MMBT2222ATT1
首选设备
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -416 / SC- 75封装，
是专为低功耗表面贴装应用。
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
40
75
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
符号
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
-55
+150
单位
mW
1
° C / W
°C
CASE 463
SOT416/SC75
风格1
2
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
器件总功耗（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻，
结到环境
工作和存储结
温度范围
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
标记图
1P M
1
1P
M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
MMBT2222ATT1
包
SOT416
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第2版
出版订单号：
MMBT2222ATT1/D
MMBT2222ATT1
通用晶体管
NPN硅
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -416 / SC- 75封装，
是专为低功耗表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
40
75
6.0
600
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
2
辐射源
CASE 463
SOT416/SC75
风格1
热特性
特征
器件总功耗（注1 ）
T
A
= 25°C
热阻，
结到环境
工作和存储结
温度范围
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
150
833
55
+150
单位
mW
° C / W
°C
1
1P
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
1P M
G
G
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板使用的最小
推荐的足迹。
订购信息
设备
包
航运
MMBT2222ATT1G SOT - 416 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月
第4版
1
出版订单号：
MMBT2222ATT1/D
MMBT2222ATT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注1 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
基地截止电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
电压反馈比例
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
小
“信号
电流增益
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫）
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
=
0.5伏，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
10
25
225
60
ns
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
300
0.25
75
25
8.0
30
1.25
4.0
375
200
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
H
FE
35
50
75
100
40
0.6
VDC
0.3
1.0
VDC
1.2
2.0
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
75
6.0
20
10
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
ns
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
http://onsemi.com
2
FM120-M
THRU
MMBT2222ATT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
NPN硅
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
这些
功率损耗，效率高。
对于通用放大器
低
晶体管的设计
应用程序。它们都装在
正向电压
其中包
高电流能力，低
采用SOT -523
下降。
是专为低功耗表面贴装应用。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
特点
高速开关。
超
宣布
平面芯片，金属
符合
We
硅外延
产品材质
硅结。
RoHS要求。
无铅零件符合环保标准
无铅封装可用
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
无卤素产品的包装代号后缀"H"
优化电路板空间。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-523
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0
信息
订购
额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
设备
马林
航运
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
MMBT2222ATT1
方法2026
3000 /磁带& Ree的升
1P
0.031 （ 0.8 ）典型值。
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
最大额定值
(T
A
= 25°C)
安装位置：任意
符号
等级
重量：的逼近0.011克
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
尺寸以英寸（毫米）
最大
40
单位
VDC
最大
集电极 - 基极电压
额定值及电气
V
CBO
75
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
发射极 - 基极电压
V
EBO
6.0
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
I
C
600
为
连续集电极电流 -
由20％的
容性负载，减免电流
热特性
评级
标识代码
特征
最大RMS电压
T
A
= 25°C
最大的经常峰值反向电压
器件总功耗（注1 ）
特征
VDC
VDC
MADC
标记图
1P M
G
G
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
符号
最大
单位
12
13
14
15
16
10
115
120
1
18
20
30
40
50
60
80
100
150
200
伏
V
RRM
150
P
mW
D
V
RMS
V
DC
14
21
28
35
最大直流阻断电压
热阻，
结到环境
最大正向平均整流电流
I
O
-55到+150
工作和存储结
T
J
, T
英镑
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
温度范围
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
R
qJA
833
20
30
° C / W
40
50
42
1P
M
60
G
°C
1.0
30
56
70
=具体设备守则
105
=日期代码
100
80
150
= Pb-Free包装
140
伏
200
伏
AMP
AMP
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储
特征
关闭
温度范围
典型结电容（注1 ）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
C
J
R
θJA
特征
T
J
TSTG
-55到+125
符号
40
120
民
最大
-55到+150
单位
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
集电极发射极击穿电压（注1 ）
V
（ BR ） CEO
40
VDC
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
伏
0.9
最大正向电压在1.0A DC
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
集电极基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
75
VDC
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
I
R
MAM
10
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
发射-Base击穿电压
V
（ BR ） EBO
6.0
VDC
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
基地截止电流
2-热阻结
VDC ）
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0
到环境
I
BL
I
CEX
20
100
NADC
NADC
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，V
EB
= 3.0伏）
2012-11
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
MMBT2222ATT1
FM1200-M
通用晶体管
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
基本特征
（注2 ）
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
直流电流增益
(I
C
低
MADC ，V
CE
= 10
安装才能申请
= 0.1
型材表面
VDC ）
(I
C
=
优化电路板
= 10 VDC ）
1.0 MADC ，V
CE
空间。
= 10 MADC ，V
CE
=
高英法fi效率。
(I
C
低功耗，
10 VDC ）
(I
C
高
MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
正向电压降。
= 150
电流能力，低
= 500
浪涌能力。
(I
C
高
MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
Guardring过电压保护。
集电极发射极饱和电压
(I
C
超
MADC ，我
B
= 15
切换。
= 150
快速
MADC ）
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
(I
C
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
基地发射极饱和
/228
MIL-STD-19500
电压
(I
C
=
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
(I
C
= 500 MADC ，我
B
= 50 MADC ）
无卤素产品的包装代号后缀"H"
小信号特性
机械数据
电流 - 获得
:
- 带宽积
阻燃
环氧UL94 -V0阻燃评分
(I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
案例：模压塑料， SOD- 123H
产量
端子：镀金端子，焊每MIL -STD- 750 ，
电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
方法2026
输入
电容
极性：由阴极频带指示
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
安装位置：任意
输入阻抗
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
CE
重量：的逼近0.011克
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
H
FE
SOD-123H
35
50
0.146(3.7)
75
0.130(3.3)
100
40
0.3
1.0
1.2
2.0
0.012 （ 0.3 ）典型值。
V
CE （ SAT ）
0.6
0.071(1.8)
0.056(1.4)
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
f
T
0.031 （ 0.8 ）典型值。
250
8.0
0.040(1.0)
0.024(0.6)
兆赫
pF
pF
kW
C
敖包
0.031 （ 0.8 ）典型值。
C
尺寸以英寸（毫米）
30
IBO
h
ie
0.25
1.25
电压反馈比例
h
4.0
X 10
4
最大额定值和电气特性
re
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
小-Signal电流增益
h
fe
75
375
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
对于容性负载，减免电流20 ％
输出导纳
h
oe
25
200
毫姆欧
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
噪声系数
NF
80
4.0
100
dB
150
20
30
40
50
60
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 100
MADC ，
R
S
= 1.0千欧， F = 1.0千赫）
伏
14
21
28
35
42
56
70
105
140
最大RMS电压
V
RMS
开关特性
伏
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
延迟
正向平均整流电流
最大
时间
I
(V
CC
= 3.0
O
VDC ，V
BE
= - 0.5伏直流电，
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
上升时间
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
贮存时间
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
(V
CC
= 30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
I
B1
= I
R
θJA
15 MADC ）
B2
=
典型
时间
秋天
热阻（注2 ）
t
d
t
r
t
s
t
f
1.0
30
10
25
225
ns
ns
安培
安培
40
120
典型结电容（注1 ）
C
J
1.装置安装在FR4玻璃环氧树脂印刷电路板用的最低建议足迹。
-55到+125
2.脉冲测试：脉冲
范围
工作温度
宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2.0%.
T
J
存储温度范围
TSTG
60
℃/W
PF
℃
℃
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
I
R
MAMP
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-11
威伦电子股份有限公司。
FM120-M
THRU
MMBT2222ATT1
通用晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
to
低调的表面安装的应用程序，以
SOT-523
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.004(0.10)MIN.
机械数据
.035(0.90)
.028(0.70)
.067(1.70)
.059(1.50)
.069(1.75)
.057(1.45)
.008(0.20)
.004(0.10)
18
80
56
80
1.0
30
10
100
70
100
0.071(1.8)
0.056(1.4)
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
.014(0.35)
.010(0.25)
最大
.043(1.10)
电气特性
收视率和
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
.035(0.90)
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
.004(0.10)MAX.
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
℃/W
PF
℃
℃
安培
.035(0.90)
.028(0.70)
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
特征
最大正向电压在1.0A DC
.014(0.35)
T
J
TSTG
.006(0.15)
V
F
@T A = 125 ℃
C
J
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
I
R
MAMP
注意事项：
尺寸以英寸（毫米）
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-11
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