MMBFJ175LT1
首选设备
JFET砍刀
P沟道 - 耗尽
特点
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
符号
V
DG
V
GS （R ）
价值
25
25
单位
V
V
http://onsemi.com
2 SOURCE
3
门
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
3
最大
单位
1 DRAIN
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
10风格
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
标记图
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅 - 源击穿电压
(V
DS
= 0, I
D
= 1.0
毫安）
门反向电流
(V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V)
栅 - 源截止电压
(V
DS
= 15, I
D
= 10 NA）
基本特征
零栅极电压漏极电流（注2 ）
(V
GS
= 0, V
DS
= 15 V)
排水截止电流
(V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V)
漏源导通电阻
(I
D
= 500
毫安）
输入电容
反向传输
电容
V
DS
= 0, V
GS
= 10V
F = 1.0 MHz的
I
DSS
I
D（关闭）
r
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
7.0
60
1.0
125
11
5.5
pF
mA
nA
W
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
30
3.0
1.0
6.0
V
nA
V
6W =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
符号
民
最大
单位
1
6W M
G
G
订购信息
设备
MMBFJ175LT1
MMBFJ175LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第3版
出版订单号：
MMBFJ175LT1/D
MMBFJ175LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格10 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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