MMBT2131T1
通用
晶体管
PNP双极晶体管
（互补NPN器件： MMBT2132T1 / T3 ）
注：电压和电流均为负值PNP晶体管。
特点
http://onsemi.com
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散@ T
C
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 85°C
热阻，结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
C
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 85°C
热阻，结到环境
（注2 ）
工作和存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
R
qJA
P
D
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
价值
30
40
5.0
700
350
342
178
366
665
346
188
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
mW
° C / W
mW
mW
° C / W
°C
0.7安培
30伏 - V
（ BR ） CEO
342毫瓦
集热器
引脚2,5
BASE
引脚6
辐射源
3脚
4
6 5
1 2
3
SC74
CASE 318F
方式2
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，经营稳定状态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，运行到稳定状态。
分贝米
G
G
DB =器件代码
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MMBT2131T1
MMBT2131T1G
包
SC74
SC74
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第4版
出版订单号：
MMBT2131T1/D
MMBT2131T1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
基本特征
直流电流增益
集电极发射极饱和电压
集电极发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
(V
CE
= 3.0 V，I
C
= 100 mA时）
(I
C
= 500毫安，我
B
= 50 mA）的
(I
C
= 700 mA时，我
B
= 70 mA）的
(I
C
= 700 mA时，我
B
= 70 mA）的
(I
C
= 700毫安， V
CE
= 1.0 V)
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
150
0.25
0.4
1.1
1.0
V
V
V
V
V
(I
C
= 100
毫安）
(I
C
= 10 mA）的
(I
E
= 100
毫安）
(V
CB
= 25 V，I
E
= 0 A)
(V
CB
= 25 V，I
E
= 0 ，T
A
= 125°C)
(V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0 A)
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
40
30
5.0
1.0
10
10
V
V
V
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极电压（ V）
VCE （SAT） ，集电极 - 发射极电压（ V）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
C
= 1.0毫安
0.000001 0.00001
0.1 A
0.2
0.5 A
0.15
0.7 A
0.5 A
10毫安
0.0001
0.1
0.1 A
0.05
I
C
= 1.0毫安
0
0.000001 0.00001
10毫安
0.001
0.01
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
B
，基极电流（ A）
I
B
，基极电流（ A）
图1.集电极饱和区
1000
V
CE
= 3.0 V
^ h FE ， DC电流增益
1.0
图2.集电极饱和区
V
BE （ SAT ）
150°C
25°C
40°C
电压（V）的
0.1
V
CE （ SAT ）
100
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
1.0
0.01
0.001
0.01
0.1
I
C
/I
B
= 10
1.0
I
C
，集电极电流（ A）
图3.直流电流增益
图4. “开”电压
http://onsemi.com
2
MMBT2131T1
包装尺寸
SC74
CASE 318F -05
ISSUE L
D
6
5
1
2
4
H
E
E
3
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者：
4. 318F -01 ， -02 ， -03过时。 NEW
标准318F -04 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
方式2 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
民
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
0°
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.37
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
民
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
0°
英寸
喃
0.039
0.002
0.015
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
C
无连接
集热器
辐射源
无连接
集热器
BASE
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.074
0.7
0.028
0.95
0.037
0.95
0.037
1.0
0.039
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MMBT2131T1/D
QQ：2881677436 复制
