【MMBT2222LT1,MMBT2222ALT1MMBT2222ALT1是首选设备通用晶体管NPN硅】,IC型号MMBT2222ALT3G,MMBT2222ALT3G PDF资料,MMBT2222ALT3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

MMBT2222LT1,

MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1是首选设备

通用

晶体管

NPN硅

http://onsemi.com

特点

集热器

3

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

最大额定值

等级

集电极发射极电压

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

集电极基极电压

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

发射极基极电压连续

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

连续集电极电流 -

热特性

特征

器件总功耗

FR - 5委员会（注1 ）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

器件总功耗

氧化铝基板（注2）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

225

1.8

R

qJA

P

D

556

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1G

MMBT2222LT3

MMBT2222ALT3

MMBT2222ALT3G

符号

V

首席执行官

30

40

V

CBO

60

75

V

EBO

5.0

6.0

I

C

600

MADC

VDC

1

2

价值

单位

VDC

1

BASE

2

辐射源

VDC

3

记号

图

XXX M

SOT23

CASE 318

类型6

XXX =具体设备守则

=

（ M1B = MMBT2222LT1 ，

=

1P = MMBT2222ALT1 ）

M =日期代码

订购信息

设备

MMBT2222LT1

MMBT2222LT1G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年9月 - 修订版5

出版订单号：

MMBT2222LT1/D

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压（I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

发射-Base击穿电压（I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

集电极截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

集电极截止电流（V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

发射极截止电流（V

EB

= 3.0伏，我

C

= 0)

底座截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 55°C)

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注3 ）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）（注3）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注3 ）

集电极发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基地发射极饱和电压（注3）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

MMBT2222

MMBT2222A

h

ie

MMBT2222A

h

re

MMBT2222A

h

fe

MMBT2222A

50

75

300

375

8.0

4.0

2.0

0.25

8.0

1.25

X 10

4

f

T

MMBT2222

MMBT2222A

C

敖包

C

IBO

30

25

kW

8.0

pF

250

300

pF

兆赫

h

FE

35

50

75

35

100

50

30

40

V

CE （ SAT ）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

BE （ SAT ）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

0.6

1.3

1.2

2.6

2.0

0.4

0.3

1.6

1.0

VDC

300

VDC

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CEX

I

CBO

30

40

60

75

5.0

6.0

10

0.01

10

100

20

VDC

NADC

MADC

符号

民

最大

单位

I

EBO

I

BL

NADC

只有MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

4. f

T

被定义为频率在哪些| H

fe

|推断团结。

http://onsemi.com

2

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

小信号特性

输出导纳

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

集电极基时间常数

(I

E

= 20 MADC ，V

CB

= 20伏， F = 31.8兆赫）

h

oe

MMBT2222A

RB ，C

c

MMBT2222A

NF

4.0

150

dB

5.0

25

35

200

ps

毫姆欧

符号

民

最大

单位

噪声系数

(I

C

= 100

MADC ，

V

CE

= 10伏，R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫） MMBT2222A

开关特性（ MMBT2222A只）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE （OFF）的

= - 0.5伏直流电，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

10

25

225

60

ns

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

4. f

T

被定义为频率在哪些| H

fe

|推断团结。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1 KW

＆ LT ; 2纳秒

200

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1k

1N914

+30 V

200

C

S

* < 10 pF的

4 V

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

100

70

50

30

20

10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

25°C

55°C

V

CE

= 1.0 V

V

CE

= 10 V

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70

100

200

300

500 700 1.0 k

T

J

= 125°C

图3.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

T

J

= 25°C

0.8

0.6

I

C

= 1.0毫安

10毫安

150毫安

500毫安

0.4

0.2

0

0.005

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

I

B

，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

10

20

30

50

图4.集电极饱和区

http://onsemi.com

4

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

200

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

10

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

10

200 300

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

500

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 2.0 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 0

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

t′

s

= t

s

1/8 t

f

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

T， TIME （ NS ）

t

f

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

200

300

500

图5.开启-On时间

图6.打开-Off时间

10

8.0

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

500

毫安，

R

S

= 200

W

100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

R

S

=

来源

R

S

=

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

100

mA

500

mA

1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

2.0

0

50

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

50 100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

图8.源电阻的影响

30

20

电容（pF）

C

eb

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

500

V

CE

= 20 V

T

J

= 25°C

300

200

100

70

50

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70 100

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

50

图9.的电容

图10.电流增益带宽积

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5

MMBT2222LT1G,

MMBT2222ALT1G

通用晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

集热器

3

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

MMBT2222LT1G

MMBT2222ALT1G

集热器

： BASE

电压

MMBT2222LT1G

MMBT2222ALT1G

MMBT2222LT1G

MMBT2222ALT1G

符号

V

首席执行官

价值

30

40

60

75

5.0

6.0

600

1100

单位

VDC

1

BASE

2

辐射源

3

V

CBO

VDC

辐射源

： BASE

电压

V

EBO

VDC

1

2

SOT23

CASE 318

类型6

集电极电流

连续

集电极电流

峰值（注3 ）

I

C

I

CM

MADC

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基板（注2 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度范围

符号

P

D

最大

225

1.8

556

300

2.4

417

55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

XXX = 1P或M1B

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

标记图

R

qJA

P

D

XXX M

G

R

qJA

T

J

, T

英镑

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

3. SOA参考曲线。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册第6页。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2009年10月

9牧师

1

出版订单号：

MMBT2222LT1/D

MMBT2222LT1G ， MMBT2222ALT1G

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压（I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

MMBT2222A

集热器

： BASE

击穿电压（I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

MMBT2222A

辐射源

： BASE

击穿电压（I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

MMBT2222A

集电极截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

集电极截止电流（V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

发射极截止电流（V

EB

= 3.0伏，我

C

= 0)

底座截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，T

A

=

55°C)

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注4 ）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）（注4 ）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注4 ）

集热器

：辐射源

饱和电压（注4 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

BASE

：辐射源

饱和电压（注4 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积（注5 ）

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小

“信号

电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

f

T

250

300

2.0

0.25

50

75

5.0

25

8.0

30

25

8.0

1.25

8.0

4.0

300

375

35

200

兆赫

h

FE

35

50

75

35

100

50

30

40

V

BE （ SAT ）

0.6

300

0.4

0.3

1.6

1.0

1.3

1.2

2.6

2.0

VDC

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CEX

I

CBO

30

40

60

75

5.0

6.0

10

0.01

10

100

20

VDC

NADC

MADC

符号

民

最大

单位

I

EBO

I

BL

NADC

只有MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

CE （ SAT ）

VDC

C

敖包

C

IBO

pF

h

ie

kW

h

re

X 10

4

h

fe

h

oe

毫姆欧

http://onsemi.com

2

MMBT2222LT1G ， MMBT2222ALT1G

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

小信号特性

集电极基时间常数

(I

E

= 20 MADC ，V

CB

= 20伏， F = 31.8兆赫）

噪声系数

(I

C

= 100

MADC ，

V

CE

= 10伏，R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）

开关特性（ MMBT2222A只）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE （OFF）的

=

0.5伏，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

10

25

225

60

ns

MMBT2222A

RB ，C

c

NF

150

4.0

ps

dB

符号

民

最大

单位

ns

4.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

5. f

T

被定义为频率在哪些| H

fe

|推断团结。

切换时间等效测试电路

+ 30 V

+16 V

0

-2 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1 KW

＆ LT ; 2纳秒

200

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

-14 V

< 20纳秒

1k

1N914

C

S

* < 10 pF的

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

+ 30 V

200

-4 V

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

T

J

= 125°C

25°C

100

70

50

30

20

10

0.1

-55°C

V

CE

= 1.0 V

V

CE

= 10 V

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70

100

200

300

500 700 1.0 k

图3.直流电流增益

http://onsemi.com

3

MMBT2222LT1G ， MMBT2222ALT1G

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

T

J

= 25°C

0.8

0.6

I

C

= 1.0毫安

10毫安

150毫安

500毫安

0.4

0.2

0

0.005

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

I

B

，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

10

20

30

50

图4.集电极饱和区

200

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

10

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

10

200 300

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

500

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 2.0 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 0

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

200

300

500

t′

s

= t

s

- 1/8 t

f

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

T， TIME （ NS ）

t

f

图5.打开

ΔON

时间

图6.打开

= OFF

时间

10

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

500

毫安，

R

S

= 200

W

100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

R

S

=

来源

R

S

=

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

100

mA

500

mA

1.0毫安

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

50 100

0

50

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

图8.源电阻的影响

http://onsemi.com

4

MMBT2222LT1G ， MMBT2222ALT1G

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

30

20

电容（pF）

C

eb

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

500

V

CE

= 20 V

T

J

= 25°C

300

200

100

70

50

1.0

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

50

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70 100

图9.的电容

1

V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

I

C

/I

B

= 10

V

BE （ SAT ）

，基极 - 发射

饱和电压（ V）

150°C

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

图10.电流增益带宽积

I

C

/I

B

= 10

55°C

25°C

150°C

0.1

55°C

25°C

0.001

0.01

0.1

1

0.01

0.001

0.01

0.1

1

I

C

，集电极电流（ A）

I

C

，集电极电流（ A）

图11.集电极发射极饱和电压

与集电极电流

V

BE（上）

，基极发射极电压（V）的

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.001

0.01

0.1

1

150°C

25°C

55°C

系数（MV /

°

C)

V

CE

= 1 V

0

- 0.5

- 1.0

- 1.5

- 2.0

- 2.5

+0.5

图12.基极发射极饱和电压与

集电极电流

R

QVC

对于V

CE （ SAT ）

R

QVB

对于V

BE

0.1 0.2

0.5

I

C

，集电极电流（ A）

1.0 2.0

5.0 10 20

50 100 200

I

C

，集电极电流（毫安）

500

图13.基极发射极电压与集电极

当前

图14.温度系数

http://onsemi.com

5

MMBT2222LT1,

MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1是首选设备

通用晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

集热器

3

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极发射极电压

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

集电极基极电压

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

发射极基极电压连续

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

连续集电极电流 -

I

C

V

EBO

5.0

6.0

600

MADC

1

V

CBO

60

75

VDC

符号

V

首席执行官

30

40

VDC

价值

单位

VDC

1

BASE

2

辐射源

3

2

SOT23

CASE 318

类型6

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗氧化铝

基板（注2 ）T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度范围

符号

P

D

225

1.8

R

qJA

P

D

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55到+150

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

1

XXX M

G

556

mW

毫瓦/°C的

° C / W

最大

单位

标记图

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

XXX = 1P或M1B

M =日期代码*

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或横线可能

这取决于制造地点而有所不同。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年1月 - 修订版6

出版订单号：

MMBT2222LT1/D

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

MMBT2222A

集电极基极击穿电压（I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

MMBT2222A

发射-Base击穿电压（I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

MMBT2222A

集电极截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

集电极截止电流（V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

发射极截止电流（V

EB

= 3.0伏，我

C

= 0)

底座截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 55°C)

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注3 ）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）（注3）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注3 ）

集电极发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基地发射极饱和电压（注3）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

MMBT2222

MMBT2222A

h

ie

MMBT2222A

h

re

MMBT2222A

h

fe

MMBT2222A

h

oe

MMBT2222A

5.0

25

35

200

50

75

300

375

毫姆欧

8.0

4.0

2.0

0.25

8.0

1.25

X 10

4

f

T

MMBT2222

MMBT2222A

C

敖包

C

IBO

30

25

kW

8.0

pF

250

300

pF

兆赫

h

FE

35

50

75

35

100

50

30

40

V

CE （ SAT ）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

BE （ SAT ）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

0.6

1.3

1.2

2.6

2.0

0.4

0.3

1.6

1.0

VDC

300

VDC

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CEX

I

CBO

30

40

60

75

5.0

6.0

10

0.01

10

100

20

VDC

NADC

MADC

符号

民

最大

单位

I

EBO

I

BL

NADC

只有MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

http://onsemi.com

2

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

小信号特性

集电极基时间常数

(I

E

= 20 MADC ，V

CB

= 20伏， F = 31.8兆赫）

噪声系数

(I

C

= 100

MADC ，

V

CE

= 10伏，R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）

开关特性（ MMBT2222A只）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE （OFF）的

= - 0.5伏直流电，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

10

25

225

ns

60

ns

RB ，C

c

MMBT2222A

NF

MMBT2222A

4.0

150

dB

ps

符号

民

最大

单位

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

4. f

T

被定义为频率在哪些| H

fe

|推断团结。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1 KW

200

+16 V

0

＆ LT ; 2纳秒

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1k

1N914

+30 V

200

C

S

* < 10 pF的

4 V

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

100

70

50

30

20

10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

T

J

= 125°C

25°C

55°C

V

CE

= 1.0 V

V

CE

= 10 V

3.0

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70

100

200

300

500 700 1.0 k

图3.直流电流增益

http://onsemi.com

3

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

T

J

= 25°C

0.8

0.6

I

C

= 1.0毫安

10毫安

150毫安

500毫安

0.4

0.2

0

0.005

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

I

B

，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

10

20

30

50

图4.集电极饱和区

200

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

10

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

10

200 300

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

500

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 2.0 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 0

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

t′

s

= t

s

1/8 t

f

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

T， TIME （ NS ）

t

f

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

300

500

图5.开启-On时间

图6.打开-Off时间

10

8.0

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

500

毫安，

R

S

= 200

W

100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

R

S

=

来源

R

S

=

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

100

mA

500

mA

1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

2.0

0

50

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

50 100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

图8.源电阻的影响

http://onsemi.com

4

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

30

20

电容（pF）

C

eb

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

500

V

CE

= 20 V

T

J

= 25°C

300

200

100

70

50

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70 100

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

50

图9.的电容

1.0

T

J

= 25°C

0.8

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.6

V

BE（上）

@ V

CE

= 10 V

0.4

系数（MV /

°

C)

V，电压（V ）

1.0 V

0

0.5

1.0

1.5

2.0

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.1 0.2

50 100 200

0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

I

C

，集电极电流（毫安）

500 1.0 k

2.5

图10.电流增益带宽积

+0.5

R

QVC

对于V

CE （ SAT ）

0.2

R

QVB

对于V

BE

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10 20

50 100 200

I

C

，集电极电流（毫安）

500

图11. “开”电压

图12.温度系数

订购信息

设备

MMBT2222LT1

MMBT2222LT1G

MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1G

MMBT2222LT3

MMBT2222LT3G

MMBT2222ALT3

MMBT2222ALT3G

具体的标识代码

M1B

1P

M1B

1P

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

5

MMBT2222LT1,

MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1是首选设备

通用

晶体管

NPN硅

http://onsemi.com

特点

集热器

3

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

最大额定值

等级

集电极发射极电压

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

集电极基极电压

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

发射极基极电压连续

MMBT2222LT1

MMBT2222ALT1

连续集电极电流 -

热特性

特征

器件总功耗

FR - 5委员会（注1 ）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

器件总功耗

氧化铝基板（注2）

T

A

= 25°C

减免上述25℃

热阻

结到环境

结存储

温度范围

符号

P

D

最大

225

1.8

R

qJA

P

D

556

300

2.4

R

qJA

T

J

, T

英镑

417

-55

+150

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

mW

毫瓦/°C的

° C / W

°C

MMBT2222ALT1

MMBT2222ALT1G

MMBT2222LT3

MMBT2222ALT3

MMBT2222ALT3G

符号

V

首席执行官

30

40

V

CBO

60

75

V

EBO

5.0

6.0

I

C

600

MADC

VDC

1

2

价值

单位

VDC

1

BASE

2

辐射源

VDC

3

记号

图

XXX M

SOT23

CASE 318

类型6

XXX =具体设备守则

=

（ M1B = MMBT2222LT1 ，

=

1P = MMBT2222ALT1 ）

M =日期代码

订购信息

设备

MMBT2222LT1

MMBT2222LT1G

包

SOT23

（无铅）

SOT23

（无铅）

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

SOT- 23万/磁带&卷轴

（无铅）

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年9月 - 修订版5

出版订单号：

MMBT2222LT1/D

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压（I

C

= 10 MADC ，我

B

= 0)

集电极基极击穿电压（I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

发射-Base击穿电压（I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

集电极截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

集电极截止电流（V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

= 50伏直流，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

(V

CB

= 60 VDC ，我

E

= 0, T

A

= 125°C)

发射极截止电流（V

EB

= 3.0伏，我

C

= 0)

底座截止电流（V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 3.0伏）

基本特征

直流电流增益

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ，T

A

= 55°C)

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注3 ）

(I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 1.0伏）（注3）

(I

C

= 500 MADC ，V

CE

= 10 VDC ）（注3 ）

集电极发射极饱和电压（注3 ）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

基地发射极饱和电压（注3）

(I

C

= 150 MADC ，我

B

= 15 MADC ）

(I

C

= 500 MADC ，我

B

= 50 MADC ）

小信号特性

电流 - 获得 - 带宽积（注4 ）

(I

C

= 20 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容

(V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小-Signal电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

MMBT2222

MMBT2222A

h

ie

MMBT2222A

h

re

MMBT2222A

h

fe

MMBT2222A

50

75

300

375

8.0

4.0

2.0

0.25

8.0

1.25

X 10

4

f

T

MMBT2222

MMBT2222A

C

敖包

C

IBO

30

25

kW

8.0

pF

250

300

pF

兆赫

h

FE

35

50

75

35

100

50

30

40

V

CE （ SAT ）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

BE （ SAT ）

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

0.6

1.3

1.2

2.6

2.0

0.4

0.3

1.6

1.0

VDC

300

VDC

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CEX

I

CBO

30

40

60

75

5.0

6.0

10

0.01

10

100

20

VDC

NADC

MADC

符号

民

最大

单位

I

EBO

I

BL

NADC

只有MMBT2222A

MMBT2222

MMBT2222A

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

4. f

T

被定义为频率在哪些| H

fe

|推断团结。

http://onsemi.com

2

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

小信号特性

输出导纳

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

集电极基时间常数

(I

E

= 20 MADC ，V

CB

= 20伏， F = 31.8兆赫）

h

oe

MMBT2222A

RB ，C

c

MMBT2222A

NF

4.0

150

dB

5.0

25

35

200

ps

毫姆欧

符号

民

最大

单位

噪声系数

(I

C

= 100

MADC ，

V

CE

= 10伏，R

S

= 1.0千瓦， F = 1.0千赫） MMBT2222A

开关特性（ MMBT2222A只）

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

(V

CC

= 30伏直流电，V

BE （OFF）的

= - 0.5伏直流电，

I

C

= 150 MADC ，我

B1

= 15 MADC ）

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 150 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 15 MADC ）

t

d

t

r

t

s

t

f

10

25

225

60

ns

3.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

4. f

T

被定义为频率在哪些| H

fe

|推断团结。

切换时间等效测试电路

+30 V

+16 V

0

2 V

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1 KW

＆ LT ; 2纳秒

200

+16 V

0

C

S

* < 10 pF的

14 V

< 20纳秒

1.0-100

女士，

占空比

≈

2.0%

1k

1N914

+30 V

200

C

S

* < 10 pF的

4 V

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具，连接器和示波器的总并联电容。

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

100

70

50

30

20

10

0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

25°C

55°C

V

CE

= 1.0 V

V

CE

= 10 V

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70

100

200

300

500 700 1.0 k

T

J

= 125°C

图3.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

T

J

= 25°C

0.8

0.6

I

C

= 1.0毫安

10毫安

150毫安

500毫安

0.4

0.2

0

0.005

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

I

B

，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

10

20

30

50

图4.集电极饱和区

http://onsemi.com

4

MMBT2222LT1 ， MMBT2222ALT1

200

100

70

50

T， TIME （ NS ）

30

20

10

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

10

200 300

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

500

I

C

/I

B

= 10

T

J

= 25°C

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 2.0 V

t

d

@ V

EB （O FF ）

= 0

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7.0

5.0

t′

s

= t

s

1/8 t

f

V

CC

= 30 V

I

C

/I

B

= 10

I

B1

= I

B2

T

J

= 25°C

T， TIME （ NS ）

t

f

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

I

C

，集电极电流（毫安）

200

300

500

图5.开启-On时间

图6.打开-Off时间

10

8.0

I

C

= 1.0毫安，R

S

= 150

W

500

毫安，

R

S

= 200

W

100

毫安，

R

S

= 2.0千瓦

50

毫安，

R

S

= 4.0千瓦

R

S

=优化

R

S

=

来源

R

S

=

阻力

10

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

I

C

= 50

mA

100

mA

500

mA

1.0毫安

NF ，噪声系数（dB ）

6.0

4.0

2.0

0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

2.0

0

50

0.5 1.0 2.0

5.0 10

20

50 100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

R

S

，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

图8.源电阻的影响

30

20

电容（pF）

C

eb

10

7.0

5.0

C

cb

3.0

2.0

0.1

500

V

CE

= 20 V

T

J

= 25°C

300

200

100

70

50

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

I

C

，集电极电流（毫安）

50

70 100

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

50

图9.的电容

图10.电流增益带宽积

http://onsemi.com

5