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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2437页 > MMBT2222LT1/D
ON Semiconductort
通用晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
2222
30
60
5.0
600
2222A
40
75
6.0
单位
VDC
MMBT2222LT1
MMBT2222ALT1*
·安森美半导体首选设备
3
VDC
VDC
MADC
1
2
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
CASE 318-08 ，风格6
SOT- 23 （ TO- 236 ）
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
符号
民
最大
单位
器件标识
MMBT2222LT1 = M1B ; MMBT2222ALT1 = 1P
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
集电极截止电流（V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 50伏直流，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 125°C)
发射极截止电流（V
EB
= 3.0伏，我
C
= 0)
底座截止电流（V
CE
= 60 VDC ，V
EB （O FF ）
= 3.0伏）
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222A
MMBT2222A
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
I
CBO
30
40
60
75
5.0
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
0.01
0.01
10
10
100
20
VDC
VDC
VDC
NADC
μAdc
I
EBO
I
BL
NADC
NADC
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年3月 - 第1版
出版订单号：
MMBT2222LT1/D
MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，T
A
= –55°C)
只
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10伏）（3）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 1.0伏）（3）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10伏）（3）
集电极 - 发射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
h
FE
35
50
75
35
100
50
30
40
V
CE （ SAT ）
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
V
BE （ SAT ）
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
—
0.6
—
—
1.3
1.2
2.6
2.0
—
—
—
—
0.4
0.3
1.6
1.0
VDC
—
—
—
—
300
—
—
—
VDC
—
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
基射极饱和电压（ 3 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
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2
MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 4 ）
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
集电极基时间常数
(I
E
= 20 MADC ，V
CB
= 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 10伏，R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫）
MMBT2222
MMBT2222A
h
ie
MMBT2222A
MMBT2222A
h
re
MMBT2222A
MMBT2222A
h
fe
MMBT2222A
MMBT2222A
h
oe
MMBT2222A
MMBT2222A
RB ，C
c
MMBT2222A
NF
MMBT2222A
—
4.0
—
150
dB
5.0
25
35
200
ps
50
75
300
375
毫姆欧
—
—
8.0
4.0
—
2.0
0.25
8.0
1.25
X 10
–4
f
T
MMBT2222
MMBT2222A
C
敖包
—
C
IBO
—
—
30
25
k
8.0
pF
250
300
—
—
pF
兆赫
开关特性（ MMBT2222A只）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电，V
BE （OFF）的
= -0.5伏，
0.5
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
—
—
—
—
10
25
225
60
ns
ns
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
4. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
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3
MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
-2 V
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1 k
200
+16 V
0
＆ LT ; 2纳秒
C
S
* < 10 pF的
1.0-100
s,
占空比
≈
2.0%
1k
1N914
+30 V
200
-14 V
< 20纳秒
C
S
* < 10 pF的
-4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
图4.集电极饱和区
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4
MMBT2222LT1 MMBT2222ALT1
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
t′
s
= t
s
- 1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
f
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
300
500
图5.开启时间
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
500
A,
R
S
= 200
100
A,
R
S
= 2.0 k
50
A,
R
S
= 4.0 k
10
图6.开启，关闭时间
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
F = 1.0千赫
8.0
6.0
4.0
2.0
0
50
I
C
= 50
A
100
A
500
A
1.0毫安
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
30
20
电容（pF）
C
eb
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
C
cb
300
200
100
70
50
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
20 30
50
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
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MX29LV800CT
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    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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