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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1175页 > MMBF170LT3G
MMBF170LT1
功率MOSFET
500毫安, 60 V
N沟道SOT- 23
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
漏电流 - 连续
- 脉冲
符号
V
DSS
V
DGS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
价值
60
60
±
20
±
40
0.5
0.8
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
http://onsemi.com
500毫安, 60 V
R
DS ( ON)
= 5
W
SOT-23
CASE 318
21风格
N沟道
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注1 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
- 55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
最大
单位
2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1, FR- 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
标记图
&放大器;引脚分配
3
6Z MG
G
门1
2 SOURCE
6Z
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司, 2008年
1
2008年4月 - 6牧师
出版订单号:
MMBF170LT1/D
MMBF170LT1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压(V
GS
= 0, I
D
= 100
毫安)
门体漏电流,正向(V
GSF
= 15 VDC ,V
DS
= 0)
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 mA)的
静态漏源导通电阻(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 200 mA)的
通态漏电流(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 10 VDC ,V
GS
= 0 V , F = 1.0兆赫)
开关特性
(注1 )
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
(V
DD
= 25伏直流,我
D
= 500毫安,R
= 50
W)
图1
t
D(上)
t
D(关闭)
-
-
10
10
ns
C
国际空间站
-
60
pF
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D(关闭)
0.8
-
-
3.0
5.0
0.5
VDC
W
mA
V
( BR ) DSS
I
GSS
60
-
-
10
VDC
NADC
符号
最大
单位
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
订购信息
设备
MMBF170LT1
MMBF170LT1G
MMBF170LT3
MMBF170LT3G
SOT- 23 ( TO- 236 )
SOT- 23 ( TO- 236 )
(无铅)
SOT- 23 ( TO- 236 )
SOT- 23 ( TO- 236 )
(无铅)
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
+25 V
t
on
t
D(上)
125
W
脉冲
发电机
50
W
V
in
40 pF的
20分贝50
W
衰减器
抽样
范围
50
W
输入
产量
V
OUT
输入
50%
50
W
1兆瓦
V
in
10%
脉冲宽度
t
r
90%
10%
90%
50%
t
D(关闭)
90%
t
关闭
t
f
V
OUT
(V
in
振幅10伏)
图1.开关测试电路
图2.开关波形
http://onsemi.com
2
MMBF170LT1
典型电气特性
1.2
V
GS
= 10 V
I
D
,漏电流( A)
1.0
0.8
4.2 V
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
,漏极至源极电压( V)
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
7
T
J
= 25°C
1.0
V
DS
10 V
I
D
,漏电流( A)
0.8
5.0 V
4.5 V
0.6
0.4
T
J
= 150°C
0.2
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
1
2
3
4
5
6
7
8
0
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图3.在区域特征
R
DS ( ON)
,漏源电阻( W)
图4.传输特性
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.15
V
GS
= 10 V
0.25
0.35
0.45
0.55
0.65
0.75
0.85
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25°C
15
30
QT
25
V
DS
,漏极至源极电压( V)
12.5
10
V
DS
7.5
5
2.5
0
0
0.5
1
1.5
Q
g
,总栅极电荷( NC)
Q
gs
Q
gd
I
D
= 0.5 A
T
J
= 25°C
V
GS
20
15
10
5
0
2
I
D
,漏电流( A)
图5.导通电阻与漏电流和
栅极电压
图6.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
0.24
0.22
I
S
,源电流( A)
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图7.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
3
MMBF170LT1
典型电气特性
VGS ( th)时,阈值电压(标准化)
R DS(ON ),静态漏源导通电阻
(归一化)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
- 60
- 20
20
60
T,温度( ° C)
100
140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
- 60
- 20
20
60
T,温度( ° C)
100
140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图8.温度与静
漏源导通电阻
图9.温度与门
阈值电压
http://onsemi.com
4
MMBF170LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4. 318-01 THRU -07和-09已过时,新标准318-08 。
E
HE
c
1
2
b
e
q
A
L
A1
L1
视图C
0.25
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 : 1
mm
英寸
SOT-23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话: 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真: 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件: orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MMBF170LT1/D
MMBF170LT1
功率MOSFET
500毫安, 60 V
N沟道SOT- 23
特点
无铅包可用
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
漏电流 - 连续
- 脉冲
符号
V
DSS
V
DGS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
价值
60
60
±
20
±
40
0.5
0.8
单位
VDC
VDC
VDC
VPK
ADC
1
单位
http://onsemi.com
500毫安, 60 V
R
DS ( ON)
= 5
W
N沟道
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注1 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
2
3
最大
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记图
6Z
W
6Z
W
=器件代码
=工作周
引脚分配
3
门1
2 SOURCE
订购信息
看到详细的订购和发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年2月 - 第4版
出版订单号:
MMBF170LT1/D
MMBF170LT1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压(V
GS
= 0, I
D
= 100
毫安)
门体漏电流,正向(V
GSF
= 15 VDC ,V
DS
= 0)
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 mA)的
静态漏源导通电阻(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 200 mA)的
通态漏电流(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 10 VDC ,V
GS
= 0 V , F = 1.0兆赫)
开关特性
(注1 )
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 25伏直流,我
D
= 500毫安,R
= 50
W)
图1
t
D(上)
t
D(关闭)
10
10
ns
C
国际空间站
60
pF
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
I
D(关闭)
0.8
3.0
5.0
0.5
VDC
W
mA
V
( BR ) DSS
I
GSS
60
10
VDC
NADC
符号
最大
单位
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
订购信息
设备
MMBF170LT1
MMBF170LT1G
MMBF170LT3
MMBF170LT3G
SOT- 23 ( TO- 236 )
SOT- 23 ( TO- 236 )
(无铅)
SOT- 23 ( TO- 236 )
SOT- 23 ( TO- 236 )
(无铅)
航运
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
+25 V
t
on
t
D(上)
125
W
脉冲
发电机
50
W
V
in
40 pF的
20分贝50
W
衰减器
抽样
范围
50
W
输入
产量
V
OUT
输入
50%
50
W
1兆瓦
V
in
10%
脉冲宽度
t
r
90%
10%
90%
50%
t
D(关闭)
90%
t
关闭
t
f
V
OUT
(V
in
振幅10伏)
图1.开关测试电路
图2.开关波形
http://onsemi.com
2
MMBF170LT1
典型电气特性
2.0
1.8
I D ,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS
,漏源极电压(伏)
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
T
A
= 25°C
I D ,漏极电流( AMPS )
V
GS
= 10 V
9V
8V
1.0
V
DS
= 10 V
0.8
55
°C
125°C
25°C
0.6
0.4
0.2
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS
,门源极电压(伏)
9.0
10
图3.欧姆区
图4.传输特性
R DS(ON ),静态漏源导通电阻
(归一化)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
60
20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
VGS ( th)时,阈值电压(标准化)
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
60
20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图5.温度与静
漏源导通电阻
图6.温度与门
阈值电压
http://onsemi.com
3
MMBF170LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧,新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
风格21 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 : 1
mm
英寸
SOT23
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
热复合是贝格斯公司的注册商标。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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