MMBT2222AK NPN外延硅晶体管
2005年2月
MMBT2222AK
NPN外延硅晶体管
通用晶体管
3
记号
2
1
1PK
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
75
40
6
600
350
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
集电极耗散功率
储存温度
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益*
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 20mA时， V
CE
= 20V ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10V
R
S
= 1KΩ ， F = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安
V
BE
= 0.5V ，我
B1
= 15毫安
V
CC
= 30V ，我
C
= 150毫安，
I
B1
= I
B2
= 15毫安
分钟。
75
40
6
MAX 。单位
V
V
V
0.01
A
35
50
75
100
40
300
0.3
1.0
V
V
V
V
兆赫
8
4
35
285
pF
dB
ns
ns
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
NF
t
ON
t
关闭
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
启动时间
关闭时间
0.6
300
1.2
2.0
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
MMBT2222AK版本A
MMBT2222AK NPN外延硅晶体管
商标
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将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
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生命支持政策
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系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I15
3
MMBT2222AK版本A
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