PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A - 60 V PNP通用晶体管
2013年7月
PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A
60 V PNP通用晶体管
特点
高直流电流增益（ HFE）范围： 100 - 300
描述
该PN2907A ， MMBT2907A和PZT2907A 60 V
设计用作一个gen- -pnp双极晶体管
高电流增益带宽积（F
T
):
全部擦除目的的放大器或开关中的应用程序
200兆赫（最低）。
需要高达500毫安。在提供一个超小河畔
表面安装封装（ SOT- 223 ） ，该PZT2907A是
最大开启时间（T
on
） ： 45纳秒
非常适用于空间受限的系统。 NPN管的COM
最大关闭时间（T
关闭
） ：100纳秒
互补的类型是PN2222A ， MMBT2222A ，并
超小型表面贴装封装形式： SOT- 223 （ PZT2907A ） PZT2222A ;分别。
应用
通用放大器
=开关
PN2907A
MMBT2907A
PZT2907A
订购信息
产品型号
PN2907ABU
PN2907ATF
PN2907ATAR
PN2907ATA
PN2907ATFR
MMBT2907A_D87Z
MMBT2907A
PZT2907A
顶标
2907A
2907A
2907A
2907A
2907A
2F
2F
2907A
包
的TO- 92 3升
的TO- 92 3升
的TO- 92 3升
的TO- 92 3升
的TO- 92 3升
SOT- 23 3L
SOT- 23 3L
SOT- 223 4L
包装方法
体积
磁带和卷轴
弹药
弹药
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
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PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A版本1.1.1
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PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A - 60 V PNP通用晶体管
绝对最大额定值
(1)
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
STG(2)
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
工作和存储结温范围
评级
-60
-60
-5.0
-800
-55到+ 150
单位
V
V
V
mA
°C
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
这些评级是基于150的最高结温
°C.
这些都是稳定状态的限制。飞兆半导体应在涉及脉冲应用咨询
或低占空比操作。
2.所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP型晶体管。
热特性
(3)
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
注意：
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
马克斯。
PN2897A
625
5.0
83.3
200
357
125
MMBT2907A
350
2.8
PZT2907A
1000
8.0
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
3. PCB尺寸FR- 4 76× 114 X 0.6T毫米
3
（ 3.0英寸× 4.5英寸× 0.062英寸），最小尺寸的焊盘布局。
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电气特性
(4)
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
开关特性
参数
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
μA,
I
E
= 0
I
E
= 10
μA,
I
C
= 0
V
CB
= 30 V, V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 30 V, V
BE
= 0.5 V
V
CE
= 50 V，I
E
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0,
T
A
=150°C
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10 V
分钟。
-60
-60
-5.0
马克斯。
单位
V
V
V
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
(5)
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
I
B
I
CEX
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
底座截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
-50
-50
-0.02
-20
nA
nA
μA
μA
基本特征
-75
-100
-100
-100
-50
-0.4
-1.6
-1.3
-2.6
V
V
V
V
-300
I
DSS
直流电流增益
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
(5)
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10 V
(5)
I
C
= 150毫安， V
CE
= 15 V
I
C
= 500毫安， V
CE
= 50 V
I
C
= 150毫安， V
CE
= 15 V
(5)
I
C
= 500毫安， V
CE
= 50 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
EB
= 2.0 V，I
C
= 0,
F = 100千赫
I
DSS
I
DSS
集电极 - 发射极饱和电压
(5)
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
200
-8.0
-30
兆赫
pF
pF
开关特性
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
注意事项：
4.所有的电压（ V）和电流（A ）是负的极性PNP晶体管。
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μs,
占空比
≤
2.0%
开启时间
延迟
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 32 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安
V
CC
= 6.0 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
-45
-10
-40
-100
-80
-30
ns
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典型性能特性
图1 。
典型的脉冲电流增益
与
集电极电流
图2中。
集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图3.基射极饱和电压与
集电极电流
图4.基极发射极ON电压与集电极
当前
图5.集电极截止电流与环境
温度
图6.输入和输出电容与反向
偏压
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典型性能特性
（续）
图7.开关时间与集电极电流
图8.导通和关断时间与收藏家
当前
图9.上升时间与收藏家和开通相应的
电流
图10.功耗与环境
温度
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