分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
数据表
MMBT2222AW
NPN通用开关晶体管
电压
特点
NPN硅外延，平面设计
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
40伏
动力
150毫瓦
SOT-323
单位：英寸（毫米）
集电极电流Ic = 600毫安
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 98.5 ％以上的Sn
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
机械数据
案例： SOT- 323 ，塑料
码头：每MIL -STD- 202方法208
约。重量： 0.0052克
标记： M2A
顶视图
3
集热器
1
BASE
3
集热器
.016(.40)
.078(.20)
.004(.10)MAX.
1
BASE
2
辐射源
2
辐射源
绝对额定值
PA R A M E TE
OL CT R- ê米之rVolage
1。·
e
te
t
OL CT R-B酶Volage
1。·
e
t
ê米是R-B酶Volage
te
t
OL CT RC urent -C ontnuous
1。·
e
r
i
S YM BOL
V
EO
V
BO
V
EBO
I
C
瓦尔ê
u
40
75
6.
0
600
ü NIS
t
V
V
V
mA
热特性
参数
最大功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
结温
储存温度
符号
P
合计
Rθ
JA
T
J
TI
英镑
价值
150
833
-55到150
-55到150
单位
mW
O
.044(1.1)
.035(0.9)
.087(2.2)
.078(2.0)
集电极 - 发射极电压VCE = 40V
.004(.10)MIN.
C / W
O
C
C
O
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 1
电气特性
P一R A M E TE
C 0乐克拉的R - 再一个KD的V olage ê MITR B
1。·
te
t
C 0乐克拉的R - 再一个KD B中的SE B○ W N V 0 1 A G é
1。·
t
ê米I T的R - B中的SE再一个KD W N V 0 1 A G式B
te
t
B一个本身 UT F c的urre新台币
华氏度
S YM B○升
V
（ B R ）
权证
V
（ B R ）
C B
V
（ B R ）
E B
I
L
B
C
I
EX
德圣C 0次我I N
to
I = 1 。米A，I = 0
C
0
B
I = 1 0微安， I = 0时
C
E
I = 1 0微安， I = 0时
E
C
V
权证
=60V , V
E B
=3. V
0
V
权证
=60V , V
E B
=3. V
0
V
权证
= 60V ， I = 0时，
E
V
权证
= 6 0 V，I = 0，
J
= 1 2 5
O
C
E
T
V
E B
= 3 。 V，I = 0，
0
C
I = 0 。米A，V
权证
=10V
C
1
I = 1 。米A，V
权证
=10V
C
0
I = 10米A，V
权证
=10V
C
C
T
I = 1 0米A，V
权证
= 1 0 V ,
J
= 1 2 5
O
C
I = 1 5 0米A，V
权证
= 1 0 V （N 吨2 ）
C
e
I = 1 5 0米A，V
权证
= 1 V （N 吨2 ）
C
e
I = 5 0 0米A，V
权证
= 1 0 V （N 吨2 ）
C
e
I = 150米A，I = 15米一
C
B
I = 5亿， I = 50米一
C
B
I = 150米A，I = 15米一
C
B
I = 5亿， I = 50米一
C
B
V
C B
= 10V ， I = 0 ，女1M ^ h
E
=
V
C B
= 0 。 V，I = 0 ，女1M ^ h
5
C
=
V
C C
= 3 V ,
Bé
= -5 V ,
V
I = 150米A，
B
= 15米一
C
I
V
C C
= 3 V ,
Bé
= -5 V ,
V
I = 150米A，
B
= 15米一
C
I
V
C C
=30V ,
C
= 150米一
I
I 1 = I 2 = 15米一
B
B
V
C C
=30V ,
C
= 150米一
I
I 1 = I 2 = 15米一
B
B
宓。
N
40
75
6.
0
-
-
-
-
35
50
75
35
100
50
40
-
0.
6
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
M AX 。
-
-
-
20
10
10
10
100
-
-
-
-
300
-
-
0.
3
1.
0
1.
2
2.
0
8.
0
25
10
25
225
60
ü妮s
t
V
V
V
nA
nA
nA
uA
nA
C 0勒CT R C UT F c的urre新台币
1。·
华氏度
I
BO
C
ê米I T R C UT F c的urre新台币
te
华氏度
I
BO
E
C C urre NT克我
n
h
F ê
-
C 0乐克拉的R - 在RA吨V olage ê MITR S
1。·
te
U I
t
（N 吨2 ）
e
B中的SE - é米I T R 5一吨ラ吨0：N V 0 1 A G é
te
U I
t
（N 吨2 ）
e
C 0乐克拉的R - B中的SE C时P一个词一个NCE
1。·
t
ê米I T的R - B中的SE C时P一个词一个NCE
te
t
D E升钛ê
a
m
R I ê ê钛
s
m
S T RA克é é钛
o
m
F A l的Ti é
L M
V
权证（ S A T）
V
B E（ S A T）
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
ns
ns
ns
ns
注2 ：脉冲测试：脉冲宽度< 300我们，占空比< 2.0 ％ 。
切换时间等效测试电路
+30V
+30V
+16V
0
-2V
< 2ns的
1.0 100us的
占空比= 2.0 ％
200
+16V
0
1.0 100us的
占空比= 2.0 ％
200
1K
C
S
* < 10pF的
-14V
＆ LT ;为20ns
1K
1N914
-4V
C
S
* < 10pF的
范围上升时间为4ns <
图。 1 。
开启时间
*测试夹具的总并联电容，连接器和示波器
图。 2 。
打开-O FF时间
STAD-JUL.06.2004
PAGE 。 2
贴装焊盘布局
SOT-323
单位：英寸（毫米）
0.035(0.9)
0.025(0.65)
0.028(0.7)
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷3.0K
法律声明
重要通知
该信息旨在产物，以促进顾客的评价，以明确地表征
该设备在应用程序。这些信息将帮助客户的技术专家确定该设备是
兼容和互换与其他供应商提出了类似的设备。本数据表中的信息被认为
是可靠的和准确的。此处的规格和信息如有变更，恕不另行通知。新产品
并改进产品和产品特性都在不断进行中。因此，工厂应
咨询的最新信息，并没有描述或规定的任何特别的特点。
版权所有潘日新国际公司2003
版权所有。严禁复制全部或部分未经著作权人事先书面同意
所有者。
本文档中提供的信息不构成任何报价或合同的一部分。提供的信息
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发布者use.Publication的任何后果本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
STAD-JUL.06.2004
0.075(1.9)
PAGE 。 4
MMBT2222W / MMBT2222AW
NPN硅外延平面中功率晶体管
对于开关和放大器应用
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
60
30
5
600
200
150
-55到+150
价值
MMBT2222W
MMBT2222AW
75
40
6
V
V
V
mA
mW
O
单位
C
C
O
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 15/03/2006
MMBT2222W / MMBT2222AW
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在V
CE
= 10 V，I
C
- 0.1毫安
在V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
在V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
在V
CE
= 1 V，I
C
= 150毫安
在V
CE
= 10 V，I
C
= 150毫安
在V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
集电极 - 基极电压
在我
C
= 10 A
集电极 - 发射极电压
在我
C
= 10毫安
发射极电压
在我
E
= 10 A
集电极基截止电流
在V
CB
= 50 V
在V
CB
= 60 V
发射基地截止电流
在V
EB
= 3 V
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基极发射极饱和电压
在我
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
在我
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CBO
35
50
75
50
100
30
40
60
75
30
40
5
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
-
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
0.4
0.3
1.6
1
1.3
1.2
2.6
2
-
8
25
10
25
225
60
-
-
-
-
-
-
-
V
符号
分钟。
马克斯。
单位
V
首席执行官
V
V
EBO
V
I
CBO
I
EBO
nA
nA
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
MMBT2222W
MMBT2222AW
V
CE （ SAT ）
V
V
BE （ SAT ）
V
跃迁频率
在V
CE
= 20 V ， -I
E
= 20 mA时， F = 100 MHz的
集电极输出电容
在V
CB
= 10 V ， F = 100千赫
发射极输入电容
在V
EB
= 0.5 V ， F = 100千赫
延迟时间
在V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
上升时间
在V
CC
= 30 V, V
BE （OFF）的
= 0.5 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15毫安
贮存时间
在V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= -I
B2
= 15毫安
下降时间
在V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= -I
B2
= 15毫安
f
T
C
ob
C
ib
td
tr
TSTG
tf
兆赫
pF
pF
ns
ns
ns
ns
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 15/03/2006
MMBT2222W / MMBT2222AW
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 15/03/2006
MMBT2222W / MMBT2222AW
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 15/03/2006
MMBT2222AW
3
1
2
SOT-323(SC-70)
V
首席执行官
价值
150
833
TJ ， TSTG
-55到+ 150
MMBT2222AW=P1
(1)
u
1.脉冲测试：脉冲宽度
300US ，占空比
2.0%
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMBT2222AW
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
(1)
直流电流增益
（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 150mAdc ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 150 MADC ， IB = 15mAdc ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50mAdc ）
基射极饱和电压
（ IC = 150 MADC ， IB = 15mAdc ）
（ IC = 500 MADC ， IB = 50mAdc ）
VCE （ SAT ）
35
50
75
100
40
-
-
0.6
-
-
-
-
300
-
0.3
1.0
1.2
2.0
VDC
VDC
-
的hFE
VBE （ SAT ）
小信号特性
电流增益带宽积
（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100MHz时）
输出电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0MHz的）
输入阻抗
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电压留言反馈收音机
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
S商城-S ignal 光凭目前摹泉
（ I C = 10 MADC ，V权证= 10V DC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10V直流， F = -1.0kHz ）
集电极基时间常数
（ IE = 20 MADC ， VCB = 20伏， F = 31.8兆赫）
噪声系数
（ IC = 100 μAdc ， VCE = 10V直流， RS = 1.0kΩ ， F = 1.0kHz ）
fT
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
HRE
300
-
-
0.25
-
75
25
-
-
-
8.0
25
1.25
4.0
375
200
150
4.0
兆赫
pF
pF
k
x 10-4
-
μmhos
ps
dB
的hFE
HOE
RB ，抄送
NF
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMBT2222AW
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性（ MMBT2222A只）
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
（ VCC = 30 V直流， VBE = （关闭） = - 0.5VDC ，
IC = 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ）
（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，
IB1 = IB2 = 15 MADC ）
td
tr
ts
tf
-
-
-
-
10
25
225
60
ns
ns
3.Pulse测试：脉冲宽度
＆ LT ;
300微秒，占空比
＆ LT ;
2.0%.
=
=
4.fT被定义为Ihfe外推，以统一的频率。
典型特征
HFE-典型的脉冲电流增益
500
VCE=5V
400
300
200
25 C
100
-40 C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
IC-集电极电流（毫安）
100
300
125 C
V
CESAT
集电极 - 发射极电压（ V）
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
b=10
0.3
125 C
25 C
0.1
-40 C
1
10
100
500
0.2
IC-集电极电流（毫安）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
V
BESAT
基极 - 发射极电压（V）的
1
b=10
V
BE（上）
基极发射极电压（ V）
1
基射极电压ON VS
集电极电流
VCE=5V
0.8
-40 C
0.6
25 C
125 C
0.8
-40 C
25 C
0.6
125 C
0.4
0.4
1
10
100
500
0.2
0.1
1
10
25
IC-集电极电流（毫安）
IC-集电极电流（毫安）
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMBT2222AW
C0llector截止电流与
环境温度
I
CBO
集电极电流（ NA）
500
100
10
1
0.1
VCB=40V
20
f=1MHz
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
电容（pF）
16
12
8
4
COB
0.1
1
10
100
CTE
25
50
75
100
125
150
TA-环境温度（ ℃）
反向偏置电压（V）的
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
IB1=IB2=
320
Vcc=25V
240
160
80
吨
0
10
100
1000
花花公子
400
1c
10
IB1=IB2=
320
开关时间
VS集电极电流
1c
10
Vcc=25V
时间（纳秒）
时间（纳秒）
240
160
tr
80
0
tf
td
10
100
1000
ts
IC-集电极电流（毫安）
IC-集电极电流（毫安）
功耗与
环境温度
1
PD-功耗（ W）
0.75
0.5
SOT-23
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
温度（℃）
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