UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
初步
MMBF170
0.5A , 60V N沟道
增强型场
场效应晶体管
描述
在UTC
MMBF170
是N沟道增强型MOSFET
UTC采用先进的技术,为客户提供
完美
DS ( ON)
低输入电容,低栅阈值电压
和高开关速度。
功率MOSFET
特点
* R
DS ( ON)
<5mΩ @ V
GS
=10V,I
D
=0.2A
*高开关速度
*低输入电容(典型值22pF的)
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
MMBF170L-AE2-R
MMBF170G-AE2-R
注:引脚分配: G:门D:漏极
S:源
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
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2011 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-629.a
MMBF170
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
60
V
连续
±20
V
栅源电压
V
GSS
脉冲
±40
V
漏极 - 栅极电压
GS
≤1.0M
V
DGR
60
V
连续
I
D
500
mA
漏电流(注2 )
脉冲
I
DM
800
mA
功率耗散(注2 )
225
mW
P
D
降额以上的牛逼
A
= 25℃ (注2 )
1.80
毫瓦/°C的
结温
T
J
150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注:1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.有效的前提是终端保持在规定的环境温度。
热特性
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
556
单位
° C / W
电气特性
(T
A
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
开关特性
(注1 )
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
前锋
栅源漏电流
反向
基本特征
(注1 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
I
D
= 100μA ,V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=0V, V
GS
=+15V
V
DS
=0V, V
GS
=-15V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
= 10V ,我
D
=200mA
V
GS
= 4.5V ,我
D
=50mA
V
DS
= 10V ,我
D
=0.2A
最小典型最大单位
60
70
1.0
+10
-10
0.8
2.1
3.0
5.0
5.3
V
A
nA
nA
V
mS
22
11
2.0
40
30
5.0
10
10
pF
pF
pF
ns
ns
正向跨导
g
FS
动力参数
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D(上)
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
注意事项: 1,脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤2%.
80
V
GS
=0V, V
DS
= 10V , F = 1.0MHz的
V
DD
= 25V ,我
D
= 0.5A ,V
GS
=10V,
R
根
=50
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或
其他参数)的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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可靠,可恕不另行通知。
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