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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第641页 > MMBT2907LT1
威伦
通用晶体管
PNP硅
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ，
重量： 0.008克
无卤素产品的包装代号后缀"H" 。
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
集热器
SOT–23
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
BASE
2
辐射源
R
θJA
P
D
器件标识
MMBT2907LT1
= M2B ，
MMBT2907AL
T1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= -30Vdc ，我
BE （OFF）的
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
VDC
VDC
NADC
μAdc
MMBT2907
MMBT2907A
基本电流（ V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0, T
A
=125°C )
I
B
NADC
威伦
MMBT2907LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
h
FE
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
V
CE （ SAT ）
––
––
V
BE （ SAT ）
MMBT2907ALT1
民
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -0.1mAdc ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -1.0mAdc ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -10VDC ）
(I
C
= -150mAdc ，V
CE
= -10伏）（3）
(I
C
= -500mAdc ，V
CE
= -10伏）（3）
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= -150mAdc ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
基射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= -150mAdc ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500mAdc ，我
B
= -50 MADC ）
35
75
50
100
75
100
––
100
30
50
––
––
––
––
––
––
––
300
––
––
VDC
–0.4
–1.6
VDC
––
––
–1.3
–2.6
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 3），（ 4）
(I
C
= -50mAdc ，V
CE
= -20Vdc ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= -2.0Vdc ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
200
––
敖包
––
8.0
30
兆赫
pF
pF
C
C
IBO
––
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
关断时间
(V
CC
= -30伏直流，
I
C
= -150 MADC ，我
B1
= -15 MADC ）
(V
CC
= -6.0伏，
I
C
= -150 MADC ，我
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
f
t
s
t
关闭
—
—
—
—
—
—
45
10
40
30
80
100
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
4. f
T
被定义为频率在哪些| H F
e
|推断团结。
输入
O = 50
PRF = 150 PPS
上升时间<2.0 NS
P.W. <200 NS
1.0 k
0
–16 V
200纳秒
50
输入
–30 V
200
Z
O
= 50
PRF = 150 PPS
上升时间<2.0 NS
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
图2.存储和下降时间测试电路
50
1N916
+15 V
1.0 k
1.0 k
到示波器
上升时间< 5.0纳秒
–6.0 V
37
到示波器
上升时间< 5.0纳秒
图1.延迟和上升时间测试电路
威伦
MMBT2907LT1
典型特征
3.0
MMBT2907ALT1
h
FE
归一化电流增益
2.0
V
CE
= –1.0 V
V
CE
= –10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
–55°C
0.3
0.2
–0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
–70 –100
–200
–300
–500
I
C
，收藏家CURREN （毫安）
图3.直流电流增益
–1.0
V
CE
，集电极 - 发射
–0.8
I
C
= -1.0毫安
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
电压（伏）
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.005–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
I
B
，基极电流（毫安）
图4.集电极饱和区
300
200
100
300
V
CC
= –30 V
t
r
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
200
100
V
CC
= –30 V
I
C
/I
B
= 10
t
f
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
70
50
30
20
70
50
30
20
10
7.0
t ’
s
= t
s
– 1/8 t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0 V
5.0
3.0
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
I
C
，集电极电流
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
威伦
MMBT2907LT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
10
10
MMBT2907ALT1
F = 1.0千赫
8.0
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
I
C
= -1.0毫安，R
S
= 430
–500
A,
R
S
= 560
–50
A,
R
S
= 2.7 k
–100
A,
R
S
= 1.6 k
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
4.0
4.0
I
C
= –50A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
R
S
=最佳源电阻
2.0
0
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（
)
图7.频率的影响
f
T
型，电流增益 - 带宽
产品（兆赫）
30
20
400
300
200
图8.源电阻的影响
C
eb
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
100
80
60
C
cb
V
CE
=–20 V
T
J
= 25°C
40
30
20
–1.0
3.0
2.0
–0.1
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
–20 –30
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.的电容
–1.0
图10.电流增益 - 带宽积
+0.5
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
R
ΔVC
对于V
CE （ SAT ）
系数（毫伏/ ℃）
V，电压（V ）
–0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= –10 V
–0.5
– 1.0
– 0.4
–1.5
–0.2
–2.0
R
， VB
对于V
BE
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
–2.5
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
威伦
MMBT2907LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
2
MMBT2907ALT1
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
1
BASE
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
2
辐射源
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ， MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
V
（ BR ） CBO
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
VDC
VDC
NADC
μAdc
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= -30Vdc ，我
BE （OFF）的
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0, T
A
=125°C )
MMBT2907
MMBT2907A
I
CEX
I
CBO
基本电流（ V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
I
B
—
O8–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
h
FE
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
V
CE （ SAT ）
––
––
V
BE （ SAT ）
MMBT2907ALT1
民
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -0.1mAdc ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -1.0mAdc ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -10VDC ）
(I
C
= -150mAdc ，V
CE
= -10伏）（3）
(I
C
= -500mAdc ，V
CE
= -10伏）（3）
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= -150mAdc ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
基射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= -150mAdc ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500mAdc ，我
B
= -50 MADC ）
35
75
50
100
75
100
––
100
30
50
––
––
––
––
––
––
––
300
––
––
VDC
–0.4
–1.6
VDC
––
––
–1.3
–2.6
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 3），（ 4）
(I
C
= -50mAdc ，V
CE
= -20Vdc ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= -2.0Vdc ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
200
––
敖包
––
8.0
30
兆赫
pF
pF
C
C
IBO
––
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
关断时间
(V
CC
= -30伏直流，
I
C
= -150 MADC ，我
B1
= -15 MADC ）
(V
CC
= -6.0伏，
I
C
= -150 MADC ，我
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
f
t
s
t
关闭
—
—
—
—
—
—
45
10
40
30
80
100
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
4. f
T
被定义为频率在哪些| H F
e
|推断团结。
输入
O = 50
PRF = 150 PPS
上升时间<2.0 NS
P.W. <200 NS
1.0 k
0
–16 V
200纳秒
50
输入
–30 V
200
Z
O
= 50
PRF = 150 PPS
上升时间<2.0 NS
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
图2.存储和下降时间测试电路
50
1N916
+15 V
1.0 k
1.0 k
到示波器
上升时间< 5.0纳秒
–6.0 V
37
到示波器
上升时间< 5.0纳秒
图1.延迟和上升时间测试电路
O8–2/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
典型特征
3.0
MMBT2907ALT1
h
FE
归一化电流增益
2.0
V
CE
= –1.0 V
V
CE
= –10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
–55°C
0.3
0.2
–0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
–70 –100
–200
–300
–500
I
C
，收藏家CURREN （毫安）
图3.直流电流增益
–1.0
V
CE
，集电极 - 发射
电压（伏）
–0.8
I
C
= -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
I
B
，基极电流（毫安）
图4.集电极饱和区
300
200
100
300
V
CC
= –30 V
t
r
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
200
100
V
CC
= –30 V
I
C
/I
B
= 10
t
f
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
70
50
30
20
70
50
30
20
10
7.0
t ’
s
= t
s
– 1/8 t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0 V
5.0
3.0
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
I
C
，集电极电流
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
O8–3/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
10
10
MMBT2907ALT1
F = 1.0千赫
8.0
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
I
C
= -1.0毫安，R
S
= 430
–500
A,
R
S
= 560
–50
A,
R
S
= 2.7 k
–100
A,
R
S
= 1.6 k
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
4.0
4.0
I
C
= –50A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
R
S
=最佳源电阻
2.0
0
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（
)
图7.频率的影响
f
T
型，电流增益 - 带宽
产品（兆赫）
30
20
400
300
200
图8.源电阻的影响
C
eb
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
100
80
60
V
CE
=–20 V
T
J
= 25°C
C
cb
40
30
20
–1.0
3.0
2.0
–0.1
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
–20 –30
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.的电容
–1.0
图10.电流增益 - 带宽积
+0.5
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
R
ΔVC
对于V
CE （ SAT ）
系数（毫伏/ ℃）
V，电压（V ）
–0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= –10 V
–0.5
– 1.0
– 0.4
–1.5
–0.2
–2.0
R
， VB
对于V
BE
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
–2.5
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
O8–4/4
MMBT2907ALT1
通用
Transisters
PNP硅
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
2907A
60
60
5.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1
3
记号
图
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
2
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
类型6
2F M
2F
M
=器件代码
=月守则
订购信息
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
设备
MMBT2907ALT1
MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT3
MMBT2907ALT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号：
MMBT2907ALT1/D
MMBT2907ALT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -30伏直流，V
EB （O FF ）
= -0.5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -50伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基地截止电流
(V
CE
= -30伏直流，V
EB （O FF ）
= -0.5 V直流）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -150 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -500 MADC ，V
CE
= -10伏） （注3）
集电极发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= -150 MADC ，我
B
= -15 MADC ） （注3 ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
基地发射极饱和电压（注3）
(I
C
= -150 MADC ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注3,4）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= -2.0伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
(V
CC
= -6.0伏，我
C
= -150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= -15 MADC ）
(V
CC
= -30伏直流，我
C
= -150 MADC ，
I
B1
= -15 MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
f
T
200
C
敖包
C
IBO
30
8.0
pF
兆赫
h
FE
75
100
100
100
50
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.3
2.6
0.4
1.6
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
60
V
（ BR ） CBO
60
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CEX
I
CBO
I
BL
50
0.010
10
NADC
50
MADC
NADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBT2907ALT1
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
16 V
200纳秒
50
1.0 k
30 V
200
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
30 V
200纳秒
+15 V
6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
http://onsemi.com
3
MMBT2907ALT1
典型特征
3.0
的hFE ，标准化的电流增益
2.0
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
55
°C
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
200 300
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.8
I
C
= -1.0毫安
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1
0.2
0.3 0.5 0.7 1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流
t
r
500
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
t
f
100
70
50
30
20
2.0 V
200 300 500
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
t′
s
= t
s
1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
20 30
50 70 100
200 300 500
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
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4
MMBT2907ALT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
10
8.0
I
C
= -1.0毫安，R
s
= 430
W
500
毫安，
R
s
= 560
W
50
毫安，
R
s
= 2.7千瓦
100
毫安，
R
s
= 1.6千瓦
R
s
=最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
= 1.0毫安
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
s
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
C
eb
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
C
cb
100
80
60
40
30
20
1.0 2.0
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
F T ，电流增益
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
1.0
T
J
= 25°C
系数（MV /
°
C)
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
2.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
R
QVB
对于V
BE
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
0.6
0.4
0.2
0
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100 200
500
5.0 10 20
50 100 200 500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT2907LT1 / D
通用晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
2907
–40
–60
–5.0
–600
2
辐射源
1
3
2907A
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ; MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = -30伏直流， VBE （关闭） = -0.5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ）
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
IB
V（ BR ） CEO
MMBT2907
MMBT2907A
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
—
—
—
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
–50
VDC
VDC
NADC
μAdc
VDC
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ， TA = 125°C ）
基本电流（ VCE = -30伏直流， VEB （关闭） = -0.5 V直流）
1， FR- 5 = 1.0
0.75 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.


 
v
v
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -10伏直流）
的hFE
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
–1.3
–2.6
–0.4
–1.6
VDC
35
75
50
100
75
100
—
100
30
50
—
—
—
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流）
（IC = -150 MADC ， VCE = -10伏）（3）
（IC = -500 MADC ， VCE = -10伏）（3）
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 3 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 3 ） ， （ 4 ）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = -2.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
200
科博
—
CIBO
—
30
8.0
pF
—
pF
兆赫
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = -6.0伏， IC = -150 MADC ，
IB1 = IB2 = -15 MADC ）
（ VCC = -30伏直流， IC = -150 MADC ，
IB1 = -15 MADC ）
吨
td
tr
花花公子
ts
tf
—
—
—
—
—
—
45
10
40
100
80
30
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
4. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–16 V
200纳秒
50
1.0 k
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
v
v
–30 V
200
+15 V
–6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
典型特征
3.0
的hFE ，标准化的电流增益
2.0
VCE = -1.0 V
VCE = -10 V
TJ = 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
–0.1
– 55°C
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50 –70 –100
–200 –300
–500
IC ，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–1.0
–0.8
IC = -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005
–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.07 –0.1
–0.2
–0.3 –0.5 –0.7 –1.0
IB ，基极电流（毫安）
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0 V
10
7.0
5.0
3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
IC ，集电极电流
tr
500
VCC = -30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
tf
100
70
50
30
20
2.0 V
–200 –300 –500
10
7.0
5.0
–5.0 –7.0 –10
T的TS = - 1/8 TF
VCC = -30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
IC ，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
典型的小信号特性
噪声系数
VCE = 10 VDC ， TA = 25°C
10
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
IC = -1.0毫安，卢比= 430
–500
A,
RS = 560
–50
A,
RS = 2.7千欧
–100
A,
RS = 1.6千欧
RS =最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
IC = -50
A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
CEB
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
–0.1
建行
100
80
60
40
30
20
–1.0 –2.0
VCE = -20 V
TJ = 25°C
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
系数（MV /
°
C)
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
+0.5
0
R
q
VC的VCE （SAT）
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–2.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0
R
q
VB的VBE
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
–50 –100 –200
–500
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
1
BASE
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
2
辐射源
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ， MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
V
（ BR ） CBO
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
VDC
VDC
NADC
μAdc
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= -30Vdc ，我
BE （OFF）的
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0, T
A
=125°C )
MMBT2907
MMBT2907A
I
CEX
I
CBO
基本电流（ V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
I
B
—
O8–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
h
FE
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
V
CE （ SAT ）
––
––
V
BE （ SAT ）
MMBT2907ALT1
民
最大
单位
––
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -0.1mAdc ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -1.0mAdc ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -10VDC ）
(I
C
= -150mAdc ，V
CE
= -10伏）（3）
(I
C
= -500mAdc ，V
CE
= -10伏）（3）
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= -150mAdc ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
基射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= -150mAdc ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500mAdc ，我
B
= -50 MADC ）
35
75
50
100
75
100
––
100
30
50
––
––
––
––
––
––
––
300
––
––
VDC
–0.4
–1.6
VDC
––
––
–1.3
–2.6
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 3），（ 4）
(I
C
= -50mAdc ，V
CE
= -20Vdc ， F = 100MHz时）
输出电容
(V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= -2.0Vdc ，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
200
––
敖包
––
8.0
30
兆赫
pF
pF
C
C
IBO
––
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
关断时间
(V
CC
= -30伏直流，
I
C
= -150 MADC ，我
B1
= -15 MADC ）
(V
CC
= -6.0伏，
I
C
= -150 MADC ，我
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
f
t
s
t
关闭
—
—
—
—
—
—
45
10
40
30
80
100
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
4. f
T
被定义为频率在哪些| H F
e
|推断团结。
输入
O = 50
PRF = 150 PPS
上升时间<2.0 NS
P.W. <200 NS
1.0 k
0
–16 V
200纳秒
50
输入
–30 V
200
Z
O
= 50
PRF = 150 PPS
上升时间<2.0 NS
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
图2.存储和下降时间测试电路
50
1N916
+15 V
1.0 k
1.0 k
到示波器
上升时间< 5.0纳秒
–6.0 V
37
到示波器
上升时间< 5.0纳秒
图1.延迟和上升时间测试电路
O8–2/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
典型特征
3.0
MMBT2907ALT1
h
FE
归一化电流增益
2.0
V
CE
= –1.0 V
V
CE
= –10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
–55°C
0.3
0.2
–0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
–70 –100
–200
–300
–500
I
C
，收藏家CURREN （毫安）
图3.直流电流增益
–1.0
V
CE
，集电极 - 发射
电压（伏）
–0.8
I
C
= -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
I
B
，基极电流（毫安）
图4.集电极饱和区
300
200
100
300
V
CC
= –30 V
t
r
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
200
100
V
CC
= –30 V
I
C
/I
B
= 10
t
f
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
70
50
30
20
70
50
30
20
10
7.0
t ’
s
= t
s
– 1/8 t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0 V
5.0
3.0
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
I
C
，集电极电流
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
O8–3/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
10
10
MMBT2907ALT1
F = 1.0千赫
8.0
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
I
C
= -1.0毫安，R
S
= 430
–500
A,
R
S
= 560
–50
A,
R
S
= 2.7 k
–100
A,
R
S
= 1.6 k
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
4.0
4.0
I
C
= –50A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
R
S
=最佳源电阻
2.0
0
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（
)
图7.频率的影响
f
T
型，电流增益 - 带宽
产品（兆赫）
30
20
400
300
200
图8.源电阻的影响
C
eb
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
100
80
60
V
CE
=–20 V
T
J
= 25°C
C
cb
40
30
20
–1.0
3.0
2.0
–0.1
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0
–10
–20 –30
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.的电容
–1.0
图10.电流增益 - 带宽积
+0.5
T
J
= 25°C
–0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
R
ΔVC
对于V
CE （ SAT ）
系数（毫伏/ ℃）
V，电压（V ）
–0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= –10 V
–0.5
– 1.0
– 0.4
–1.5
–0.2
–2.0
R
， VB
对于V
BE
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
–2.5
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0 –10
–20
–50 –100 –200
–500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
O8–4/4
技术规格
半导体
RECTRON
MMBT2907LT1
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
特点
*功耗
P
CM
0.3 W（环境温度Tamb = 25
O
C)
*集电极电流
I
CM
-0.6 A
集电极 - 基极电压
*
V
（ BR ） CBO
: -60 V
工作和存储结温范围
*
T
J
,T
英镑
: -55
O
Cto+150
O
C
SOT-23
机械数据
*
*
*
*
*
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
0.037(0.950)TYP
0.006(0.150)
0.003(0.080)
0.020(0.500)
0.012(0.300)
0.043(1.100)
0.035(0.900)
0.004(0.100)
0.000(0.000)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.550)
0.089(2.250)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
o
0.019(2.00)
0.071(1.80)
0.118(3.000)
0.110(2.800)
尺寸以英寸（毫米）
评级
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
o
O
马克斯。稳态功耗（ 1 ） @ TA = 25°C减免上述25°C
符号
-
P
D
T
J
T
英镑
价值
-
300
-55到+150
-55到+150
单位
-
mW
o
o
马克斯。工作温度范围
存储温度范围
C
C
电气特性（当T
A
= 25°C除非另有说明）
特征
热阻结到环境
马克斯。正向电压在我
F=
10mA
注意事项： 1，氧化铝= 0.4 * 0.3 * 0.024in.99.5 ％的氧化铝
符号
R
θJA
V
F
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
417
-
单位
o
o
C / W
伏
2006-3
电气特性
(@TA=25
O
C除非另有说明）
Chatacteristic
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ） （IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10μAdc ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = -10μAdc ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ V CE = -30Vdc ，V BE （关闭） = -5.0Vdc ）
集电极截止电流（V CB = -50Vdc ， I E = 0 ）
（V CB = -50Vdc ， I E = 0 ， TA = 125℃ ）
基本电流（ V CE = -30Vdc ，V EB （关闭） = -0.5Vdc ）
O
符号
民
最大
单位
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
IB
-40
-60
-5.0
-
-
-
-
-
-
-
-50
-0.02
-20
-50
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
NADC
基本特征
直流电流增益（ I C = -0.1mAdc ， V CE = -10VDC ）
（ I C = -1.0mAdc ， V CE = -10VDC ）
（ I C = -10mAdc ， V CE = -10VDC ）
（ I C = -150mAdc ， V CE = -10VDC ）（2）
（ I C = -500mAdc ， V CE = -10VDC ）（2）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ） （IC = -150mAdc ， IB = -15mAdc ）
（ I C = -500mAdc ， I B = -50mAdc ）
基射极饱和电压（ 2 ） （IC = -150mAdc ， IB = -15mAdc ）
（ I C = -500mAdc ， I B = -50mAdc ）
VCE （ SAT ）
的hFE
35
50
75
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.4
VDC
-1.6
-1.3
VDC
-2.6
-
VBE （ SAT ）
小信号特性
电流增益带宽积（ 2 ） （ 3 ） （ IC = -50mAdc ， V CE = -20Vdc ， F = 100MHz时）
输出电容（V CB = -10VDC ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的）
输入阻抗（V EB = -2.0Vdc ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的）
fT
科博
CIBO
200
-
-
-
8.0
30
兆赫
pF
pF
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
＆ LT ;
＆ LT ;
注： 2.脉冲测试：脉冲宽度- 300μS ，占空比- 2.0 ％
3. f
T
被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一
（ V CC = -6.0Vdc ， IC = -150mAdc ，我B1 = I B2 = -15mAdc ）
（ V CC = -30Vdc ， I C = -150mAdc ，我B1 = -15mAdc ）
吨
td
tr
花花公子
ts
tf
-
-
-
-
-
-
45
10
40
100
80
30
ns
ns
RECTRON
额定值和特性曲线（ MMBT2907LT1 ）
3.0
h
FE
归一化电流增益
2.0
VCE = -1.0V
VCE = -10V
TJ = 125
O
C
25
O
C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
-0.1
-55
O
C
-0.2 -0.3
-0.5 -0.7
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0 -7.0
-10
-20
-30
-50 -70
-100
-200
-300
-500
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - EMITTERVOLTAGE （伏）
±1.0
±0.8
±0.6
±0.4
±0.2
0
-0.005
IC ，集电极电流（毫安）
IC = - 1.0毫安
- 10毫安
- 100毫安
- 500毫安
-0.01
-0.02 -0.03 -0.05 -0.07 -0.1
-0.2
-0.3
-0.5 -0.7
-1.0
-2.0
-3.0
-5.0 -7.0
-10
-20
-30
-50
IB ，基极电流（毫安）
图2.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
2.0 V
-200 -300
-500
TD @ VBE （关闭） = 0V
tr
500
VCC=-30V
IC/IB=10
TJ=25
O
C
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
-5.0 -7.0 -10
t's=t's-1/8tf
tf
VCC=-30V
IC/IB=10
IB1=IB2
TJ=25
O
C
T， TIME （ NS ）
-20 -30
-50 -70 -100
-200 -300
-500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图3.打开 - 打开时间
图4.打开 - 关闭时间
RECTRON
额定值和特性曲线（ MMBT2907LT1 ）
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
IC = - 1.0毫安，R
S
=430
- 500
A
, R
S
=560
- 50
A
, R
S
=2.7k
- 100
A
, R
S
=1.6k
R
S
=最佳源电阻
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
4.0
2.0
0
50
IC = - 50μA
- 100
A
- 500
A
- 1.0毫安
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50 100
尺，电流± 增益带宽积（兆赫）
100 200
500 1.0k 2.0k
5.0k 10k
20k
50k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图5.Frequency影响
30
20
C，电容（pF ）
CEB
图6.Source性的影响
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
-0.1
建行
100
80
60
40
30
20
-1.0 -2.0
VCE = -20V
TJ = 25
O
C
-0.2 -0.3 -0.5
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0
-10
-20 -30
-5.0
-10
-20
-50 -100 -200
-500 -1000
反向电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图7.Capacitances
-1.0
TJ = 25
O
C
V，电压（V ）
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20
-50 -100 -200 -500
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE （ ON） @ VCE = -10V
+0.5
0
系数（MV / 5C ）
±0.5
±1.0
±1.5
±2.0
图8.Currunt增益带宽积
R
ΔVC
对VCE （SAT）
R
， VB
为VBE
±2.5
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50 -100 -200 -500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图9."On"电压
图10.Temperature系数
RECTRON
MMBT2907ALT1
通用
Transisters
PNP硅
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
2907A
60
60
5.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1
3
记号
图
热特性
特征
器件总功耗
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （注2 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
最大
单位
2
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
类型6
2F M
2F
M
=器件代码
=月守则
订购信息
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
设备
MMBT2907ALT1
MMBT2907ALT1G
MMBT2907ALT3
MMBT2907ALT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年12月 - 第4版
出版订单号：
MMBT2907ALT1/D
MMBT2907ALT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（注3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= -30伏直流，V
EB （O FF ）
= -0.5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -50伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= -50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
基地截止电流
(V
CE
= -30伏直流，V
EB （O FF ）
= -0.5 V直流）
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -0.1 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -1.0 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -10 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -150 MADC ，V
CE
= -10伏直流）
(I
C
= -500 MADC ，V
CE
= -10伏） （注3）
集电极发射极饱和电压（注3 ）
(I
C
= -150 MADC ，我
B
= -15 MADC ） （注3 ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
基地发射极饱和电压（注3）
(I
C
= -150 MADC ，我
B
= -15 MADC ）
(I
C
= -500 MADC ，我
B
= -50 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注3,4）
(I
C
= -50 MADC ，V
CE
= -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= -10伏直流，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= -2.0伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
(V
CC
= -6.0伏，我
C
= -150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= -15 MADC ）
(V
CC
= -30伏直流，我
C
= -150 MADC ，
I
B1
= -15 MADC ）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
45
10
40
100
80
30
ns
f
T
200
C
敖包
C
IBO
30
8.0
pF
兆赫
h
FE
75
100
100
100
50
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
1.3
2.6
0.4
1.6
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
60
V
（ BR ） CBO
60
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CEX
I
CBO
I
BL
50
0.010
10
NADC
50
MADC
NADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBT2907ALT1
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
16 V
200纳秒
50
1.0 k
30 V
200
输入
Z
o
= 50
W
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
30 V
200纳秒
+15 V
6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
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3
MMBT2907ALT1
典型特征
3.0
的hFE ，标准化的电流增益
2.0
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
55
°C
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
200 300
500
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.8
I
C
= -1.0毫安
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
0.6
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1
0.2
0.3 0.5 0.7 1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流
t
r
500
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
t
f
100
70
50
30
20
2.0 V
200 300 500
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
t′
s
= t
s
1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
20 30
50 70 100
200 300 500
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
http://onsemi.com
4
MMBT2907ALT1
典型的小信号特性
噪声系数
V
CE
= 10 VDC ，T
A
= 25°C
10
8.0
I
C
= -1.0毫安，R
s
= 430
W
500
毫安，
R
s
= 560
W
50
毫安，
R
s
= 2.7千瓦
100
毫安，
R
s
= 1.6千瓦
R
s
=最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
= 1.0毫安
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
R
s
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
C
eb
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
C
cb
100
80
60
40
30
20
1.0 2.0
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
F T ，电流增益
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
1.0
T
J
= 25°C
系数（MV /
°
C)
0.8
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
2.5
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
R
QVB
对于V
BE
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
0.6
0.4
0.2
0
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100 200
500
5.0 10 20
50 100 200 500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
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