乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
1
BASE
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
2
辐射源
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ， MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
V
（ BR ） CBO
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
VDC
VDC
NADC
μAdc
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= -30Vdc ，我
BE （OFF）的
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0, T
A
=125°C )
MMBT2907
MMBT2907A
I
CEX
I
CBO
基本电流（ V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
I
B
—
O8–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
典型特征
3.0
MMBT2907ALT1
h
FE
归一化电流增益
2.0
V
CE
= –1.0 V
V
CE
= –10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
–55°C
0.3
0.2
–0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
–70 –100
–200
–300
–500
I
C
，收藏家CURREN （毫安）
图3.直流电流增益
–1.0
V
CE
，集电极 - 发射
电压（伏）
–0.8
I
C
= -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
I
B
，基极电流（毫安）
图4.集电极饱和区
300
200
100
300
V
CC
= –30 V
t
r
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
200
100
V
CC
= –30 V
I
C
/I
B
= 10
t
f
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
70
50
30
20
70
50
30
20
10
7.0
t ’
s
= t
s
– 1/8 t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0 V
5.0
3.0
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
I
C
，集电极电流
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
O8–3/4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBT2907LT1 / D
通用晶体管
PNP硅
1
BASE
集热器
3
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
2907
–40
–60
–5.0
–600
2
辐射源
1
3
2907A
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
CASE 318 - 08 ，类型6
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
PD
556
300
2.4
R
q
JA
TJ ， TSTG
417
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ; MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = -30伏直流， VBE （关闭） = -0.5 V直流）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ）
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
IB
V（ BR ） CEO
MMBT2907
MMBT2907A
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICEX
ICBO
—
—
—
—
—
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
–50
VDC
VDC
NADC
μAdc
VDC
（ VCB = -50伏直流， IE = 0 ， TA = 125°C ）
基本电流（ VCE = -30伏直流， VEB （关闭） = -0.5 V直流）
1， FR- 5 = 1.0
0.75 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4 0.3 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
v
v
热复合是贝格斯公司的一个注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -0.1 MADC ， VCE = -10伏直流）
的hFE
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
MMBT2907
MMBT2907A
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
–1.3
–2.6
–0.4
–1.6
VDC
35
75
50
100
75
100
—
100
30
50
—
—
—
—
—
—
—
300
—
—
VDC
—
（ IC = -1.0 MADC ， VCE = -10伏直流）
（ IC = -10 MADC ， VCE = -10伏直流）
（IC = -150 MADC ， VCE = -10伏）（3）
（IC = -500 MADC ， VCE = -10伏）（3）
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压（ 3 ）
（ IC = -150 MADC ， IB = -15 MADC ）
（ IC = -500 MADC ， IB = -50 MADC ）
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 3 ） ， （ 4 ）
（ IC = -50 MADC ， VCE = -20伏直流， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = -2.0伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
200
科博
—
CIBO
—
30
8.0
pF
—
pF
兆赫
开关特性
开启时间
延迟时间
上升时间
关断时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = -6.0伏， IC = -150 MADC ，
IB1 = IB2 = -15 MADC ）
（ VCC = -30伏直流， IC = -150 MADC ，
IB1 = -15 MADC ）
吨
td
tr
花花公子
ts
tf
—
—
—
—
—
—
45
10
40
100
80
30
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
4. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–16 V
200纳秒
50
1.0 k
输入
ZO = 50
PRF = 150 PPS
上升时间
≤
2.0纳秒
P.W. < 200纳秒
0
–30 V
200纳秒
v
v
–30 V
200
+15 V
–6.0 V
37
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1.0 k
1.0 k
50
到示波器
上升时间
≤
5.0纳秒
1N916
图1.延迟和上升时间测试电路
图2.存储和下降时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
典型特征
3.0
的hFE ，标准化的电流增益
2.0
VCE = -1.0 V
VCE = -10 V
TJ = 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
–0.1
– 55°C
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50 –70 –100
–200 –300
–500
IC ，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–1.0
–0.8
IC = -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005
–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.07 –0.1
–0.2
–0.3 –0.5 –0.7 –1.0
IB ，基极电流（毫安）
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50
图4.集电极饱和区
300
200
100
70
50
30
20
TD @ VBE （关闭） = 0 V
10
7.0
5.0
3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
IC ，集电极电流
tr
500
VCC = -30 V
IC / IB = 10
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
300
200
tf
100
70
50
30
20
2.0 V
–200 –300 –500
10
7.0
5.0
–5.0 –7.0 –10
T的TS = - 1/8 TF
VCC = -30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
IC ，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
典型的小信号特性
噪声系数
VCE = 10 VDC ， TA = 25°C
10
10
F = 1.0千赫
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
IC = -1.0毫安，卢比= 430
–500
A,
RS = 560
–50
A,
RS = 2.7千欧
–100
A,
RS = 1.6千欧
RS =最佳源电阻
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
6.0
6.0
4.0
4.0
IC = -50
A
–100
A
–500
A
= 1.0毫安
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
0
50
100
200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
男，频率（KHz ）
RS ，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
C，电容（pF ）
CEB
400
300
200
10
7.0
5.0
3.0
2.0
–0.1
建行
100
80
60
40
30
20
–1.0 –2.0
VCE = -20 V
TJ = 25°C
–0.2 –0.3 –0.5
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0
–10
–20 –30
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500 –1000
反向电压（伏）
IC ，集电极电流（毫安）
图9.的电容
图10.电流增益 - 带宽积
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
系数（MV /
°
C)
VBE （ ON） @ VCE = -10 V
+0.5
0
R
q
VC的VCE （SAT）
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–2.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0
R
q
VB的VBE
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20
–50 –100 –200
–500
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200 –500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11. “开”电压
图12.温度系数
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBT2907LT1 MMBT2907ALT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
威伦
通用晶体管
PNP硅
符合RoHS的产品包装代号后缀"G" ，
重量： 0.008克
无卤素产品的包装代号后缀"H" 。
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
集热器
SOT–23
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
BASE
2
辐射源
R
θJA
P
D
器件标识
MMBT2907LT1
= M2B ，
MMBT2907AL
T1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= -30Vdc ，我
BE （OFF）的
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
VDC
VDC
NADC
μAdc
MMBT2907
MMBT2907A
基本电流（ V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0, T
A
=125°C )
I
B
NADC
威伦
MMBT2907LT1
典型特征
3.0
MMBT2907ALT1
h
FE
归一化电流增益
2.0
V
CE
= –1.0 V
V
CE
= –10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
–55°C
0.3
0.2
–0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
–70 –100
–200
–300
–500
I
C
，收藏家CURREN （毫安）
图3.直流电流增益
–1.0
V
CE
，集电极 - 发射
–0.8
I
C
= -1.0毫安
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
电压（伏）
–0.6
–0.4
–0.2
0
–0.005–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
I
B
，基极电流（毫安）
图4.集电极饱和区
300
200
100
300
V
CC
= –30 V
t
r
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
200
100
V
CC
= –30 V
I
C
/I
B
= 10
t
f
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
70
50
30
20
70
50
30
20
10
7.0
t ’
s
= t
s
– 1/8 t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0 V
5.0
3.0
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
I
C
，集电极电流
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
1
BASE
MMBT2907LT1
MMBT2907ALT1
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
V
V
首席执行官
CBO
EBO
2
辐射源
价值
2907 2907A
–40
–60
–5.0
–600
–60
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
I
C
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局， （ 1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （2）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
器件标识
MMBT2907LT1 = M2B ， MMBT2907ALT1 = 2F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 3 ）
(I
C
= -10 MADC ，我
B
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
V
V
（ BR ） CBO
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
VDC
–40
–60
–60
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–50
–0.020
–0.010
–20
–10
–50
NADC
VDC
VDC
NADC
μAdc
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= –10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= –10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= -30Vdc ，我
BE （OFF）的
= -0.5Vdc ）
收藏家Cuto FF电流
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0)
MMBT2907
MMBT2907A
( V
CB
= -50Vdc ，我
E
= 0, T
A
=125°C )
MMBT2907
MMBT2907A
I
CEX
I
CBO
基本电流（ V
CE
= -30Vdc ，V
EB （O FF ）
= -0.5Vdc ）
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 ％ 。
I
B
—
O8–1/4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBT2907LT1
典型特征
3.0
MMBT2907ALT1
h
FE
归一化电流增益
2.0
V
CE
= –1.0 V
V
CE
= –10 V
T
J
= 125°C
25°C
1.0
0.7
0.5
–55°C
0.3
0.2
–0.1
–0.2
–0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0
–3.0
–5.0 –7.0
–10
–20
–30
–50
–70 –100
–200
–300
–500
I
C
，收藏家CURREN （毫安）
图3.直流电流增益
–1.0
V
CE
，集电极 - 发射
电压（伏）
–0.8
I
C
= -1.0毫安
–0.6
= 10毫安
-100毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
0
–0.005–0.01
–0.02 –0.03 –0.05 –0.7 –0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20
–30
–50
I
B
，基极电流（毫安）
图4.集电极饱和区
300
200
100
300
V
CC
= –30 V
t
r
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
200
100
V
CC
= –30 V
I
C
/I
B
= 10
t
f
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
T， TIME （ NS ）
70
50
30
20
70
50
30
20
10
7.0
t ’
s
= t
s
– 1/8 t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0 V
10
7.0
5.0
3.0
2.0 V
5.0
3.0
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
–5.0–7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200 –300 –500
I
C
，集电极电流
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.开启时间
图6.开启，关闭时间
O8–3/4
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
MMBT2907ALT1
PNP外延平面晶体管
描述
该
MMBT2907ALT1
是专为通用放大器和高
- 速度切换，中功率开关应用。
特点
低集电极饱和电压。
高速开关。
对于配套使用采用NPN型HMBT2222A 。
绝对最大额定值
最高温度
存储Temperature............................................................................................... -55 + 150°C
连接点Temperature......................................................................................................+150°C
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 250毫瓦
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 60 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEX
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
COB
分钟。
60
60
5
-
-
-
-
-
-
75
100
100
100
50
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.2
0.5
-
-
-
-
-
180
-
-
-
马克斯。
-
-
-
10
50
0.4
1.6
1.3
2.6
-
-
-
300
-
-
8
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC=10uA
IC=10mA
IC=10uA
VCB=50V
VCE = 30V ， VBE = 0.5V
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
IC = 150毫安， IB = 15毫安
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE = 10V ， IC = 100uA的
VCE = 10V ， IC = 1毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安
VCE = 10V ， IC = 150毫安
VCE = 10V ， IC = 500毫安
VCB = 20V ， IC = 50mA时F = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
兆赫
pF
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
特性曲线
电流增益&集电极电流
1000
10000
饱和电压&集电极电流
饱和电压（MV ）
1000
V
BE （ SAT ）
@ I
C
=10I
B
的hFE
100
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
=10I
B
10
0.1
1
10
100
1000
10
0.1
1
10
100
1000
集电极电流（毫安）
集电极电流（毫安）
电容&反向偏置电压
100
1000
截止频率&集电极电流
截止频率（MHz ）
电容（pF）
V
CE
=20V
100
COB
10
1
0.1
1
10
100
10
1
10
100
反向偏置电压（V ）
集电极电流（毫安）
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
SOT- 23外形尺寸
标记：
L
A
3
B
1
2
S
M2B
V
G
3引脚SOT- 23塑料
表面贴装封装
C
D
K
类型：Pin 1.Base 2.Emitter 3.Collector
* ：典型
H
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
英寸
分钟。
马克斯。
0.1102
0.118
0.0550 0.0630
0.0354 0.0512
0.0118 0.0197
0.0669 0.0910
-
0.0040
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
2.80
3.00
1.40
1.60
0.90
1.30
0.30
0.50
1.70
2.30
-
0.10
暗淡
J
K
L
S
V
英寸
分钟。
马克斯。
0.0035 0.0043
0.0128 0.0266
0.0335 0.0453
0.0886 0.1083
0.0098 0.0256
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
0.09
0.11
0.32
0.67
0.85
1.15
2.25
2.75
0.25
0.65
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
QQ：2880707522 复制
