乐山无线电公司， LTD 。
肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管，主要用于高效率的UHF和VHF设计
探测器的应用程序。随时提供给其他很多快速切换的RF和数字
应用程序。它们都装在SOT -323 / SC-70封装，其目的是为
低功率表面贴装应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
·低反向漏
可在8毫米磁带和卷轴
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
3
1
2
CASE 419-02 ，花柱2
器件标识
MMBD110T1 = 4M
最大额定值
等级
反向电压
SOT - 323 / SC - 70
MMBD330T1 = 4T
MMBD770T1 = 5H
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55 + 150℃
典型值
10
—
—
0.88
0.9
0.5
20
13
9.0
6.0
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
单位
VDC
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
前向功率耗散
T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
mW
°C
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
反向击穿电压
V
（ BR ）R
(I
R
= 10
A)
MMBD110T1
7.0
MMBD330T1
MMBD770T1
二极管电容
(V
R
= 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
(V
R
= 15伏中，f = 1.0 MHz）的
(V
R
= 20伏中，f = 1.0 MHz）的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 mA）的
C
T
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
I
R
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
NF
MMBD110T1
V
F
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
70
最大
—
—
—
单位
伏
pF
1.0
1.5
1.0
NADC
250
200
200
dB
—
VDC
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
MMBD110 。 330. 770T1-1 / 4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD110T1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
VR = 3.0伏
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
1.0
TA = 25°C
MMBD110T1
0.02
MMBD110T1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
TA ，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
VF ，正向电压（伏）
0.7
0.8
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
0.9
9
8
7
6
5
4
3
MMBD110T1
2
4.0
1
0.1
0.2
0.8
0.7
MMBD110T1
0.5
1.0
2.0
5.0
巴解组织，本振功率（mW ）
10
0.6
0
1.0
2.0
3.0
VR ，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
注意测试和规格
注1 - C
C
和C
T
采用电容电桥测量
（ Boonton的电子型号75A或同等学历）。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
使用超高频噪声源和本地振荡器贴装二极管（LO ）
频率为1.0 GHz的。本振功率调整为1.0毫瓦。
I
F
放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到图5
图5.噪声系数测试放大电路
MMBD110 。 330. 770T1-2 / 4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD330T1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
500
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MMBD330T1
MMBD330T1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
18
9.0
12
15
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MMBD330T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD330T1
IF ，正向电流（mA ）
TA = - 40°C
10
TA = 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
TA = 75℃
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
MMBD110 。 330. 770T1-3 / 4
乐山无线电公司， LTD 。
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD770T1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
500
MMBD770T1
MMBD770T1
400
克拉考尔法
300
1.2
t
，少数载流子寿命（ PS ）
50
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MMBD770T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD770T1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
TA = 75℃
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
MMBD110 。 330. 770T1-4 / 4
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
BY MMBD110T1 / D
肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管，主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。随时提供给其他很多快速切换的RF
和数字应用。它们都装在SOT -323 / SC-70封装
这是专为低功耗表面贴装应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
可在8毫米磁带和卷轴
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
3
1
2
CASE 419A -02 ，花柱2
SOT-323/SC–70
最大额定值
等级
反向电压
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
符号
VR
价值
7.0
30
70
120
- 55 + 125
- 55 + 150
单位
VDC
前向功率耗散
TA = 25°C
结温
存储温度范围
PF
TJ
TSTG
mW
°C
°C
器件标识
MMBD110T1 = 4M
MMBD330T1 = 4T
MMBD770T1 = 5H
热复合是贝格斯公司的注册商标。
摩托罗拉
公司1996年
摩托罗拉，
小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
A)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
CT
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
IR
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
NF
MMBD110T1
VF
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
20
13
9.0
250
200
200
dB
—
—
—
0.88
0.9
0.5
1.0
1.5
1.0
NADC
符号
V（ BR ）R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
pF
民
典型值
最大
单位
伏
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
（ VR = 15伏， F = 1.0兆赫）
（ VR = 20伏， F = 1.0 MHZ ）
反向漏
（ VR = 3.0V）
（ VR = 25 V ）
（ VR = 35 V ）
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD110T1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
VR = 3.0伏
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
1.0
TA = 25°C
MMBD110T1
0.02
MMBD110T1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
TA ，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
VF ，正向电压（伏）
0.7
0.8
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
0.9
9
8
7
6
5
4
3
MMBD110T1
2
4.0
1
0.1
0.2
0.8
0.7
MMBD110T1
0.5
1.0
2.0
5.0
巴解组织，本振功率（mW ）
10
0.6
0
1.0
2.0
3.0
VR ，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - CC和CT使用的是电容电桥测量
（ Boonton的电子型号75A或同等学历）。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
贴装二极管采用超高频噪声源和局部振荡
荡器（ LO ）频率为1.0 GHz的。本振功率为AD-
justed为1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5 dB时， F = 30
兆赫，见图5 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD330T1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
500
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MMBD330T1
MMBD330T1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MMBD330T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD330T1
IF ，正向电流（mA ）
TA = - 40°C
10
TA = 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
TA = 75℃
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD770T1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
500
MMBD770T1
MMBD770T1
400
克拉考尔法
300
1.2
t
，少数载流子寿命（ PS ）
50
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MMBD770T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD770T1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
TA = 75℃
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
BY MMBD110T1 / D
肖特基势垒二极管
肖特基势垒二极管，主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。随时提供给其他很多快速切换的RF
和数字应用。它们都装在SOT -323 / SC-70封装
这是专为低功耗表面贴装应用。
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
可在8毫米磁带和卷轴
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
3
1
2
CASE 419A -02 ，花柱2
SOT-323/SC–70
最大额定值
等级
反向电压
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
符号
VR
价值
7.0
30
70
120
- 55 + 125
- 55 + 150
单位
VDC
前向功率耗散
TA = 25°C
结温
存储温度范围
PF
TJ
TSTG
mW
°C
°C
器件标识
MMBD110T1 = 4M
MMBD330T1 = 4T
MMBD770T1 = 5H
热复合是贝格斯公司的注册商标。
摩托罗拉
公司1996年
摩托罗拉，
小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
（IR = 10
A)
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
CT
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
IR
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
NF
MMBD110T1
VF
MMBD110T1
MMBD330T1
MMBD770T1
—
—
—
—
—
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
—
6.0
—
VDC
—
—
—
20
13
9.0
250
200
200
dB
—
—
—
0.88
0.9
0.5
1.0
1.5
1.0
NADC
符号
V（ BR ）R
7.0
30
70
10
—
—
—
—
—
pF
民
典型值
最大
单位
伏
二极管电容
（ VR = 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
（ VR = 15伏， F = 1.0兆赫）
（ VR = 20伏， F = 1.0 MHZ ）
反向漏
（ VR = 3.0V）
（ VR = 25 V ）
（ VR = 35 V ）
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
（ IF = 1.0 MADC ）
（ IF = 10 mA）的
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD110T1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
VR = 3.0伏
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
1.0
TA = 25°C
MMBD110T1
0.02
MMBD110T1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
TA ，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
VF ，正向电压（伏）
0.7
0.8
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
0.9
9
8
7
6
5
4
3
MMBD110T1
2
4.0
1
0.1
0.2
0.8
0.7
MMBD110T1
0.5
1.0
2.0
5.0
巴解组织，本振功率（mW ）
10
0.6
0
1.0
2.0
3.0
VR ，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - CC和CT使用的是电容电桥测量
（ Boonton的电子型号75A或同等学历）。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
贴装二极管采用超高频噪声源和局部振荡
荡器（ LO ）频率为1.0 GHz的。本振功率为AD-
justed为1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5 dB时， F = 30
兆赫，见图5 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD330T1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
500
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MMBD330T1
MMBD330T1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
VR ，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
40
60
30
50
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MMBD330T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD330T1
IF ，正向电流（mA ）
TA = - 40°C
10
TA = 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
TA = 75℃
0.1
0.01
TA = 25°C
1.0
TA = 25°C
0.001
0
6.0
12
18
VR ，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
VF ，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBD110T1 MMBD330T1 MMBD770T1
典型特征
MMBD770T1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
500
MMBD770T1
MMBD770T1
400
克拉考尔法
300
1.2
t
，少数载流子寿命（ PS ）
50
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ，反向电压（伏）
40
45
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MMBD770T1
1.0
TA = 100℃
100
MMBD770T1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
TA = 75℃
0.1
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0
10
20
30
VR ，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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