( MMBT3906 )
非常适用于中等功率放大和开关
铅,卤素和无锑,符合RoHS (注2 )
"Green"设备(注3)
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料,
(注3) 。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
终端连接:见图
终端:无铅电镀(雾锡完成了退火
合金引线框架42 ) 。每MIL -STD- 202方法208
标识信息:请参阅第4页
订购信息:见第4页
重量: 0.008克(近似值)
C
B
顶视图
E
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
60
40
6.0
200
单位
V
V
V
mA
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - (注1)
热特性
特征
功率耗散(注1 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
注意事项:
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 5的PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊垫布局图所示, Diodes公司建议的焊垫布局AP02001 ,这可以在我们找到
网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.没有故意添加铅。
3.产品与数据代码V9制造( 33周, 2008年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料,可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
MMBT3904
文件编号: DS30036牧师18 - 2
1 4
www.diodes.com
2008年12月
Diodes公司
MMBT3904
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
60
40
6.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
35
35
200
50
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100μA,
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注4 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征
(注4 )
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
4.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
-4
x 10
μS
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
400
350
P
D
,功耗(毫瓦)
300
250
200
150
100
50
0
R
θJA
= 417
°
C / W
1
I
C
,集电极电流( A)
0.1
DC
PW = 100毫秒
PW = 10毫秒
0.01
25
50
75 100 125 150 175 200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1功耗与环境温度(注1 )
0
0.001
T
A
= 25°C
单一非重复脉冲
DUT安装在1xMRP
FR-4板
0.1
1
10
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压
MMBT3904
文件编号: DS30036牧师18 - 2
2 4
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2008年12月
Diodes公司
MMBT3904
1,000
1
100
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
h
FE
,直流电流增益
0.1
10
1
0.1
1
1,000
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3典型的DC电流增益与集电极电流
0.01
0.1
1
10
1,000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
10
15
电容(pF)
10
1
5
0.1
0.1
10
100
1,000
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5典型的基射极饱和电压
与集电极电流
0
0.1
1
10
V
R
,反向电压(V)的
图。 6典型的电容特性
100
订购信息
产品型号
MMBT3904-7-F
注意事项:
(注5 )
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K1N
日期代码的关键
YEAR
1998
CODE
J
MONTH
CODE
JAN
1
K1N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年(例如: N = 2002)
M =月(例如: 9 =九月)
2006
T
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011 2012
Y
Z
十月
O
2013
A
NOV
N
2014
B
2015
C
DEC
D
1999
K
2000
L
FEB
2
2001
M
MAR
3
2002
N
2003
P
APR
4
2004 2005
R
S
五月
5
MMBT3904
文件编号: DS30036牧师18 - 2
3 4
www.diodes.com
YM
2008年12月
Diodes公司
MMBT3904
包装外形尺寸
A
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
-
α
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值(单位:mm)
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
MMBT3904
文件编号: DS30036牧师18 - 2
4 4
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2008年12月
Diodes公司
MMBT3904
40V NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用( MMBT3906 )
非常适用于中等功率放大和开关
完全无铅&完全符合RoHS (注1 & 2 )
卤素和无锑。 “绿色”设备(注3 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
PPAP能(注4 )
机械数据
案例: SOT23
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑料
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:完成 - 雾锡镀信息,每焊
MIL- STD- 202方法208
重量: 0.008克(近似值)
SOT23
C
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
(注4 & 5 )
产品
MMBT3904-7-F
MMBT3904Q-7-F
MMBT3904-13-F
注意事项:
合规
AEC-Q101
汽车
AEC-Q101
记号
K1N / C1N
K1N
K1N / C1N
卷尺寸(英寸)
7
7
13
胶带宽度(mm)
8
8
8
QUANTITY每卷
3,000
3,000
10.000
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。
2.关于Diodes公司的自由, "Green"和无铅无卤素和锑定义的详细信息,请参阅http://www.diodes.com 。
3.卤素和锑自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
4,汽车产品均符合AEC - Q101标准,并PPAP能力。汽车, AEC- Q101标准的产品是电和热
同样,除非特别指定。
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
K = SAT (上海封装/测试网站)
1N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年(例如: Y = 2011)
M =月(例如: 9 =九月)
C = CAT (成都封装/测试网站)
1N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年(例如: Y = 2011)
M =月(例如: 9 =九月)
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2010
X
JAN
1
FEB
2
2011
Y
MAR
3
2012
Z
APR
4
五月
5
2013
A
JUN
6
2014
B
JUL
7
八月
8
2015
C
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
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MMBT3904
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
60
40
6.0
200
单位
V
V
V
mA
热特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
功耗
热阻,结到环境
热阻,结到信息
工作和存储温度范围
(注6 )
(注7 )
(注6 )
(注7 )
(注8)
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
310
350
403
357
350
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
°C
ESD额定值
(注9 )
特征
静电放电 - 人体模型
静电放电 - 机型号
注意事项:
符号
ESD HBM
ESD MM
价值
8,000
400
单位
V
V
JEDEC类
3B
C
6.安装在最小建议焊盘布局FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件下的设备。
7.对于设备安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件。
从结点到焊接点8,热敏电阻(在集电极引线的端部) 。
9.请参考JEDEC规范JESD22- A114和JESD22- A115 。
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热特性
0.4
400
最大功耗( W)
热阻( ° C / W)
350
300
250
200
150
100
50
0
100
1m
10m 100m
D=0.2
D=0.5
D=0.1
单脉冲
D=0.05
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1k
温度(℃)
脉冲宽度(S )
降额曲线
10
瞬态热阻抗
最大功耗( W)
单脉冲。牛逼
AMB
=25°C
1
0.1
10m
100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲功率耗散
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电气特性
(@T
A
= + 25 ℃,除非另有说明)。
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注10 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征
(注10 )
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CEX
I
BL
60
40
6.0
40
70
100
60
30
0.65
1.0
0.5
100
1.0
300
最大
50
50
300
0.20
0.30
0.85
0.95
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
35
35
200
50
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB (O FF )
= 3.0V
I
C
= 100μA ,V
CE
= 1.0V
I
C
= 1.0毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 50mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
I
C
= 10毫安,我
B
= 1.0毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5.0毫安
V
CB
= 5.0V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= 0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1.0毫安,
F = 1.0kHz
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
V
CE
= 5.0V ,我
C
= 100μA,
R
S
= 1.0kΩ , F = 1.0kHz
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
V
BE (OFF)的
= - 0.5V ,我
B1
= 1.0毫安
V
CC
= 3.0V ,我
C
= 10毫安,
I
B1
= I
B2
= 1.0毫安
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
NF
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
-4
x 10
μS
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度
300μS 。占空比
2%.
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1,000
1
100
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
h
FE
,直流电流增益
0.1
10
1
0.1
1
1,000
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 1典型的DC电流增益与集电极电流
0.01
0.1
1
10
1,000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
10
15
电容(pF)
10
1
5
0.1
0.1
10
100
1,000
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3典型的基射极饱和电压
与集电极电流
0
0.1
1
10
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型的电容特性
100
1
I
C
,集电极电流( A)
0.1
DC
PW = 100毫秒
PW = 10毫秒
0.01
0.001
T
A
= 25°C
单一非重复脉冲
DUT安装在1xMRP
FR-4板
0.1
1
10
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 5典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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Opto Diode Corporation
22+
8369
原装原厂公司现货
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MMBT3904-7-F
DIODES
25+
32560
SOD-323
【原装优势★★★绝对有货】
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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DIODES
24+
66000
SOT23
100%原装正品,只做原装正品
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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DIODES/美台
2418+
5000
SOT-23
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
MMBT3904-7-F
DIODES(美台)
22+
3000
SOT-23
原装现货一片起拆
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
MMBT3904-7-F
DIODES(美台)
21+
114000
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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21+
28405
SOT-23
全新原装正品现货
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电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
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7450
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原装正品热卖
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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DIODES
25+23+
19000
SMD
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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