MMBD301M3T5G
硅热载流子二极管
肖特基二极管
该MMBD301M3T5G设备是一个剥离我们的流行
SOT- 23三含铅器件。它的设计主要是为
高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。它是容易
适用于许多其他快速切换的RF和数字应用
和被收纳在SOT -723表面贴装封装。该装置是
非常适用于低功率表面贴装应用中，电路板空间
溢价。
特点
http://onsemi.com
30伏特
硅热载流子
检测器和开关
二极管
极低的少数载流子寿命
15 PS （典型值）
非常低电容
1.5 pF的（最大） @ V
R
= 15 V
板级空间缩小
这是一种无卤化物设备
这是一个Pb - Free设备
3
阴极
1
阳极
最大额定值
等级
反向电压
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
R
P
F
价值
30
200
2.0
55
+125
55
+150
单位
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
3
记号
图
SOT723
CASE 631AA
方式2
AK M
2
1
AK
M
=具体设备守则
=日期代码
T
J
T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
MMBD301M3T5G
包
航运
SOT- 723 8000 / T
猿&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压（I
R
= 10
毫安）
总电容（V
R
= 15 V ， F = 1.0兆赫）图1
反向漏电流（V
R
= 25 V ）图3
正向电压（I
F
= 1.0 MADC ）图4
正向电压（I
F
= 10 MADC ）图4
符号
V
（ BR ）R
C
T
I
R
V
F
V
F
民
30
典型值
0.9
13
0.38
0.52
最大
1.5
200
0.45
0.6
单位
V
pF
NADC
VDC
VDC
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年1月
第0版
1
出版订单号：
MMBD301M3/D
MMBD301M3T5G
包装尺寸
SOT723
CASE 631AA -01
版本C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.最大引线厚度包括对引线
完成。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模
FLASH中，突出或毛刺。
X
b1
D
3
1
2
Y
E
b
2X
0.08 （ 0.0032 ） X Y
A
L
C
H
E
e
方式2 ：
PIN 1.阳极
2， N / C
3.阴极
暗淡
A
b
b1
C
D
E
e
H
E
L
MILLIMETERS
民
喃
最大
0.45
0.50
0.55
0.15
0.21
0.27
0.25
0.31
0.37
0.07
0.12
0.17
1.15
1.20
1.25
0.75
0.80
0.85
0.40 BSC
1.15
1.20
1.25
0.15
0.20
0.25
英寸
民
喃
最大
0.018 0.020 0.022
0.0059 0.0083 0.0106
0.010 0.012 0.015
0.0028 0.0047 0.0067
0.045 0.047 0.049
0.03 0.032 0.034
0.016 BSC
0.045 0.047 0.049
0.0059 0.0079 0.0098
焊接足迹*
0.40
0.0157
0.40
0.0157
1.0
0.039
0.40
0.0157
0.40
0.0157
0.40
0.0157
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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3
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