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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1933页 > MMBT2222AWT1G
MMBT2222AWT1
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC-70封装哪
是专为低功耗表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
集热器
3
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
75
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
1
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
T
A
= 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
55
+150
单位
mW
° C / W
°C
2
SC70
CASE 419
方式3
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1
P1 M
G
G
P1 =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MMBT2222AWT1G
包
航运
SC - 70 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
启5
1
出版订单号：
MMBT2222AWT1/D
MMBT2222AWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注1 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
基本特征
（注1 ）
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
小
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
=
0.5伏，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
10
25
225
60
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
300
0.25
75
25
8.0
30
1.25
4.0
375
200
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
H
FE
35
50
75
100
40
0.6
300
0.3
1.0
1.2
2.0
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
75
6.0
20
10
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
ns
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
http://onsemi.com
2
MMBT2222AWT1
切换时间等效测试电路
+ 30 V
+16 V
0
-2 V
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1 KW
＆ LT ; 2纳秒
200
+16 V
0
C
S
* < 10 pF的
-14 V
< 20纳秒
1k
1N914
C
S
* < 10 pF的
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
+ 30 V
200
-4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
T
J
= 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
-55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
0.6
I
C
= 1.0毫安
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
50
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
0
0.005
图4.集电极饱和区
http://onsemi.com
3
MMBT2222AWT1
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
300
500
t′
s
= t
s
- 1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
f
图5.打开
ΔON
时间
图6.打开
= OFF
时间
10
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
W
500
毫安，
R
S
= 200
W
100
毫安，
R
S
= 2.0千瓦
50
毫安，
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
0
50
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
C
eb
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
0.1
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
300
200
100
70
50
1.0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
http://onsemi.com
4
MMBT2222AWT1
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
，基极 - 发射
饱和电压（ V）
150°C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
150°C
55°C
25°C
I
C
/I
B
= 10
0.1
55°C
25°C
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图11.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE（上）
，基极发射极电压（V）的
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1
150°C
25°C
55°C
系数（MV /
°
C)
V
CE
= 1 V
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
+0.5
图12.基极发射极饱和电压与
集电极电流
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
R
QVB
对于V
BE
0.1 0.2
0.5
I
C
，集电极电流（ A）
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图13.基极发射极电压与集电极
当前
10
图14.温度系数
10毫秒
1
热限制
IC （ A）
0.1
100毫秒
1s
1毫秒
0.01
单脉冲试验
@ T
A
= 25°C
0.01
0.1
1
V
CE
（ VDC）的
10
100
0.001
图15.安全工作区
http://onsemi.com
5
MMBT2222AWT1
首选设备
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC-70封装哪
是专为低功耗表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
集热器
3
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
40
75
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
1
2
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
T
A
= 25°C
热阻，结到环境
结温和存储温度
SC70
CASE 419
方式3
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
标记图
P1 M
G
G
1
P1 =具体设备守则
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MMBT2222AWT1
MMBT2222AWT1G
包
SC70
航运
3000 /磁带&卷轴
SC70
3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号：
MMBT2222AWT1/D
MMBT2222AWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
基本特征
（注1 ）
直流电流增益（注1 ）
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集电极发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
基地发射极饱和电压（注1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
小-Signal电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= - 0.5伏直流电，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
10
25
225
ns
60
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
300
0.25
75
25
8.0
30
1.25
4.0
375
200
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
H
FE
35
50
75
100
40
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.6
1.2
2.0
0.3
1.0
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
75
6.0
20
10
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
http://onsemi.com
2
MMBT2222AWT1
切换时间等效测试电路
+30 V
+16 V
0
2 V
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1 KW
200
+16 V
0
＆ LT ; 2纳秒
C
S
* < 10 pF的
14 V
< 20纳秒
1.0-100
女士，
占空比
≈
2.0%
1k
1N914
+30 V
200
C
S
* < 10 pF的
4 V
范围上升时间< 4纳秒
*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。
图1.开启时间
图2.开启，关闭时间
1000
700
500
的hFE ， DC电流增益
300
200
T
J
= 125°C
25°C
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
3.0
55°C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500 700 1.0 k
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 1.0毫安
0.6
10毫安
150毫安
500毫安
0.4
0.2
0
0.005
50
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
2.0
3.0
5.0
10
20
30
图4.集电极饱和区
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3
MMBT2222AWT1
200
100
70
50
T， TIME （ NS ）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
5.0 7.0
10
200 300
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
500
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 2.0 V
t
d
@ V
EB （O FF ）
= 0
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
t′
s
= t
s
1/8 t
f
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
t
f
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
300
500
图5.开启-On时间
图6.打开-Off时间
10
8.0
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
W
500
毫安，
R
S
= 200
W
100
毫安，
R
S
= 2.0千瓦
50
毫安，
R
S
= 4.0千瓦
R
S
=优化
R
S
=
来源
R
S
=
阻力
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 50
mA
100
mA
500
mA
1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
6.0
4.0
4.0
2.0
0
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
2.0
0
50
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50 100
100 200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图7.频率的影响
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
图8.源电阻的影响
30
20
电容（pF）
C
eb
10
7.0
5.0
C
cb
3.0
2.0
500
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
300
200
100
70
50
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
I
C
，集电极电流（毫安）
50
70 100
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向电压（伏）
20 30
50
图9.的电容
图10.电流增益带宽积
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4
MMBT2222AWT1
1.0
T
J
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
0.4
系数（MV /
°
C)
V，电压（V ）
1.0 V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1 0.2
50 100 200
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
C
，集电极电流（毫安）
500 1.0 k
2.5
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
R
QVB
对于V
BE
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
+0.5
0.2
图11. “开”电压
图12.温度系数
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5
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