MMBT2222 / MMBT2222A
MMBT2222 / MMBT2222A
NPN
版本2006-05-15
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
表面贴装硅外延平面开关晶体管
硅外延平面Schalttransistoren献给死去Oberflchenmontage
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
TYPE
CODE
1
1.9
2
2.5最大
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBT2222
30 V
60 V
5V
250毫瓦
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBT2222A
40 V
75 V
6V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
0.1毫安，
1毫安，
10毫安，
150毫安，
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
10
10
10
10
V
V
V
V
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
35
50
75
100
30
40
50
75
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
300
–
–
300
375
8 k
1.25 k
35 S
200 S
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
2
)
H-参数为/贝V
CE
= 10 V ， F = 1 kHz时，我
C
= 1毫安/ 10毫安
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstrkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
2 k
0.25 k
5 S
25 S
特性（T
j
= 25°C)
1
2
Kennwerte （T
j
= 25°C)
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
MMBT2222 / MMBT2222A
分钟。
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
V
BESAT
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
EB0
f
T
C
CBO
C
EBO
MMBT2222A
F
t
d
t
r
t
s
t
f
R
THA
–
–
–
–
–
0.65 V
–
–
–
–
–
–
–
250兆赫
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–-
–
–
–
–
–
–
–
–
< 420 K / W
1
)
MMBT2709 / MMBT2709A
MMBT2222 = 1B
MMBT2222A = M1P
0.4 V
0.3 V
1.6 V
1.0 V
1.3 V
1.2 V
2.6 V
2.0 V
10 nA的
10 nA的
10 A
10 A
100 nA的
–
8 pF的
25 pF的
4分贝
10纳秒
25纳秒
225纳秒
60纳秒
典型值。
马克斯。
基射极饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 50 V ， （E打开）
V
CB
= 60 V ， （E打开）
V
CB
= 50 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
V
CB
= 60 V ，T
j
= 125°C ， （E打开）
V
EB
= 3 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 20 V，I
C
= 20 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
V
CE
= 10 V，I
C
= 100 A ，R
G
= 1千欧中，f = 1千赫
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
开关时间 - Schaltzeiten （10％和90％之间）
V
CC
= 3 V, V
BE
= 0.5 V
I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 3 V，I
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
2
1
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
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