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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1586页 > MMBF4416LT1_06
MMBF4416LT1
首选设备
JFET VHF / UHF放大器
晶体管
N沟道
特点
http://onsemi.com
2 SOURCE
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
栅电流
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
G
价值
30
30
30
10
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
3
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
1
2
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318
10风格
1 DRAIN
3
门
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局，
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
1
M6A M
G
G
M6A =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
订购信息
设备
MMBF4416LT1
MMBF4416LT1G
包
SOT23
航运
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年2月 - 第3版
出版订单号：
MMBF4416LT1/D
MMBF4416LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅源击穿电压（I
G
= 1.0
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0, T
A
= 150°C)
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
V
GS
30
1.0
1.0
200
6.0
5.5
VDC
NADC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
门源截止电压（I
D
= 1.0 NADC ，V
DS
= 15 VDC ）
栅源电压（I
D
= 0.5 MADC ，V
DS
= 15 VDC ）
基本特征
零栅极电压漏电流（V
GS
= 15 VDC ，V
GS
= 0)
门源正向电压（I
G
= 1.0 MADC ，V
DS
= 0)
小信号特性
正向转移导纳（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 kHz）的
输出导纳（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 kHz）的
输入电容（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 10 MHz）的
输出电容（V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
I
DSS
V
GS （ F）
5.0
15
1.0
MADC
VDC
毫姆欧
毫姆欧
pF
pF
pF
|Y
fs
|
|y
os
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
4500
7500
50
4.0
0.8
2.0
常见源特性
纳参数
(V
DS
= 15 VDC ，T
通道
= 25°C)
遗传资源，反纳（毫姆欧）
BRS ，反纳（毫姆欧）
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
g
is
@ 0.25 I
DSS
1.0
0.7
0.5
0.3
10
20
30
b
is
@ I
DSS
5.0
3.0
2.0
b
rs
@ I
DSS
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
g
rs
@ I
DSS
, 0.25 I
DSS
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.25 I
DSS
地理信息系统，输入电导（毫姆欧）
二，输入纳（毫姆欧）
g
is
@ I
DSS
b
is
@ 0.25 I
DSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
图1.输入导纳（Y
is
)
政府飞行服务队，正向跨导（毫姆欧）
| B FS | ，FORWARD纳（毫姆欧）
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
|b
fs
| @ I
DSS
|b
fs
| @ 0.25 I
DSS
GOS ，输出导纳（姆欧）
不中，输出纳（姆欧）
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
图2.反向传输导纳（Y
rs
)
g
fs
@ I
DSS
g
fs
@ 0.25 I
DSS
b
os
@ I
DSS
0.25我
DSS
g
os
@ I
DSS
g
os
@ 0.25 I
DSS
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
图3.正向纳（Y
fs
)
http://onsemi.com
2
图4.输出导纳（Y
os
)
MMBF4416LT1
常见源特性
S-参数
(V
DS
= 15 VDC ，T
通道
= 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
1.0
350°
100
100
0.9
50°
300
0.8
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.7
I
D
= I
DSS
500
400
600
500
600
0.6
800
900
700
900
700
800
280°
270°
260°
250°
240°
80°
90°
100°
110°
120°
290°
70°
400
300
200
100
0.0
280°
270°
260°
250°
240°
300°
60°
600
800
700
500
0.1
200
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.4
350°
340°
330°
320°
I
D
= 0.25 I
DSS
200
300
400
0.3
310°
50°
I
D
= I
DSS
, 0.25 I
DSS
900
0.2
300°
290°
310°
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图5. S
11s
30°
40°
20°
10°
0°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
图6。■
12s
0°
350°
340°
330°
100 200
I
D
= 0.25 I
DSS
300
1.0
400
100 200
500
300
600
400
700
0.9
500
800
600
I
D
= I
DSS
700
900
800
900
0.8
320°
0.6
50°
0.5
60°
70°
80°
90°
100°
110°
120°
900
800
700
600
500
400
300
I
D
= I
DSS
240°
200
100
0.5
230°
0.6
130°
120°
800
700
600
I
D
= 0.25 I
DSS
500
400
300
200
100
0.4
250°
110°
0.3
900
0.3
280°
270°
260°
80°
90°
100°
0.4
300°
290°
60°
70°
310°
50°
310°
300°
0.7
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.6
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图7. S
21s
http://onsemi.com
3
图8. S
22s
MMBF4416LT1
共栅极特性
纳参数
(V
DG
= 15 VDC ，T
通道
= 25°C)
20
演出，输入电导（毫姆欧）
大，输入纳（毫姆欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
20
30
广电运通，反向纳（毫姆欧）
BRG ，反纳（毫姆欧）
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
g
ig
@ I
DSS
, 0.25 I
DSS
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.25 I
DSS
b
rg
@ I
DSS
g
ig
@ I
DSS
g
rg
@ 0.25 I
DSS
b
ig
@ I
DSS
b
ig
@ 0.25 I
DSS
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
0.007
0.005
图9.输入导纳（Y
ig
)
图10.反向传输导纳（Y
rg
)
GFG ，正向跨导（毫姆欧）
BFG ， FORWARD纳（毫姆欧）
高格，输出导纳（毫姆欧）
沼泽， OUTPUT纳（毫姆欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
10
20
30
b
fg
@ I
DSS
g
fg
@ I
DSS
g
fg
@ 0.25 I
DSS
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
b
og
@ I
DSS
, 0.25 I
DSS
g
og
@ I
DSS
b
rg
@ 0.25 I
DSS
g
og
@ 0.25 I
DSS
0.01
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
10
20
30
50 70 100
200 300
男，频率（MHz）
500 700 1000
图11.正向转移导纳（Y
fg
)
图12.输出导纳（Y
og
)
http://onsemi.com
4
MMBF4416LT1
共栅极特性
S-参数
(V
DS
= 15 VDC ，T
通道
= 25 ° C，数据点以MHz为单位）
30°
40°
20°
10°
0°
0.7
100
0.6
50°
100
0.5
60°
I
D
= I
DSS
70°
80°
90°
100°
110°
120°
0.4
200
300
400
500
600
900
700
0.3
800
900
280°
270°
260°
250°
240°
80°
90°
100°
I
D
= I
DSS
110°
120°
700
800
900
130°
230°
130°
900
0.03
230°
600
100
500
600
700
800
240°
0.02
I
D
= 0.25 I
DSS
0.01
0.0
280°
270°
260°
250°
I
D
= 0.25 I
DSS
200
300
400
500
600
700
800
290°
70°
0.01
290°
0.02
300°
60°
300°
310°
50°
0.03
310°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
10°
0°
0.04
350°
340°
330°
320°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
0.04
180°
190°
200°
210°
220°
图13. S
11g
30°
40°
20°
10°
0°
0.5
100
0.4
50°
0.3
60°
70°
80°
0.1
90°
100°
110°
120°
900
900
260°
250°
240°
100°
110°
120°
0.2
I
D
= 0.25 I
DSS
300°
290°
280°
270°
60°
70°
80°
90°
I
D
= I
DSS
100
310°
50°
350°
340°
330°
320°
40°
30°
20°
图14. S
12g
10°
0°
1.5
1.0
100
0.9
350°
300
200
400
600
800
900
310°
340°
500
700
330°
320°
I
D
= I
DSS
, 0.25 I
DSS
0.8
300°
0.7
290°
280°
270°
260°
250°
240°
0.6
130°
230°
130°
230°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
140°
150°
160°
170°
180°
190°
200°
210°
220°
图15. S
21g
http://onsemi.com
5
图16. S
22g
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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