J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / MMBFJ176 / MMBFJ177
J174
J175
J176
J177
MMBFJ175
MMBFJ176
MMBFJ177
G
D
S
G
TO-92
D
SOT-23
马克： 6W / 6X / 6Y
S
P沟道开关
该器件是专为低电平模拟开关的采样和保持
电路和斩波稳定放大器。从工艺88采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
- 30
30
50
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
J174 - J177
350
2.8
125
357
最大
*MMBFJ175
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J174-177 ，版本A
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / MMBFJ176 / MMBFJ177
P沟道开关
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
B
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= 1.0
A,
V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 10 nA的
J174
J175
J176
J177
5.0
3.0
1.0
0.8
30
1.0
10
6.0
4.0
2.5
V
nA
V
V
V
V
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= - 15 V，I
GS
= 0
J174
J175
J176
J177
J174
J175
J176
J177
- 20
- 7.0
- 2.0
- 1.5
- 100
- 60
- 25
- 20
85
125
250
300
mA
mA
mA
mA
r
DS （
on
)
漏源导通电阻
V
DS
≤
0.1 V, V
GS
= 0
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
常见的漏源
-20
- 漏电流（mA ）
T
A
= 25°C
典型值V
GS （ OFF ）
= 4.5 V
参数相互作用
- 跨导（毫姆欧）
100
50
r
DS
I
DSS
g
fs
r
DS
1,000
500
- 排水"ON"性
()
-16
V
GS
= 0 V
0.5 V
-12
-8
1.0 V
1.5 V
2.0 V
10
5
I
DSS
, g
fs
@ V
DS
= 15V,
V
GS
= 0脉冲
r
DS
@ -100 mV时， V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
@ V
DS
= - 15V,
I D = - 1.0
A
100
50
I
D
-4
0
2.5 V
3.0 V
3.5 V
fs
g
1
0
-1
-2
-3
-4
V
DS
- 漏源电压（ V）
-5
1
V
GS （关闭）
10
2
5
10
- 栅极截止电压（ V）
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / MMBFJ176 / MMBFJ177
P沟道开关
（续）
典型特征
（续）
传输特性
-32
I
D
- 漏电流（mA ）
- 漏电流（mA ）
V
DS
= - 15 V
V
GS （ OFF ）
= - 4.5 V
传输特性
16
V
DS
= - 15 V
V
GS （ OFF ）
= - 4.5 V
- 55°C
25°C
125°C
V
GS （ OFF ）
= 2.5 V
- 55°C
25°C
125°C
-24
- 55°C
25°C
125°C
12
-16
V
GS （ OFF ）
= 2.5 V
- 55°C
25°C
125°C
8
-8
4
0
I
0
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
0
0
D
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
100
50
20
10
5
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
/V
GS （ OFF ）
- 归一化的栅源电压（V ）
1
V
GS （ OFF ）
@ 5.0V, 10
A
g
os
- 输出电导（
姆欧）
归漏极电阻
VS偏置电压
- 归一化电阻
输出电导
VS漏电流
F = 1.0千赫
-5.0V
-5.0V
1000
r
DS
r
DS
=
V
GS
1 -________
V
GS （ OFF ）
100
V
GS （ OFF ）
= - 4.5V
-10V
-20V
-20V
-10V
10
V
GS （ OFF ）
= - 2.5V
DS
_
1
0.01
I
D
r
_
0.1
1
- 漏电流（mA ）
_
_
10
g
fs
- 跨导（毫姆欧）
跨
VS漏电流
C
is
(C
rs
） - 电容（ pF）的
电容VS电压
100
F = 0.1 - 1.0兆赫
10
V
GS （ OFF ）
= 2.5V
5
25°C
V
GS （ OFF ）
= 6.0V
1
0.5
V
DG
= -15V
F = 1.0千赫
- 55°C
25°C
125°C
10
5
C的（V
DS
= -15V)
RS （V
DS
= -15V)
0.1
_
0.1
I
D
_
1
10
- 漏电流（mA ）
_
_
100
1
0
4
8
12
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
20
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / MMBFJ176 / MMBFJ177
P沟道开关
（续）
典型特征
（续）
噪声电压与频率
r
DS
- 排水"ON"性
()
100
e
n
- 噪声电压（NV /
√
赫兹）
50
I
D
= - 0.2毫安
通道电阻
与温度
1000
500
V
GS （ OFF ）
= 2.5V
V
GS （ OFF ）
= 4.5V
V
GS （ OFF ）
= 8.0V
V
DS
= -100 mV的
V
GS
= 0
10
5
I
D
= 5.0毫安
100
50
V
DG
= - 15V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10赫兹， 100赫兹
= 0.2f @ f
≥
1.0千赫
1
0.01
0.1
1
10
的F - 频率（KHz ）
100
10
-50
0
50
100
150
T
A
- 环境温度（
o
C)
功耗与
环境温度
P
D
- 功耗（MW ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
TO-92
SOT-23
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / 177分之176
J174
J175
J176
J177
MMBFJ175
MMBFJ176
MMBFJ177
G
S
S
G
TO-92
D
SOT-23
马克： 6W / 6X / 6Y
D
注：资料来源&漏
可互换
P沟道开关
该器件是专为低电平模拟开关的采样和保持
电路和斩波稳定放大器。从工艺88采购。
绝对最大额定值*
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
,T
英镑
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
- 30
30
50
-55到+150
单位
V
V
mA
°C
5
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
J174 -177
350
2.8
125
357
最大
*MMBFJ175-177
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / 177分之176
P沟道开关
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
B
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
栅源击穿电压
门反向电流
栅源截止电压
I
G
= 1.0
A,
V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 10 nA的
174
175
176
177
5.0
3.0
1.0
0.8
30
1.0
10
6.0
4.0
2.5
V
nA
V
V
V
V
基本特征
I
DSS
零栅极电压漏极电流*
V
DS
= - 15 V，I
GS
= 0
174
175
176
177
174
175
176
177
- 20
- 7.0
- 2.0
- 1.5
- 100
- 60
- 25
- 20
85
125
250
300
mA
mA
mA
mA
r
DS （
on
)
漏源导通电阻
V
DS
≤
0.1 V, V
GS
= 0
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
典型特征
常见的漏源
-20
- 漏电流（mA ）
T
A
= 25°C
典型值V
GS （ OFF ）
= 4.5 V
参数相互作用
- 跨导（毫姆欧）
100
50
r
DS
I
DSS
g
fs
r
DS
1,000
500
- 排水"ON"性
()
-16
V
GS
= 0 V
0.5 V
-12
-8
1.0 V
1.5 V
2.0 V
10
5
I
DSS
, g
fs
@ V
DS
= 15V,
V
GS
= 0脉冲
r
DS
@ -100 mV时， V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
@ V
DS
= - 15V,
I D = - 1.0
A
100
50
I
D
-4
0
2.5 V
3.0 V
3.5 V
fs
g
1
0
-1
-2
-3
-4
V
DS
- 漏源电压（ V）
-5
1
V
GS （关闭）
10
2
5
10
- 栅极截止电压（ V）
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / 177分之176
P沟道开关
（续）
典型特征
（续）
传输特性
-32
I
D
- 漏电流（mA ）
- 漏电流（mA ）
V
DS
= - 15 V
V
GS （ OFF ）
= - 4.5 V
传输特性
16
V
DS
= - 15 V
V
GS （ OFF ）
= - 4.5 V
- 55°C
25°C
125°C
V
GS （ OFF ）
= 2.5 V
- 55°C
25°C
125°C
-24
- 55°C
25°C
125°C
12
-16
V
GS （ OFF ）
= 2.5 V
- 55°C
25°C
125°C
8
-8
4
0
I
0
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
0
0
D
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
4
- 归一化电阻
(
)
100
50
20
10
5
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
GS
/V
GS （ OFF ）
- 归一化的栅源电压（V ）
1
V
GS （ OFF ）
@ 5.0V, 10
A
g
os
- 输出电导（
姆欧）
归漏极电阻
VS偏置电压
输出电导
VS漏电流
F = 1.0千赫
-5.0V
-5.0V
1000
r
DS
r
DS
=
V
GS
1 -________
V
GS （ OFF ）
100
V
GS （ OFF ）
= - 4.5V
-10V
-20V
-20V
-10V
10
V
GS （ OFF ）
= - 2.5V
_
1
0.01
I
D
_
0.1
1
- 漏电流（mA ）
_
_
10
5
r
DS
g
fs
- 跨导（毫姆欧）
跨
VS漏电流
C
is
(C
rs
） - 电容（ pF）的
电容VS电压
100
F = 0.1 - 1.0兆赫
10
V
GS （ OFF ）
= 2.5V
5
25°C
V
GS （ OFF ）
= 6.0V
1
0.5
V
DG
= -15V
F = 1.0千赫
- 55°C
25°C
125°C
10
5
C的（V
DS
= -15V)
RS （V
DS
= -15V)
0.1
_
0.1
I
D
_
1
10
- 漏电流（mA ）
_
_
100
1
0
4
8
12
16
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
20
J174 / J175 / J176 / J177 / MMBFJ175 / 177分之176
P沟道开关
（续）
典型特征
（续）
噪声电压与频率
r
DS
- 排水"ON"性
()
100
e
n
- 噪声电压（NV /
√
赫兹）
50
I
D
= - 0.2毫安
通道电阻
与温度
1000
500
V
GS （ OFF ）
= 2.5V
V
GS （ OFF ）
= 4.5V
V
GS （ OFF ）
= 8.0V
V
DS
= -100 mV的
V
GS
= 0
10
5
I
D
= 5.0毫安
100
50
V
DG
= - 15V
BW = 6.0 Hz的@ F = 10赫兹， 100赫兹
= 0.2f @ f
≥
1.0千赫
1
0.01
0.1
1
10
的F - 频率（KHz ）
100
10
-50
0
50
100
150
T
A
- 环境温度（
o
C)
功耗与
环境温度
P
D
- 功耗（MW ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
TO-92
SOT-23
TO- 92卷带数据
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直： PKG 92 ，
94 （ NON PROELECTRON
系列）， 96
TO- 92标准
直： PKG 94
（ PROELECTRON系列
BCXXX ， BFXXX ， BSRXXX ）
97, 98
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
L34Z
NO LEADCLIP
2.0 K /盒
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
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最高1万台
每间箱
性病选项
2001仙童半导体公司
2001年3月，修订版B1
J174 / J175 / J176 / J177_MMBFJ175 / MMBFJ176 / MMBFJ177 - P沟道开关
2013年6月
J174 / J175 / J176 / J177
MMBFJ175 / MMBFJ176 / MMBFJ177
P沟道开关
描述
该器件是专为低电平模拟开关
采样和保持电路和斩波稳定
放大器。从工艺88采购。
J174 / 175 / 176 / 177
(1)
MMBFJ175 /一百七十七分之一百七十六
G
S
S
G
D
TO-92
SOT-23
马克： 6W / 6X / 6Y
注：资料来源&漏是可以互换的。
D
订购信息
产品型号
J175_D26Z
J176_D74Z
MMBFJ175
MMBFJ176
MMBFJ177
注意：
1. J174 & J177已过时。
顶标
J175
J176
6W
6X
6Y
包
TO-92-3L
TO-92-3L
SOT- 23 3L
SOT- 23 3L
SOT- 23 3L
包装方法
磁带和卷轴
弹药
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
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绝对最大额定值
(2)
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
DG
V
GS
I
GF
T
J
, T
STG(3)
参数
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
工作和存储结温范围
评级
-30
30
50
-55到+ 150
单位
V
V
mA
°C
注意事项：
2.这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
3.这些评级是基于150 ° C的最高结温。
这些都是稳定状态的限制。飞兆半导体应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
热特性
(4)
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
注意：
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
J175 - 176
350
2.8
125
357
556
MMBFJ175 - 177
225
1.8
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
4. PCB尺寸： FR- 4 76× 114 ×0.6毫米牛逼
3
（ 3.0 “× 4.5 ”× 0.062 “ ）与最小尺寸的焊盘布局。
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电气特性
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
开关特性
B
（ BR ） GSS
I
GSS
参数
栅源击穿电压
门反向电流
测试条件
I
G
= 1.0
μA,
V
DS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
174
分钟。
30
马克斯。
单位
V
1.0
5.0
3.0
1.0
0.8
-20
-7.0
-2.0
-1.5
10.0
6.0
4.0
2.5
-100
-60.0
-25
-20.0
85
125
250
300
175
176
177
nA
V
V
V
V
V
GS （ OFF ）
栅极 - 源极截止电压
V
DS
= -15 V，I
D
= -10 nA的
基本特征
174
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -15 V，I
GS
= 0
175
176
177
174
r
DS （ ON）
漏源导通电阻
I
C
≤
50毫安，我
B
= 5.0毫安
175
176
177
mA
Ω
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典型性能特性
图1 。
常见的漏源
图2中。
参数相互作用
图3.传输特性
图4.传输特性
图5.归漏极电阻与
偏压
图6.输出电导与漏极电流
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典型性能特性
（续）
图7.跨导主场迎战漏电流
图8.电容与电压
图9.噪声电压与频率的关系
图10.通道电阻与温度
图11.功耗对比
环境温度
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