MMBF5460LT1
JFET - 通用
晶体管
P- CHANNEL
特点
http://onsemi.com
2 SOURCE
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
漏极 - 栅极电压
反向栅源电压
正向栅电流
符号
V
DG
V
GSR
I
GF
价值
40
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
1 DRAIN
3
门
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
10风格
最大
单位
1
2
3
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
标记图
M6E M
G
G
1
M6E =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBF5460LT1
MMBF5460LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第2版
出版订单号：
MMBF5460LT1/D
MMBF5460LT1
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
I
D
，漏极电流（毫安）
5.0
10
6.0毫安
10毫安
I
DSS
= 3.0毫安
10
V
DS
= 15 V
F = 1.0千赫
C，电容（pF ）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
C
OSS
C
RSS
10
20
30
V
DS
，漏源极电压（伏）
40
C
国际空间站
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0
OSS ，输出电阻（千欧）
图7.输出电阻
与漏极电流
图8.电容与
漏源电压
10
9.0
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1.0
10
100
1000
R
S
，源电阻（千欧）
10,000
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0
F = 100赫兹
图9.噪声系数与
源电阻
v
i
C
RSS
C
国际空间站
r
OSS
C
OSS
| y
fs
| v
i
常见的来源
当频率y参数
30 MHz以下
y
is
= JW
国际空间站
y
os
= JW
OSP
* + 1/r
OSS
y
fs
= y
fs
|
y
rs
= -jw
RSS
*C
OSP
是C
OSS
在用C的串联组合并联
国际空间站
和C
RSS
.
注意：
1.图形数据被提交DC条件。表格数据给出
对于脉冲条件（脉冲宽度= 630毫秒，占空比= 10 ％） 。
图10.等效低频电路
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4
MMBF5460LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，
新标准318-08 。
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格10 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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