SMD型
高电导率低漏二极管
MMBD1701/A,MMBD1703/A
MMBD1704/A,MMBD1705/A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
二极管
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
工作电压lnverse
平均整流电流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流脉冲宽度= 1.0秒
存储温度范围
工作结温
器件总功耗
减免上述25
热阻,结到环境
MMBD1701 / A / 1703 / A- 1705 / A *
*设备安装在玻璃环氧树脂1.6"
1.6"
0.06" ,安装垫集电极分钟。 0.93平方英寸。
R
JA
符号
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
f
T
英镑
T
J
P
D
价值
20
50
150
150
250
-55到+ 150
150
350
2.8
357
单位
V
mA
mA
mA
mA
mW
毫瓦/
/W
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
MMBD1701/A,MMBD1703/A
MMBD1704/A,MMBD1705/A
二极管
电气特性TA = 25
参数
击穿电压
反向电流
符号
B
V
I
R
条件
I
R
= 5.0
I
F
= 20 V
I
F
= 10
I
F
= 100
正向电压
V
F
A
A
420
520
640
760
810
0.89
A
民
30
50
500
610
740
880
950
1.1
1.0
最大
单位
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
pF
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 50毫安
二极管电容
反向恢复时间
MMBD1701-1705
MMBD1701A-1705A
C
D
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
T
RR
I
F
= I
R
= 10 mA时,我
RR
= 1.0毫安,R
L
= 100
I
F
= I
R
= 10 mA时,我
RR
= 1.0毫安,R
L
= 101
700
1.0
ps
ns
记号
TYPE
记号
MMBD1701 / A MMBD1703 / A MMBD1704 / A MMBD1705 / A
85/85A
87/87A
88/88A
89/89A
2
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MMBD1701 / A / 1703 / A / 1704 / A / 1705 / A
分立功率&信号
技术
MMBD1701 / A / 1703 / A / 1704 / A / 1705 / A
3
连接图
3
1
85
2
1701
3
3
1703
1
2 NC
3
1
3
2
2
1704
1705
SOT-23
1
MMBD1701
MMBD1703
MMBD1704
MMBD1705
记号
85
MMBD1701A
87
MMBD1703A
88
MMBD1704A
89
MMBD1705A
85A
87A
88A
89A
1
2
1
2
高电导率低漏二极管
从过程1T来源。
绝对最大额定值*
符号
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
F(浪涌)
T
英镑
T
J
工作电压逆
平均整流电流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
存储温度范围
工作结温
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
20
50
150
150
250
-55到+150
150
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲或低占空比操作的应用进行咨询
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
最大
MMBD1701 / A / 1703 / A- 1705 / A *
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在玻璃环氧树脂印刷电路板1.6" X 1.6" X 0.06" ;安装焊盘的集电极引线分钟。 0.93平方英寸
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MMBD1700版本B
MMBD1701 / A / 1703 / A / 1704 / A / 1705 / A
高电导率低漏二极管
(续)
电气特性
符号
B
V
I
R
V
F
TA = 25° C除非另有说明
参数
击穿电压
反向电流
正向电压
测试条件
I
R
= 5.0
A
V
R
= 20 V
I
F
= 10
A
I
F
= 100
A
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
I
F
= I
R
= 10毫安我
RR
= 1.0毫安,
R
L
= 100
I
F
= I
R
= 10毫安我
RR
= 1.0毫安,
R
L
= 100
民
30
最大
50
单位
V
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
pF
pS
nS
420
520
640
760
810
0.89
C
O
T
RR
二极管电容
反向恢复时间
MMBD1701-1705
MMBD1701A-1705A
500
610
740
880
950
1.1
1.0
700
1.0
典型特征
反向电压Vs反向电流
BV - 1.0到100微安
V
R
- 反向电压( V)
60
TA = 25℃
反向电流与反向电压
IR - 1至22 V
I
I
R
- 反向电流( NA)
R
10
TA = 25℃
5
50
0
1
40
1
2
3
5
10
20 30
I
R
- 反向电流( UA)
50
100
2
3
5
10
V
R
- 反向电压( V)
20
一般规则:一个二极管的反向电流约
双每十( 10 )摄氏度的温度上升
正向电压Vs正向电流
VF - 1.0到100微安
V
F
- 正向电压(毫伏)
600
550
500
450
400
350
300
1
2
3
5
10
20 30
50
I
F
- 正向电流( UA)
100
TA = 25℃
正向电压Vs正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
V
F
- 正向电压(毫伏)
850
800
750
700
650
600
550
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
I
F
- 正向电流(mA )
10
TA = 25℃
MMBD1701 / A / 1703 / A / 1704 / A / 1705 / A
高电导率低漏二极管
(续)
典型特征
(续)
正向电压Vs正向电流
VF - 10 - 200毫安
V
F
- 正向电压( V)
1.6
TA = 25℃
电容VS反向电流
VR - 0 15 V
1
电容(pF)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
TA = 25℃
1.4
1.2
1
0.8
10
20
30
50
100
I
F
- 正向电流(mA )
200
0
2
4
6
8
10
反向电压( V)
12
14
P - 功率耗散( mW)的
D
功耗,
平均整流电流(IO ) ,
正向电流(I
F
) &环境温度(T )
A
P
D
- 功耗(MW )
250
P
D
功率降额曲线
350
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100 125 150
IO - 平均气温
175
200
DO-7
SOT-23
200
I
R
-P
OW
-C
150
100
50
0
DI
SS
ON
IPA
TIN
OU
TI
ON
SF
OR
-m
WA
W
RD
CU
RR
EN
T-
IO - AVE
mA
RAGE
ECTIFIE
CURR
耳鼻喉 - 米
A
ER
0
25
50
75
100
125
150
o
T
A
- 环境温度( C)
175