MMBFJ309LT1G,
MMBFJ310LT1G
JFET - VHF / UHF放大器
晶体管
N沟道
特点
http://onsemi.com
2 SOURCE
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
栅电流
符号
V
DS
V
GS
I
G
价值
25
25
10
单位
VDC
VDC
MADC
1
符号
P
D
最大
225
1.8
556
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
3
3
门
1 DRAIN
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
10风格
标记图
R
qJA
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
6X M
G
G
1
=器件代码
X = U为MMBFJ309LT1
X = T为MMBFJ310LT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
6x
订购信息
设备
MMBFJ309LT1G
MMBFJ310LT1G
包
航运
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第4版
1
出版订单号：
MMBFJ309LT1/D
MMBFJ309LT1G ， MMBFJ310LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅源击穿电压
(I
G
=
1.0
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流（V
GS
=
15
VDC ）
门反向电流
(V
GS
=
15
VDC ，T
A
= 125°C)
门源截止电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.0 NADC ）
基本特征
零栅极电压漏电流
(V
DS
= 10 VDC ，V
GS
= 0)
门源正向电压
(I
G
= 1.0 MADC ，V
DS
= 0)
小信号特性
正向转移导纳
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输入电容
(V
GS
=
10
VDC ，V
DS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
(V
GS
=
10
VDC ，V
DS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
相当于短路输入噪声电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 100赫兹）
|Y
fs
|
|y
os
|
C
国际空间站
C
RSS
e
n
8.0
10
18
250
5.0
2.5
nV
毫姆欧
毫姆欧
pF
pF
Hz
MMBFJ309
MMBFJ310
I
DSS
V
GS （ F）
12
24
30
60
1.0
MADC
VDC
MMBFJ309
MMBFJ310
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
25
1.0
2.0
1.0
1.0
4.0
6.5
VDC
NADC
MADC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MMBFJ309LT1G ， MMBFJ310LT1G
70
60
I D ，漏电流（毫安）
V
DS
= 10 V
50
40
30
20
10
-5.0
I
DSS
+ 25°C
+ 25°C
40
+150°C
+ 25°C
- 55°C
+150°C
-1.0
-4.0
-3.0
-2.0
I
D
- V
GS
，栅源电压（伏）
I
DSS
- V
GS
，栅源截止电压（伏）
0
30
20
10
0
T
A
= - 55°C
50
70
60
IDSS ，饱和漏极电流（毫安）
图1.漏电流和转让
特性与栅源电压
YFS ，正向跨导（
μ
姆欧）
100 k
Y
fs
1.0 k
YOS ，输出导纳（
μ
姆欧）
电容（pF）
10
R
DS
7.0
120
R DS ，导通阻抗（欧姆）
Y
fs
10 k
96
100
72
C
gs
4.0
48
1.0 k
Y
os
V
GS （ OFF ）
= - 2.3 V =
V
GS （ OFF ）
= - 5.7 V =
10
C
gd
1.0
0
10
24
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
I
D
，漏极电流（毫安）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
V
GS
，门源极电压（伏）
图2.共源输出
准入和正向跨导
与漏极电流
图3.导通电阻和结
电容与栅源电压
http://onsemi.com
3
MMBFJ309LT1G ， MMBFJ310LT1G
|S
21
|, |S
11
|
30
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
3.0
0.85 0.45
S
22
2.4
Y12 （毫姆欧）
Y
11
0.79 0.39
S
21
1.8
0.73 0.33
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
S
11
0.6
Y
12
0
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700
1000
0.55 0.15
100
0.61 0.21
S
12
200
300
500
男，频率（MHz）
700
1000
0.90
0.012 0.92
0.036 0.96
0.048 0.98
|S
12
|, |S
22
|
0.060 1.00
| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）
24
18
12
Y
21
Y
22
1.2
0.67 0.27
0.024 0.94
6.0
图4.共栅参数y
幅度与频率
q
21
,
q
11
180° 50°
q
22
170°
40°
q
21
q
12
,
q
22
- 20°
87°
- 20°
- 40°
- 60°
- 80°
- 100°
150°
20°
q
12
q
11
140°
10°
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
700
- 120° 84°
- 140°
- 160° 83°
- 180°
- 200° 82°
1000
- 120°
- 100°
- 80°
85°
- 60°
86°
图5.共栅的S参数
幅度与频率
q
11
,
q
12
- 20° 120°
q
21
q
21
,
q
22
q
11
q
22
0
- 40° 100°
- 20°
160°
30°
80°
- 40°
60°
q
12
40°
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
200
300
500
男，频率（MHz）
q
21
q
11
- 60°
- 80°
130°
0°
100
200
300
500
男，频率（MHz）
20°
100
700
- 100°
1000
图6.共栅参数y
相角与频率
图7. s参数相角
与频率
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4
MMBFJ309LT1G ， MMBFJ310LT1G
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格10 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MMBFJ309LT1/D
MMBFJ309LT1,
MMBFJ310LT1
JFET - VHF / UHF放大器
晶体管
N沟道
http://onsemi.com
特点
2 SOURCE
无铅包可用
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
栅电流
符号
V
DS
V
GS
I
G
价值
25
25
10
单位
VDC
VDC
MADC
3
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
1
2
3
门
1 DRAIN
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
10风格
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
6X M
G
G
1
=器件代码
X = U为MMBFJ309LT1
X = T为MMBFJ310LT1
M =日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
6x
订购信息
设备
MMBFJ309LT1
MMBFJ309LT1G
MMBFJ310LT1
MMBFJ310LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
SOT23
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第3版
出版订单号：
MMBFJ309LT1/D
MMBFJ309LT1 ， MMBFJ310LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅源击穿电压
(I
G
= 1.0
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流（V
GS
= -15伏直流）
门反向电流
(V
GS
= -15伏直流，T
A
= 125°C)
门源截止电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.0 NADC ）
基本特征
零栅极电压漏电流
(V
DS
= 10 VDC ，V
GS
= 0)
门源正向电压
(I
G
= 1.0 MADC ，V
DS
= 0)
小信号特性
正向转移导纳
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 1.0千赫）
输入电容
(V
GS
= -10伏直流，V
DS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
(V
GS
= -10伏直流，V
DS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
相当于短路输入噪声电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 100赫兹）
|Y
fs
|
|y
os
|
C
国际空间站
C
RSS
e
n
8.0
10
18
250
5.0
2.5
毫姆欧
毫姆欧
pF
pF
MMBFJ309
MMBFJ310
I
DSS
V
GS （ F）
12
24
30
60
1.0
MADC
VDC
MMBFJ309
MMBFJ310
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
25
1.0
2.0
1.0
1.0
4.0
6.5
VDC
NADC
MADC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
nV
Hz
http://onsemi.com
2
MMBFJ309LT1 ， MMBFJ310LT1
IDSS ，饱和漏极电流（毫安）
70
60
I D ，漏电流（毫安）
V
DS
= 10 V
50
40
30
20
10
5.0
I
DSS
+25
°C
+25
°C
40
+150°C
+25
°C
55
°C
+150°C
1.0
4.0
3.0
2.0
I
D
V
GS
，栅源电压（伏）
I
DSS
V
GS
，栅源截止电压（伏）
0
30
20
10
0
T
A
= 55°C
50
70
60
图1.漏电流和转让
特性与栅源电压
YFS ，正向跨导
μ
姆欧）
(
100 k
Y
fs
1.0 k
YOS ，输出导纳（
μ
姆欧）
电容（pF）
10
R
DS
7.0
120
R DS ，导通阻抗（欧姆）
Y
fs
10 k
96
100
72
C
gs
4.0
48
1.0 k
Y
os
V
GS （ OFF ）
= 2.3 V =
V
GS （ OFF ）
= 5.7 V =
10
C
gd
1.0
0
10
24
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
I
D
，漏极电流（毫安）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
V
GS
，门源极电压（伏）
图2.共源输出
准入和正向跨导
与漏极电流
图3.导通电阻和结
电容与栅源电压
http://onsemi.com
3
MMBFJ309LT1 ， MMBFJ310LT1
|S
21
|, |S
11
|
30
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
3.0
0.85 0.45
S
22
2.4
Y12 （毫姆欧）
Y
11
0.79 0.39
S
21
1.8
0.73 0.33
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
S
11
0.6
Y
12
0
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700
1000
0.55 0.15
100
0.61 0.21
S
12
200
300
500
男，频率（MHz）
700
1000
0.90
0.012 0.92
0.036 0.96
0.048 0.98
|S
12
|, |S
22
|
0.060 1.00
| Y11 | ， | Y21 | ， | Y22 | （毫姆欧）
24
18
12
Y
21
Y
22
1.2
0.67 0.27
0.024 0.94
6.0
图4.共栅参数y
幅度与频率
q
21
,
q
11
180° 50°
q
22
170°
40°
q
21
q
12
,
q
22
2
0° 87°
20
°
40
°
60
°
80
°
100
°
150°
20°
q
12
q
11
140°
10°
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
700
120
°
84°
140
°
160
°
83°
180
°
200
°
82°
1000
85°
86°
图5.共栅的S参数
幅度与频率
q
11
,
q
12
20
°
120°
40
°
100°
60
°
80°
80
°
60°
q
12
100
°
40°
120
°
20°
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安
T
A
= 25°C
200
300
500
男，频率（MHz）
q
11
80
°
100
°
1000
q
21
q
21
q
21
,
q
22
q
11
q
22
0
20
°
40
°
60
°
160°
30°
130°
0°
100
200
300
500
男，频率（MHz）
700
图6.共栅参数y
相角与频率
图7. s参数相角
与频率
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4
MMBFJ309LT1 ， MMBFJ310LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格10 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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