PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
分立功率&信号
技术
PN200
PN200A
MMBT200
MMBT200A
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： N2 / N2A
B
PNP通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用
集电极电流为300毫安。从工艺68采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
45
75
6.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
PN200A
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT200A
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 10
A,
I
B
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CE
= 40 V，I
E
= 10
V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0
60
45
6.0
50
50
50
V
V
V
nA
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100
A,
V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 5.0 V*
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 200毫安，我
B
能力= 20 mA *
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 200毫安，我
B
能力= 20 mA *
200
200A
200
200A
200A
200
200A
80
240
100
300
100
100
100
450
600
350
0.2
0.4
0.85
1.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
噪声系数
V
CE
= 20 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
G
= 2.0千欧， F = 1.0千赫
200
200A
250
6.0
5.0
4.0
兆赫
pF
dB
dB
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.3
0.25
0.2
0.15
25 °C
400
300
125 °C
β
= 10
25 °C
200
100
0
0.01
- 40 °C
0.1
0.05
0
0.1
125 C
- 40 C
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
P 68
300
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
BEON
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 10
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 5V
- 40 C
25 °C
125 C
- 40 C
25 °C
125 C
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100 200
集电极截止电流
- 环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
V
CB
= 50V
10
BV
CER
- 击穿电压（ V）
100
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
95
90
1
85
80
0.1
75
0.01
25
50
75
100
T
A
- 环境温度（ C）
125
70
0.1
1
10
100
1000
电阻（K
)
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
集电极饱和区
4
输入和输出电容
VS反向电压
100
TA = 25°C
3
F = 1.0 MHz的
2
IC =
100微安
电容（pF）
50毫安
300毫安
10
兴业银行
COB
1
0
100
300
700
2000 4000
0.1
1
10
100
I
B
- 基极电流（ UA）
V
ce
- 集电极电压（ V）
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
增益带宽积
VS集电极电流
40
开关时间VS
集电极电流
300
270
240
210
时间（纳秒）
180
150
120
90
60
30
0
10
td
tf
tr
IB1 = IB2 = IC / 10
V
cc
= 10 V
VCE = 5V
30
ts
20
10
0
1
10
P 68
20
50
100 150
I
C
- 集电极电流（毫安）
20
30
50
100
200
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
功耗与
环境温度
700
P
D
- 功耗（MW ）
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
SOT-23
TO-92
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PN200
PN200A
MMBT200
MMBT200A
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： N2 / N2A
B
PNP通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用
集电极电流为300毫安。从工艺68采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极 - 发射极电压
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
45
60
6.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
TA = 25° C除非另有说明
特征
PN200
PN200A
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT200
*MMBT200A
350
2.8
357
单位
P
D
R
θJC
R
θJA
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997仙童半导体公司
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 10
A,
I
B
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CE
= 40 V，I
E
= 10
V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0
60
45
6.0
50
50
50
V
V
V
nA
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100
A,
V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 150毫安， V
CE
= 5.0 V*
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 200毫安，我
B
能力= 20 mA *
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0毫安
I
C
= 200毫安，我
B
能力= 20 mA *
200
200A
200
200A
200A
200
200A
80
240
100
300
100
100
100
450
600
350
0.2
0.4
0.85
1.0
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
噪声系数
V
CE
= 20 V，I
C
= 20毫安
V
CB
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
G
= 2.0千欧， F = 1.0千赫
250
6.0
4.0
兆赫
pF
dB
dB
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极发射极电压（V ）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压Vs收集或电流
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.1
125
°
C
25
°
C
400
300
125 °C
β
= 10
25 °C
200
100
0
0.01
- 40 °C
- 40
°
C
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
300
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
BEON
- BAS ê发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EM ITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 10
基极发射极电压ON VS
集电极电流
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
CE
= 5V
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
1
10
100
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
300
1
10
I
C
- 集电极CURRE新台币（毫安）
100 200
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
V
CB
= 50V
10
BV
CER
- 击穿电压（ V）
100
集电极 - 发射极击穿
电压与电阻
发射基之间
95
90
1
85
80
0.1
75
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT温度（
°
C)
125
70
0.1
1
10
100
1000
电阻（K
)
V
CE
- 集电极 - 发射极电压（ V）
集电极饱和区
4
输入和输出电容
VS反向电压
100
TA = 25°C
F = 1.0 MHz的
3
2
IC =
100微安
50毫安
300毫安
电容（pF）
10
兴业银行
COB
1
0
100
300
700
2000 4000
0.1
1
10
100
I
B
- 基极电流（ UA）
V
CE
- 集电极电压（ V）
PN200 / MMBT200 / PN200A / MMBT200A
PNP通用放大器
（续）
典型特征
（续）
f
T
- 增益带宽积（兆赫）
增益带宽积
VS集电极电流
300
开关时间VS
集电极电流
270
240
210
时间（纳秒）
180
150
120
90
60
30
0
10
td
tf
tr
IB1 = IB2 = IC / 10
V
cc
= 10 V
40
VCE = 5V
ts
30
20
10
0
1
10
20
50
100 150
I
C
- 集电极电流（毫安）
20
30
50
100
200
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
功耗与
环境温度
700
P
D
- 功耗（MW ）
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
脾气ATURE （
°
C)
125
150
SOT-23
TO-92
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
QQ：2880707522 复制
