MMBF5484LT1
首选设备
JFET晶体管
N沟道
特点
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
等于或低于连续设备损耗
T
C
= 25°C
线性降额因子
存储通道温度范围
符号
V
DG
V
GS （R ）
I
G（ F）
P
D
200
2.8
T
英镑
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
25
25
10
单位
VDC
VDC
MADC
http://onsemi.com
2 SOURCE
3
门
1 DRAIN
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
1
2
3
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
10风格
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
1
M6B M
G
G
M6B =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBF5484LT1
MMBF5484LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第3版
出版订单号：
MMBF5484LT1/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBF5484LT1 / D
JFET晶体管
N沟道
2 SOURCE
3
门
MMBF5484LT1
摩托罗拉的首选设备
1 DRAIN
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
等于或低于连续设备损耗
TC = 25°C
线性降额因子
存储通道温度范围
符号
VDG
VGS （r）的
IG （ F）
PD
200
2.8
TSTG
- 65 + 150
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
25
25
10
单位
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ， 10风格
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
TJ ， TSTG
556
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBF5484LT1 = 6B
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
（ IG = -1.0
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = - 20伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = - 20伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 10 NADC ）
V（ BR ） GSS
IGSS
—
—
VGS （关闭）
– 0.3
– 1.0
– 0.2
– 3.0
NADC
μAdc
VDC
– 25
—
VDC
基本特征
零栅极电压漏电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
IDSS
1.0
5.0
MADC
小信号特性
正向转移导纳
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
1， FR- 5 = 1.0
| YFS |
| YOS |
3000
—
6000
50
μmhos
μmhos
0.75
0.062英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBF5484LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
小信号特性（续）
输入电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 10兆赫）
输出电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
CRSS
科斯
—
—
—
5.0
1.0
2.0
pF
pF
pF
功能特点
噪声系数
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0 MADC ， YG = 1.0毫姆欧）
（ RG = 1.0千欧， F = 100兆赫）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， YG = 1.0
μmhos ）
（ RG = 1.0 MΩ ， F = 1.0千赫）
共源功率增益
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0 MADC ， F = 100兆赫）
NF
—
—
全球定位系统
16
3.0
2.5
25
dB
dB
功率增益
24
F = 100 MHz的
20
PG ，功率增益（分贝）
16
12
400兆赫
Tchannel = 25°C
VDS = 15 VDC
VGS = 0 V
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
ID ，漏极电流（毫安）
12
14
8.0
4.0
图1.影响漏极电流
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBF5484LT1
参考
称号
中和
COIL
输入
50
来源
C1
C5
Rg
′
L3
C6
VGS
常见
VDS
+15 V
L1
C2
C4
例
C7
ID = 5.0毫安
C3
500
负载
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
L1
L2
L3
价值
100兆赫
7.0 pF的
1000 pF的
3.0 pF的
1-12 pF的
1-12 pF的
0.0015
F
0.0015
F
3.0
H*
0.15
H*
0.14
H*
400兆赫
1.8 pF的
17 pF的
1.0 pF的
0.8-8.0 pF的
0.8-8.0 pF的
0.001
F
0.001
F
0.2
H**
0.03
H**
0.022
H**
L2
调整为VGS
ID = 50毫安
VGS < 0伏
*L1
注意：
噪声源是热感冒的身体
（ AIL类型70或同等学历）与
测试接收机（ AIL型136或同等学历）。
**L1
*L2
*L3
17圈， （约 - 取决于电路设计） AWG ＃ 28
漆包线，在9/32 “陶瓷线圈紧密缠绕
形式。调整由铁粉蛞蝓提供。
4-1 / 2圈， AWG ＃ 18漆包线， 5/16 “长，
3/8 “内径（空芯） 。
3-1 / 2圈， AWG ＃ 18漆包线， 1/4 “长，
3/8 “内径（空芯） 。
**L2
**L3
6圈， （约 - 取决于电路设计） AWG ＃ 24
漆包线，在7/32 “陶瓷线圈紧密缠绕
形式。通过调整铝塞提供。
1圈， AWG ＃ 16漆包线， 3/8“内径
（空芯） 。
1/2圈， AWG ＃ 16漆包线， 1/4“ ID
（空芯） 。
图2. 100兆赫和400兆赫中性化测试电路
噪声系数
（ Tchannel = 25°C ）
10
ID = 5.0毫安
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
5.5
6.5
VDS = 15 V
VGS = 0 V
6.0
F = 400 MHz的
4.0
4.5
F = 400 MHz的
3.5
2.0
0
0
100兆赫
2.0
4.0 6.0 8.0
10
12
14
16
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
18
20
2.5
1.5
0
2.0
100兆赫
4.0
6.0
8.0
10
ID ，漏极电流（毫安）
12
14
图3.影响的漏源电压
图4.影响漏极电流
互调特性
+ 40
噘嘴，输出功率PER TONE （分贝）
+ 20
0
– 20
– 40
– 60
– 80
– 100
– 120
– 140
– 160
– 120
基本
输出@ IDSS ，
0.25 IDSS
– 100
三阶IMD
输出@ IDSS ，
0.25 IDSS
VDS = 15 VDC
F1 = 399 MHz的
F2 = 400 MHz的
3阶截取
– 80
– 60
– 40
– 20
引脚，输入功率PER TONE （分贝）
0
+ 20
图5.三阶互调失真
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBF5484LT1
常见源特性
纳参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C）
遗传资源，反纳（毫姆欧）
BRS ，反纳（毫姆欧）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
GIS @ 0.25 IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
10
20
30
二@ IDSS
5.0
3.0
2.0
BRS @ IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
遗传资源@智能决策支持系统，智能决策支持系统0.25
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.25 IDSS
地理信息系统，输入电导（毫姆欧）
二，输入纳（毫姆欧）
GIS @ IDSS
二@ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
图6.输入导纳（彝族）
图7.反向传输导纳（年）
政府飞行服务队，正向跨导（毫姆欧）
| B FS | ，FORWARD纳（毫姆欧）
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
| BFS | @ IDSS
| BFS | @ 0.25 IDSS
GOS ，输出导纳（姆欧）
不中，输出纳（姆欧）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
GOS @ 0.25 IDSS
GOS @ IDSS
BOS @ IDSS和0.25 IDSS
GFS @ IDSS
GFS @ 0.25 IDSS
图8.正向纳（ YFS ）
图9.输出导纳（ YOS ）
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBF5484LT1
常见源特性
S-参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
1.0
350°
100
100
0.9
50°
300
0.8
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.7
ID = IDSS
500
400
600
500
600
0.6
800
900
700
900
700
800
280°
270°
260°
250°
240°
80°
90°
100°
110°
120°
290°
70°
400
300
200
100
270°
260°
250°
240°
0.0
280°
300°
60°
600
800
700
500
0.1
200
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.4
350°
340°
330°
320°
ID = 0.25 IDSS
200
300
0.3
400
310°
50°
ID = IDSS ， 0.25 IDSS
900
0.2
300°
290°
310°
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图10. S11s
30°
40°
20°
10°
0°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
图11. S12S
10°
0°
350°
340°
330°
100 200
ID = 0.25 IDSS
300
1.0
400
100 200
500
300
600
400
700
0.9
500
800
600
ID = IDSS
700
900
800
900
0.8
320°
0.6
50°
0.5
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
900
800
700
600
500
400
300
ID = IDSS
240°
200
100
0.5
230°
0.6
130°
120°
800
700
600
ID = 0.25 IDSS
500
400
300
200
100
0.4
250°
110°
0.3
900
0.3
280°
270°
260°
80°
90°
100°
0.4
300°
290°
60°
70°
310°
50°
310°
300°
0.7
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.6
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图12. S21s
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
图13. S22s
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBF5484LT1 / D
JFET晶体管
N沟道
2 SOURCE
3
门
MMBF5484LT1
摩托罗拉的首选设备
1 DRAIN
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
等于或低于连续设备损耗
TC = 25°C
线性降额因子
存储通道温度范围
符号
VDG
VGS （r）的
IG （ F）
PD
200
2.8
TSTG
- 65 + 150
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
25
25
10
单位
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318 - 08 ， 10风格
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
TJ ， TSTG
556
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBF5484LT1 = 6B
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
（ IG = -1.0
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = - 20伏直流电， VDS = 0 ）
（ VGS = - 20伏直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 10 NADC ）
V（ BR ） GSS
IGSS
—
—
VGS （关闭）
– 0.3
– 1.0
– 0.2
– 3.0
NADC
μAdc
VDC
– 25
—
VDC
基本特征
零栅极电压漏电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
IDSS
1.0
5.0
MADC
小信号特性
正向转移导纳
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
输出导纳
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0千赫）
1， FR- 5 = 1.0
| YFS |
| YOS |
3000
—
6000
50
μmhos
μmhos
0.75
0.062英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MMBF5484LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
小信号特性（续）
输入电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 10兆赫）
输出电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
CRSS
科斯
—
—
—
5.0
1.0
2.0
pF
pF
pF
功能特点
噪声系数
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0 MADC ， YG = 1.0毫姆欧）
（ RG = 1.0千欧， F = 100兆赫）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， YG = 1.0
μmhos ）
（ RG = 1.0 MΩ ， F = 1.0千赫）
共源功率增益
（ VDS = 15 VDC ， ID = 1.0 MADC ， F = 100兆赫）
NF
—
—
全球定位系统
16
3.0
2.5
25
dB
dB
功率增益
24
F = 100 MHz的
20
PG ，功率增益（分贝）
16
12
400兆赫
Tchannel = 25°C
VDS = 15 VDC
VGS = 0 V
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
ID ，漏极电流（毫安）
12
14
8.0
4.0
图1.影响漏极电流
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBF5484LT1
参考
称号
中和
COIL
输入
50
来源
C1
C5
Rg
′
L3
C6
VGS
常见
VDS
+15 V
L1
C2
C4
例
C7
ID = 5.0毫安
C3
500
负载
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
L1
L2
L3
价值
100兆赫
7.0 pF的
1000 pF的
3.0 pF的
1-12 pF的
1-12 pF的
0.0015
F
0.0015
F
3.0
H*
0.15
H*
0.14
H*
400兆赫
1.8 pF的
17 pF的
1.0 pF的
0.8-8.0 pF的
0.8-8.0 pF的
0.001
F
0.001
F
0.2
H**
0.03
H**
0.022
H**
L2
调整为VGS
ID = 50毫安
VGS < 0伏
*L1
注意：
噪声源是热感冒的身体
（ AIL类型70或同等学历）与
测试接收机（ AIL型136或同等学历）。
**L1
*L2
*L3
17圈， （约 - 取决于电路设计） AWG ＃ 28
漆包线，在9/32 “陶瓷线圈紧密缠绕
形式。调整由铁粉蛞蝓提供。
4-1 / 2圈， AWG ＃ 18漆包线， 5/16 “长，
3/8 “内径（空芯） 。
3-1 / 2圈， AWG ＃ 18漆包线， 1/4 “长，
3/8 “内径（空芯） 。
**L2
**L3
6圈， （约 - 取决于电路设计） AWG ＃ 24
漆包线，在7/32 “陶瓷线圈紧密缠绕
形式。通过调整铝塞提供。
1圈， AWG ＃ 16漆包线， 3/8“内径
（空芯） 。
1/2圈， AWG ＃ 16漆包线， 1/4“ ID
（空芯） 。
图2. 100兆赫和400兆赫中性化测试电路
噪声系数
（ Tchannel = 25°C ）
10
ID = 5.0毫安
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
NF ，噪声系数（dB ）
5.5
6.5
VDS = 15 V
VGS = 0 V
6.0
F = 400 MHz的
4.0
4.5
F = 400 MHz的
3.5
2.0
0
0
100兆赫
2.0
4.0 6.0 8.0
10
12
14
16
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
18
20
2.5
1.5
0
2.0
100兆赫
4.0
6.0
8.0
10
ID ，漏极电流（毫安）
12
14
图3.影响的漏源电压
图4.影响漏极电流
互调特性
+ 40
噘嘴，输出功率PER TONE （分贝）
+ 20
0
– 20
– 40
– 60
– 80
– 100
– 120
– 140
– 160
– 120
基本
输出@ IDSS ，
0.25 IDSS
– 100
三阶IMD
输出@ IDSS ，
0.25 IDSS
VDS = 15 VDC
F1 = 399 MHz的
F2 = 400 MHz的
3阶截取
– 80
– 60
– 40
– 20
引脚，输入功率PER TONE （分贝）
0
+ 20
图5.三阶互调失真
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBF5484LT1
常见源特性
纳参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C）
遗传资源，反纳（毫姆欧）
BRS ，反纳（毫姆欧）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
GIS @ 0.25 IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
10
20
30
二@ IDSS
5.0
3.0
2.0
BRS @ IDSS
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
遗传资源@智能决策支持系统，智能决策支持系统0.25
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.25 IDSS
地理信息系统，输入电导（毫姆欧）
二，输入纳（毫姆欧）
GIS @ IDSS
二@ 0.25 IDSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
图6.输入导纳（彝族）
图7.反向传输导纳（年）
政府飞行服务队，正向跨导（毫姆欧）
| B FS | ，FORWARD纳（毫姆欧）
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
| BFS | @ IDSS
| BFS | @ 0.25 IDSS
GOS ，输出导纳（姆欧）
不中，输出纳（姆欧）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
GOS @ 0.25 IDSS
GOS @ IDSS
BOS @ IDSS和0.25 IDSS
GFS @ IDSS
GFS @ 0.25 IDSS
图8.正向纳（ YFS ）
图9.输出导纳（ YOS ）
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBF5484LT1
常见源特性
S-参数
（ VDS = 15 VDC ， Tchannel = 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
1.0
350°
100
100
0.9
50°
300
0.8
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.7
ID = IDSS
500
400
600
500
600
0.6
800
900
700
900
700
800
280°
270°
260°
250°
240°
80°
90°
100°
110°
120°
290°
70°
400
300
200
100
270°
260°
250°
240°
0.0
280°
300°
60°
600
800
700
500
0.1
200
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.4
350°
340°
330°
320°
ID = 0.25 IDSS
200
300
0.3
400
310°
50°
ID = IDSS ， 0.25 IDSS
900
0.2
300°
290°
310°
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图10. S11s
30°
40°
20°
10°
0°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
图11. S12S
10°
0°
350°
340°
330°
100 200
ID = 0.25 IDSS
300
1.0
400
100 200
500
300
600
400
700
0.9
500
800
600
ID = IDSS
700
900
800
900
0.8
320°
0.6
50°
0.5
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
900
800
700
600
500
400
300
ID = IDSS
240°
200
100
0.5
230°
0.6
130°
120°
800
700
600
ID = 0.25 IDSS
500
400
300
200
100
0.4
250°
110°
0.3
900
0.3
280°
270°
260°
80°
90°
100°
0.4
300°
290°
60°
70°
310°
50°
310°
300°
0.7
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.6
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图12. S21s
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
图13. S22s
5
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