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MBD301 , MMBD301LT1
首选设备
硅热载流子二极管
肖特基势垒二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。它们容易适应许多其他
快速切换的RF和数字应用。他们在提供
廉价的塑料封装低成本,大批量消费
工业/商用的需求。它们也可用于一个可用的
表面贴装封装。
特点
http://onsemi.com
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.5 pF的(最大) @ V
R
= 15 V
低反向漏 - 我
R
= 13 NADC (典型值) MBD301 , MMBD301
无铅包可用
30伏特
硅热载流子
检测器和开关
二极管
MBD301
记号
TO92
(TO226AC)
CASE 182
风格1
兆位
301
AYWWG
G
最大额定值
MBD301
等级
反向电压
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作结
温度范围
存储温度范围
符号
V
R
P
F
280
2.8
T
J
T
英镑
200
2.0
-55到+125
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
MMBD301LT1
价值
30
单位
V
1
2
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
2
阴极
1
阳极
MMBD301LT1
记号
3
1
2
SOT23
(TO236)
CASE 318
风格8
4T M
G
G
1
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
3
阴极
1
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
1
2007年1月 - 第4版
出版订单号:
MBD301/D
MBD301 , MMBD301LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(I
R
= 10
毫安)
总电容(V
R
= 15 V , F = 1.0兆赫)图1
反向漏电流(V
R
= 25 V )图3
正向电压(I
F
= 1.0 MADC )图4
正向电压(I
F
= 10 MADC )图4
符号
V
( BR )R
C
T
I
R
V
F
V
F
30
典型值
0.9
13
0.38
0.52
最大
1.5
200
0.45
0.6
单位
V
pF
NADC
VDC
VDC
订购信息
设备
MBD301
MBD301G
MMBD301LT1
MMBD301LT1G
MMBD301LT3
MMBD301LT3G
TO92
TO92
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
SOT23
SOT23
(无铅)
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBD301 , MMBD301LT1
典型电气特性
2.8
(C T) ,总电容(PF )
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
18
9.0
12
15
21
V
R
,反向电压(伏)
24
27
30
F = 1.0 MHz的
500
t
,少数载流子寿命( PS )
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
I
F
,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
T
A
= 100°C
100
IF ,正向电流(mA )
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
10
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
0.1
75°C
0.01
25°C
1.0
T
A
= 25°C
0.001
0
6.0
12
18
V
R
,反向电压(伏)
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
,正向电压(伏)
1.0
1.2
图3.反向泄漏
图4.正向电压
I
F(峰)
电容式
传导
I
R(峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
http://onsemi.com
3
MBD301 , MMBD301LT1
包装尺寸
TO-92 (TO- 226AC )
案例182-06
ISSUE L
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
A
B
座位
飞机
R
D
K
L
X X
D
G
H
V
C
N
第X-X
1
2
N
http://onsemi.com
4
P
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
0.250
0.080
0.105
0.050
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.27 BSC
2.54 BSC
0.36
0.41
12.70
6.35
2.03
2.66
1.27
2.93
3.43
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
MBD301 , MMBD301LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带
损害赔偿。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不构成对任何许可
其专利权或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,
或有意其他应用程序来支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,
附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,任何索赔
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。
SCILLC是平等机会/ AF连接rmative行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
MBD301/D
MBD301G , MMBD301LT1G
硅热载流子二极管
肖特基势垒二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。它们容易适应许多其他
快速切换的RF和数字应用。他们在提供
廉价的塑料封装低成本,大批量消费
工业/商用的需求。它们也可用于一个可用的
表面贴装封装。
特点
http://onsemi.com
极低的少数载流子寿命
15 PS (典型值)
非常低电容
1.5 pF的(最大) @ V
R
= 15 V
低反向漏
I
R
= 13 NADC (典型值) MBD301 , MMBD301
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
30伏特
硅热载流子
检测器和开关
二极管
MBD301
记号
TO92
(TO226AC)
CASE 182
风格1
2
最大额定值
MBD301
等级
反向电压
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作结
温度范围
存储温度范围
符号
V
R
P
F
280
2.8
MMBD301LT1
价值
30
200
2.0
55
+125
55
+150
单位
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
兆位
301
AYWWG
G
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
2
阴极
1
阳极
T
J
T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
3
1
2
MMBD301LT1
记号
SOT23
(TO236)
CASE 318
风格8
4T M
G
G
1
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
3
阴极
1
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
启5
1
出版订单号:
MBD301/D
MBD301G , MMBD301LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(I
R
= 10
毫安)
总电容(V
R
= 15 V , F = 1.0兆赫)图1
反向漏电流(V
R
= 25 V )图3
正向电压(I
F
= 1.0 MADC )图4
正向电压(I
F
= 10 MADC )图4
符号
V
( BR )R
C
T
I
R
V
F
V
F
30
典型值
0.9
13
0.38
0.52
最大
1.5
200
0.45
0.6
单位
V
pF
NADC
VDC
VDC
订购信息
设备
MBD301G
MMBD301LT1G
MMBD301LT3G
TO92
(无铅)
SOT23
(无铅)
SOT23
(无铅)
航运
5000单位/散装
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBD301G , MMBD301LT1G
典型电气特性
2.8
(C T) ,总电容(PF )
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0
3.0
6.0
18
9.0
12
15
21
V
R
,反向电压(伏)
24
27
30
t
,少数载流子寿命( PS )
F = 1.0 MHz的
500
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
10
20
30
40
50
60
70
I
F
,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
IF ,正向电流(mA )
100
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
T
A
= 100°C
10
T
A
= 85°C
T
A
= - 40°C
0.1
75°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
25°C
0.001
0.1
0
6.0
12
18
V
R
,反向电压(伏)
24
30
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
,正向电压(伏)
1.0
1.2
图3.反向泄漏
图4.正向电压
I
F(峰)
电容式
传导
I
R(峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
http://onsemi.com
3
MBD301G , MMBD301LT1G
包装尺寸
TO-92 (TO- 226AC )
案例182-06
ISSUE L
A
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
B
座位
飞机
R
L
K
D
J
D
X X
G
H
V
C
N
第X-X
1
2
N
http://onsemi.com
4
P
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.050
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.27 BSC
2.54 BSC
0.36
0.41
12.70
---
6.35
---
2.03
2.66
---
1.27
2.93
---
3.43
---
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
MBD301G , MMBD301LT1G
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
09
过时了,新
标准318-08 。
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带
损害赔偿。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不构成对任何许可
其专利权或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,
或有意其他应用程序来支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,
附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,任何索赔
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。
SCILLC是平等机会/ AF连接rmative行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
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