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MMBT2222ATT1

首选设备

通用晶体管

NPN硅

这些晶体管被设计为通用放大器

应用程序。它们都装在SOT -416 / SC- 75封装，

是专为低功耗表面贴装应用。

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集热器

最大额定值

= 25°C)

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

首席执行官

CBO

EBO

最大

6.0

600

单位

VDC

MADC

符号

θJA

, T

英镑

最大

150

833

-55

+150

单位

° C / W

°C

CASE 463

SOT416/SC75

风格1

BASE

辐射源

热特性

特征

器件总功耗（注1 ）

= 25°C

热阻，

结到环境

工作和存储结

温度范围

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小

推荐的足迹。

标记图

1P M

=具体设备守则

=日期代码

订购信息

设备

MMBT2222ATT1

包

SOT416

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年9月 - 第2版

出版订单号：

MMBT2222ATT1/D

MMBT2222ATT1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极发射极击穿电压

(1)

= 1.0 MADC ，我

= 0)

集电极基极击穿电压

= 10

MADC ，

= 0)

发射-Base击穿电压

= 10

MADC ，

= 0)

基地截止电流

= 60 VDC ，V

= 3.0伏）

收藏家Cuto FF电流

= 60 VDC ，V

= 3.0伏）

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CEX

6.0

—

VDC

NADC

基本特征

（注2 ）

直流电流增益

= 0.1 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 1.0 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 10 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 150 MADC ，V

= 10 VDC ）

= 500 MADC ，V

= 10 VDC ）

集电极发射极饱和电压

= 150 MADC ，我

= 15 MADC ）

= 500 MADC ，我

= 50 MADC ）

基地发射极饱和电压

= 150 MADC ，我

= 15 MADC ）

= 500 MADC ，我

= 50 MADC ）

100

CE （ SAT ）

—

BE （ SAT ）

0.6

—

1.2

2.0

0.3

1.0

VDC

—

VDC

—

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积

= 20 MADC ，V

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

= 10 VDC ，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

= 0.5伏，我

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

= 10 VDC ，我

= 10 MADC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

= 10 VDC ，我

= 10 MADC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

= 10 VDC ，我

= 10 MADC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

= 10 VDC ，我

= 10 MADC ， F = 1.0千赫）

噪声系数

= 10 VDC ，我

= 100

MADC ，

= 1.0千欧， F = 1.0千赫）

敖包

IBO

300

—

0.25

—

8.0

1.25

4.0

375

200

4.0

兆赫

千欧

X 10

—

毫姆欧

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

= 3.0伏，V

= - 0.5伏直流电，

= 150 MADC ，我

= 15 MADC ）

= 30伏直流电，我

= 150 MADC ，

= I

= 15 MADC ）

—

225

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2.0%.

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MMBT2222ATT1

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

2 V

1.0-100

占空比

≈

2.0%

1 k

＆ LT ; 2纳秒

200

+16 V

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

占空比

≈

2.0%

1N914

+30 V

200

* < 10 pF的

4 V

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

= 125°C

25°C

100

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

55°C

= 1.0 V

= 10 V

3.0

5.0 7.0 10

，集电极电流（毫安）

100

200

300

500 700 1.0 k

图3.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

= 25°C

0.8

= 1.0毫安

0.6

10毫安

150毫安

500毫安

0.4

0.2

0.005

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

图4.集电极饱和区

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MMBT2222ATT1

200

100

T， TIME （ NS ）

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

200 300

20 30

50 70 100

，集电极电流（毫安）

500

= 10

= 25°C

@ V

= 30 V

@ V

EB （O FF ）

= 2.0 V

@ V

EB （O FF ）

= 0

500

300

200

100

7.0

5.0

t′

= t

1/8 t

= 30 V

= 10

= I

= 25°C

T， TIME （ NS ）

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

，集电极电流（毫安）

200

300

500

图5.开启-On时间

图6.打开-Off时间

8.0

= 1.0毫安，R

= 150

500

= 200

100

= 2.0 k

= 4.0 k

=优化

来源

阻力

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

= 50

100

500

1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

2.0

0.5 1.0 2.0

5.0 10

50 100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

图8.源电阻的影响

电容（pF）

7.0

5.0

3.0

2.0

0.1

500

= 20 V

= 25°C

300

200

100

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

，集电极电流（毫安）

70 100

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

图9.的电容

图10.电流增益带宽积

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MMBT2222ATT1

1.0

= 25°C

0.8

BE （ SAT ）

@ I

= 10

0.6

BE（上）

@ V

= 10 V

0.4

系数（MV /

V，电压（V ）

1.0 V

0.5

1.0

1.5

2.0

CE （ SAT ）

@ I

= 10

0.1 0.2

50 100 200

0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

，集电极电流（毫安）

500 1.0 k

2.5

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10 20

50 100 200

，集电极电流（毫安）

500

QVB

对于V

QVC

对于V

CE （ SAT ）

+0.5

0.2

图11. “开”电压

图12.温度系数

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