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MMBD6050-V
威世半导体
小信号开关二极管
特点
硅外延平面二极管
快速开关二极管的情况下， SOT- 23 ，
e3
特别适用于自动插入。
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
3
1
2
16923
机械数据
案例：
SOT- 23塑料外壳
重量：
约。 8.8毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
MMBD6050-V
订购代码
MMBD6050 -V - GS18或MMBD6050 -V- GS08
5AM
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
连续反向电压
正向电流
峰值正向浪涌电流
最大功率耗散
在FR - 5板
1)
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
70
200
500
225
1.8
300
2.4
单位
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
T
A
= 25 °C
减免上述25℃
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
最大功率耗散
在氧化铝基板
1)
2)
2)
T
A
= 25 °C
减免上述25℃
FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
文档编号85735
修订版1.3 ， 07 -APR- 05
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1
MMBD6050-V
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热电阻FR- 5
结到环境的氧化铝
最高结温
存储温度范围
测试条件
符号
R
thJA
R
thJA
T
j
T
S
价值
556
417
150
- 55至+ 150
单位
℃; / W
° C / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
正向电压
反向漏电流
反向恢复时间
二极管电容
测试条件
I
R
= 100
A
I
F
= 1毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V
I
F
= I
R
= 10 mA时，我
rr
= 1毫安
V
R
= 0
符号
V
（ BR ）R
V
F
V
F
I
R
t
rr
C
合计
民
70
0.55
0.85
0.7
1.1
0.1
4
2.5
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
ns
pF
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
r
f
- 动态正向电阻（
)
100
P
合计
- 容许功耗（MW ）
500
400
300
200
100
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
10
1
18861
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
18889
图1.动态正向电阻与正向电流
图2.容许功耗与环境温度
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2
文档编号85735
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MMBD6050-V
威世半导体
r
f
- 动态正向电阻（
)
10000
I
R
- 漏电流（ nA的）
10000
T
j
= 25
°
C
F = 1千赫
1000
1000
100
100
10
10
V
R
= 20 V
1
1
0.01
18662
0.1
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
18665
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
T
j
- 结温（
°
C )
图3.动态正向电阻与正向电流
图5.漏电流与结温
C
合计
- 相对电容（pF）
1.1
1.0
0.9
T
j
= 25
°
C
F = 1 MHz的
0.8
0.7
0
2
4
6
8
10
18664
V
R
- 反向电压（ V）
图4.相对电容与反向电压
100
I
I
FRM
- 容许重复
峰值正向电流（ A）
½
= t
p
/T
t
p
I
FRM
T = 1 /女
p
10
½
= 0
0.1
0.2
t
T
1
0.5
18666
0.1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
p
- 脉冲宽度（S ）
图6.容许重复峰值正向电流与脉冲持续时间
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MMBD6050-V
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
1.15 (.045)
0.175 (.007)
0.098 (.005)
0.1（ 0.004 ）最大。
0.4 (.016)
0.4 (.016)
2.6 (.102)
2.35 (.092)
0.95 (.037)
ISO方法E
3.1 (.122)
2.8 (.110)
0.4 (.016)
3
1.43 (.056)
1.20(.047)
贴装焊盘布局
0.52 (0.020)
0.9 (0.035)
2.0 (0.079)
1
0.95 (.037)
2
0.95 (.037)
0.95 (0.037)
0.95 (0.037)
17418
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文档编号85735
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MMBD6050-V
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85735
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