UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBT1616/A
NPN硅外延
晶体管
描述
*音频功放
*中速开关
NPN硅晶体管
3
1
2
SOT-23
*无铅电镀产品编号：
MMBT1616L/MMBT16AL
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
MMBT1616-x-AE3-R
MMBT1616L-x-AE3-R
MMBT1616A-x-AE3-R
MMBT1616AL-x-AE3-R
包
SOT-23
SOT-23
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
MMBT1616L-x-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
(3)Rank
（ 4 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23
（3 ）× ：指h的分类
FE1
（ 4 ） L：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
UTC MMBT1616
UTC MMBT1616A
16
铅电镀
16A
铅电镀
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2005 Unisonic技术有限公司
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QW-R206-036.B
MMBT1616/A
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
DC
脉冲*
1616
1616A
1616
1616A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
C
T
J
T
英镑
NPN硅晶体管
评级
60
120
50
60
6
1
2
350
+150
-55 ~ +150
总功率耗散（ TA = 25
℃
)
结温
储存温度
注（ * ）脉冲宽度
≤
为10ms ，占空比cycle<50 ％
1.绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
单位
V
V
V
V
V
A
A
mW
℃
℃
电气特性
(Ta=25
℃
)
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基极发射极电压
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
t
ON
t
S
t
F
测试条件
V
CB
=60V
V
EB
= 6V
I
C
= 1A ，我
B
=50mA
I
C
= 1A ，我
B
=50mA
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
V
CE
= 2V ，我
C
=100mA
V
CE
= 2V ，我
C
=1A
V
CE
= 2V ，我
C
=100mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
I
B1
=-I
B2
=10mA
V
BE （OFF）的
=-2 ~ -3V
民
典型值
最大
100
100
0.3
1.2
700
600
400
单位
nA
nA
V
V
mV
600
135
135
81
100
0.15
0.9
640
160
19
0.07
0.95
0.07
兆赫
pF
us
us
us
分类h及
FE1
秩
h
FE1
Y
135-270
G
200-400
L
300-600
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QW-R206-036.B
MMBT1616/A
典型特征
集电极输出电容
NPN硅晶体管
100
50
30
10
5
3
1
3 5 10
30 50 100
300
电流增益带宽
产品中，f
T
（兆赫）
电容C
ob
（PF ）
1000
500
300
I
E
=0
f=1.0MHz
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
电流增益带宽积
V
CE
=2V
1
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3 5 10
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极电流I
C
(A)
,
时间t
ON
（微秒） ，T
S
t
G
（微秒） ，T
F
(s)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
开关时间
集电极电流，I
C
（MA ）
V
CC
=10V
I
C
=10·I
B1
=-10·I
B2
100
80
60
40
20
静态特性
I
B
=300A
I
B
=250A
I
B
=200A
I
B
=150A
I
B
=100A
I
B
=50A
t
S
t
G
t
F
t
ON
0.01
0.001 0.003 0.01 0.030.05 0.1 0.3 0.5 1
0
2
4
6
8
10
集电极电流，I
C
(A)
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
=4
.0
m
A
1.0
静态特性
I
B
=5.0mA
I
B
=4.5mA
I
B
=3.5mA
I
B
=3.0mA
直流电流增益
集电极电流，I
C
（MA ）
I
B
=2.0mA
直流电流增益，H
FE
0.8
0.6
I
B
=2.5mA
1000
500
300
100
50
30
10
5
3
I
B
V
CE
=2V
I
B
=1.5mA
0.4
0.3
I
B
=1.0mA
I
B
=0.5mA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
1
0.01 0.030.05 0.1 0.3 0.5 1
3 5 10
集电极电流，I
C
(A)
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MMBT1616/A
典型特征（续）
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电流，I
C
(A)
NPN硅晶体管
饱和电压V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
(V)
1000
10
5
3
安全工作区
500
300
100
50
30
10
5
3
1
I
C
=20·I
B
V
BE （SAT）
s
m
=1
P
W
s
s
m
10 0m
20
1
0.5
0.3
0.1
DC
0.05
0.03
3 5 10
0.01 0.03 0.05 0.1 0.30.5 1
3 5 10
集电极电流，I
C
(A)
0.01
1
30 50 100
D1616一
V
CE （SAT）
D1 616
300
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
功率降额
功率降额，P
D
(W)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25 50 75 100 125 150 175200
环境温度，T
A
(℃)
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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