UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBT2222A
NPN通用
扩音器
NPN硅晶体管
3
2
特点
*此装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达500mA 。
1
SOT-23
3
2
1
SOT-523
*无铅电镀产品编号：
MMBT2222AL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
MMBT2222A - AE3 -R MMBT2222AL - AE3 -R
MMBT2222A - AN3 -R MMBT2222AL - AN3 -R
包
SOT-23
SOT-523
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
MMBT2222AL-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23 ， AN3 ： SOT- 523
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
1P
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R206-019,D
MMBT2222A
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
评级
集电极 - 基极电压
75
集电极 - 发射极电压
40
发射极 - 基极电压
6
集电极电流
0.6
SOT-23
350
功耗
P
C
SOT-523
150
结温
T
J
+150
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注：这些都是稳定状态的限制。工厂应就涉及申请咨询脉冲或
周期操作。
单位
V
V
V
A
mW
mW
℃
℃
低占空比
热数据
参数
热阻，结到环境
SOT-23
SOT-523
符号
θ
JA
评级
15
833
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
BL
I
首席执行官
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0 ，TA = 150℃
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，TA = -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，V
CE
=1.0V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V*
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 300MHz的
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V ，卢比= 1.0kΩ
f=1.0kHz
300
8.0
25
150
4.0
民
75
40
6
0.01
10
10
20
10
35
50
75
35
100
50
40
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
直流电流增益
h
FE
300
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.6
0.3
1.0
1.2
2.0
60
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
pS
dB
小信号特性
共发射高的实部
回复（ HJE ）
频率输入阻抗
跃迁频率
f
T
输出电容
科博
输入电容
CIBO
集电极基时间常数
rb'Cc
噪声系数
NF
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R206-019,D
MMBT2222A
电气特性（续）
NPN硅晶体管
开关特性
延迟时间
t
D
V
CC
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V,
上升时间
t
R
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
贮存时间
t
S
VCC = 30V ，我
C
=150mA
下降时间
t
F
I
B1
= I
B2
=15mA
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
10
25
225
60
ns
ns
ns
ns
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R206-019,D
MMBT2222A
测试电路
NPN硅晶体管
30V
200Ω
16V
0
≤200ns
500Ω
1.0kΩ
图1饱和导通开关时间
-15V
1KΩ
1.0kΩ
≤200ns
50Ω
6.0V
37Ω
30V
0
图2饱和关断开关时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 6
QW-R206-019,D
MMBT2222A
典型特征
直流电流增益
与集电极电流
NPN硅晶体管
集电极 - 发射极饱和电压VS 。
集电极电流
V
CE
=5V
直流电流增益
, h
FE
集电极 - 发射极电压，V
CE （ SAT ）
(V)
500
400
300
125℃
200
100
-40℃
0
0.1 0.3
1
10
30
100
300
集电极电流，I
C
（MA ）
25℃
0.4
β=10
0.3
125℃
25℃
0.1
-40℃
1
10
100
500
0.2
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极饱和电压与。
集电极电流
在电压与集电极基极 - 发射
当前
基射极电压，V
BE （ SAT ）
(V)
1
β=10
基射极电压上，V
BE（上）
(V)
1
V
CE
=5V
0.8
0.8
-40℃
25℃
-40℃
25℃
125℃
0.6
0.6
125℃
0.4
0.4
1
10
100
500
0.2
0.1
1
10
25
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极饱和电压
与集电极电流
500
V
CB
=40V
20
发射器转换和输出
电容与反向偏置电压
集电极电流，I
CBO
（ nA的）
100
电容（pF）
16
12
C
te
8
4
C
ob
f=1MHz
1
10
100
10
1
0.1
25
50
75
100
125
150
0.1
环境温度，T
A
(℃)
反向偏置电压（V）的
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5 6
QW-R206-019,D
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBT2222A
NPN通用
扩音器
特点
*此装置是用于使用作为介质的功率放大器和开关
需要集电极电流高达600mA 。
NPN硅晶体管
3
2
1
SOT-23
3
1
2
SOT-323
3
1
SOT-523
2
订购信息
订购数量
无铅
MMBT2222AL-AE3-R
MMBT2222AL-AL3-R
MMBT2222AL-AN3-R
无卤
MMBT2222AG-AE3-R
MMBT2222AG-AL3-R
MMBT2222AG-AN3-R
包
SOT-23
SOT-323
SOT-523
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
带盘
记号
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R206-019,I
MMBT2222A
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
评级
单位
75
V
40
V
6
V
600
mA
SOT-23
350
集电极耗散
P
C
mW
SOT-323
200
SOT-523
150
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
SOT-23
SOT-323
SOT-523
符号
θ
JA
评级
357
625
833
单位
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R206-019,I
MMBT2222A
参数
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
BL
I
首席执行官
NPN硅晶体管
电气特性
（TA = 25℃ ，除非另有说明）。
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0 ，TA = 150℃
V
EB
= 3.0V ，我
C
=0
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
V
CE
=60V, V
EB （O FF ）
=3.0V
I
C
= 0.1毫安，V
CE
=10V
I
C
= 1.0毫安，V
CE
=10V
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
直流电流增益
h
FE
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ，TA = -55°C
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V(Note)
I
C
= 150毫安，V
CE
=1.0V(Note)
I
C
= 500毫安，V
CE
=10V(Note)
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
0.6
35
50
75
35
100
50
40
300
民
75
40
6
0.01
10
10
20
10
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
nA
nA
nA
集电极 - 发射极饱和
电压（注）
基射极饱和
电压（注）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
小信号特性
共发射高的实部
回复（ HJE ）
频率输入阻抗
跃迁频率
f
T
输出电容
科博
输入电容
CIBO
集电极基时间常数
rb'Cc
噪声系数
NF
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 300MHz的
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 100KHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 100KHz的
I
C
= 20mA时， V
CB
= 20V ， F = 31.8MHz
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V ，卢比= 1.0kΩ
f=1.0kHz
300
60
8.0
25
150
4.0
10
25
225
60
兆赫
pF
pF
pS
dB
ns
ns
ns
ns
开关特性
延迟时间
t
D
V
CC
=30V, V
BE （OFF）的
=0.5V,
上升时间
t
R
I
C
= 150毫安，我
B1
=15mA
贮存时间
t
S
VCC = 30V ，我
C
=150mA
下降时间
t
F
I
B1
= I
B2
=15mA
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 6
QW-R206-019,I
MMBT2222A
测试电路
NPN硅晶体管
30V
200
16V
0
≤200ns
1.0k
500
饱和导通开关时间
饱和关断开关时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 6
QW-R206-019,I
MMBT2222A
典型特征
直流电流增益
与集电极电流
NPN硅晶体管
集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
集电极 - 发射极电压，V
CE （ SAT ）
(V)
0.4
β=10
0.3
125
°C
25
°C
0.1
-40
°C
1
10
100
500
500
直流电流增益
, h
FE
V
CE
=5V
400
300
125
°C
200
100
-40
°C
0
0.1 0.3
1
10
30
100
300
25
°C
0.2
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
CBO
（ nA的）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
电容（pF）
基射极电压上，V
BE（上）
(V)
基射极电压，V
BE （ SAT ）
(V)
5 6
QW-R206-019,I
QQ：2881677436 复制
