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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2124页 > MMBT2222A-G
小信号晶体管（ NPN ）
MMBT2222A -G指令（RoHS设备）
特点
NPN硅外延平面晶体管
开关和放大器应用。
机械数据
案例： SOT -23塑料包装
重量约： 0.008克
.122 (3.1)
.110 (2.8)
.016 (0.40)
SOT-23
顶视图
贴装焊盘布局
0.035 (0.9)
B
C
.056 (1.43)
.052 (1.33)
E
0.004 （0.1）最大。
0.079 (2.0)
.037 (0.95) .037 (0.95)
B：基本
C：收藏家
E：发射器
.007 (0.175)
.005 (0.125)
0.037 (0.95)
0.037 (0.95)
.016(0.4)
.004 (0.1)
.103 (2.6)
.086 (2.2)
尺寸英寸（毫米）
最大额定值&热特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
功耗
在FR - 5局牛逼
A
=25C
减免上述25℃
在氧化铝基板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
FR- 5局
氧化铝基板
(1)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P合计
P合计
R
JA
Tj
Ts
价值
75
40
6.0
600
225
1.9
300
2.4
556
417
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
MMW
毫瓦/℃
mW
毫瓦/℃
° C /毫瓦
C
C
热阻结
到周围的空气
结温
存储温度范围
注意事项：
（1）的FR- 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
（2）氧化铝= 0.4× 0.3 x0.024英寸99.5％的氧化铝。
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
.045 (1.15)
.037 (0.95)
小信号晶体管（ NPN ）
MMBT2222A -G指令（RoHS设备）
电气特性
(T
参数
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
测试条件
V
CE =
10 V，I
C
- 0.1毫安
V
CE =
10 V，I
C
= 1毫安
V
CE =
10 V，I
C
= 10毫安
V
CE =
10 V，I
C
= 10毫安
T
A
= -55°C
V
CE =
10 V，I
C
= 150毫安
(1)
V
CE =
10 V，I
C
= 500毫安
(1)
V
CE =
1.0 V，I
C
= 150毫安
(1)
I
C
= 10
μA,
I
E
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
μA,
I
C
= 0
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
V
EB
= 3 V, V
CE
= 60 V
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0 V
T
A
= 125°C
V
EB
= 3 V, V
CE
= 60 V
V
EB
= 3 V
DC
, I
C
= 0
V
CE
= 20 V，I
C
= 20毫安
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1MHz时，我
E
= 0
V
EB
= 0.5 V ， F = 1MHz时，我
C
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 100
μA,
R
S
= 1千欧中，f = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
F = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
F = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，
F = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，
F = 1千赫
民
35
50
75
35
100
40
50
75
40
6.0
—
—
0.6
—
—
—
—
—
—
300
—
—
—
2
0.25
50
75
50
75
5.0
25
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
—
300
—
—
—
—
—
0.3
1.0
1.2
2.0
10
10
10
20
100
—
8
25
4.0
8.0
单位
直流电流增益
h
FE
—
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
(1)
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极饱和电压
(1)
集电极截止电流
集电极截止电流
底座截止电流
发射极截止电流
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CEX
I
CBO
I
BL
I
EBO
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
V
V
V
V
V
nA
nA
μA
nA
nA
兆赫
pF
pF
dB
输入阻抗
h
ie
kΩ
1.25
300
375
300
375
35
200
μS
—
小信号电流增益
h
fe
电压反馈比例
h
re
—
输出导纳
h
oe
注意：
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
μs
- 占空比
≤
2%
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
小信号晶体管（ NPN ）
MMBT2222A -G指令（RoHS设备）
电气特性
参数
集电极基时间常数
延迟时间（参见图1）
上升时间（参见图1）
储存时间（见图2）
下降时间（参见图2）
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
r
b
’C
C
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
E
能力= 20 mA ，V
CB
= 20 V,
F = 31.8兆赫
I
B1
= 15毫安，我
C
= 150毫安，
V
CC =
30V, V
BE
= -0.5 V
I
B1
= 15毫安，我
C
= 150毫安，
V
CC =
30V, V
BE
= -0.5 V
I
B1
= I
B2
= 15毫安，
I
C
= 150毫安， V
CC =
30V
I
B1
= I
B2
= 15毫安，
I
C
= 150毫安， V
CC =
30V
民
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
150
10
25
225
60
单位
ps
ns
ns
ns
ns
开关时间等效测试电路
图1.开启时间
1.0-100
μs,
占空比
≈
2%
+16 V
0
-2 V
＆ LT ; 2纳秒
1kΩ
C
S
* < 10 pF的
范围上升时间为4ns <
*测试夹具的总并联电容，
连接器和示波器
+30V
200Ω
图2.开启，关闭时间
1.0-100
μs,
占空比
≈
2%
+16 V
0
-14 V
< 20纳秒
-4 V
1kΩ
C
S
* < 10 pF的
+30V
200Ω
“ -G ”后缀指定RoHS兼容的版本
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