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MMBD1201 / 1203 /一千二百零五分之一千二百零四
MMBD1201 / 1203 /一千二百零五分之一千二百零四
连接图
3
3
1201
3
3 1203
24
2
1
1
2
记号
MMBD1201 24
MMBD1203 26
MMBD1204 27
MMBD1205 28
1
1204 3
2NC
1
2
3 1205
SOT-23
1
2
1
2
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
100
200
1.0
2.0
-55到+150
150
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
*
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
350
357
单位
mW
° C / W
电气特性
符号
V
R
V
F
参数
击穿电压
正向电压
测试条件
I
R
= 100
A
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 300毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= I
R
= 10 mA时，我
RR
= 1.0毫安，
R
L
= 100
民
100
550
660
820
0.87
-
最大
600
740
920
1.0
1.1
25
50
5.0
2.0
4.0
单位
V
mV
mV
mV
V
V
nA
nA
A
pF
ns
I
R
反向电流
C
T
t
rr
总电容
反向恢复时间
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MMBD1200系列，版本C
MMBD1201 / 1203 /一千二百零五分之一千二百零四
小信号二极管
（续）
典型特征
150
TA = 25
°
C
300
TA = 25
°
C
反向电压， V
R
[V]
反向电流，I
R
[ nA的]
1
2
3
5
10
20
30
50
100
140
250
200
130
150
120
100
50
110
0
反向电流，I
R
[UA ]
10
20
30
50
70
100
反向电压， V
R
[V]
图1.反向电压VS反向电流
BV - 1.0 100uA的
图2.反向电流与反向电压
IR - 10至100 V
TA = 25
°
C
450
700
TA = 25
°
C
正向电压，V
F
[毫伏]
1
2
3
5
10
20
30
50
100
正向电压，V
F
[毫伏]
650
400
600
350
550
300
500
250
450
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
正向电流I
F
[UA ]
正向电流I
F
[马]
图3.正向电压随正向电流
VF - 1.0到100微安
图4.正向电压随正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
1.3
TA = 25
°
C
TA = 25
°
C
正向电压，V
F
[V]
总电容[ pF的]
10
20
30
50
100
200
300
500
1.4
1.2
1.2
1.0
1.1
0.8
0.6
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
FORW ARD光凭目前我
F
[M A]
EVERSE V oltage [ V]
图5.正向电压随正向电流
VF - 10 - 800毫安
图6.总电容VS反向电压
MMBD1200系列，版本C
MMBD1201 / 1203 /一千二百零五分之一千二百零四
小信号二极管
（续）
典型特征
（续）
4.0
400
TA = 25
°
C
反向恢复时间[纳秒]
3.5
300
3.0
电流[mA ]
2.5
200
I
F
（ AV
)
-A
V
ER
AG
2.0
ER
E
CT
100
如果IE浏览器
DC
UR
RE
1.5
0
NT
-m
A
150
1.0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
反向电流[mA ]
环境温度，T
A
[
°
C]
图7.反向恢复时间
VS反向电流
TRR - IR 10毫安VS 60毫安
图8.平均整流电流（I
F（ AV ）
)
与环境温度（T
A
)
500
功耗， P [毫瓦]
D
400
DO- 35 PKG
300
SOT- 23 PKG
200
100
0
0
50
100
150
200
平均牛逼EM perature ，我
O
[
°
C ]
图9.功率降额曲线
MMBD1200系列，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
SMD型
高电导率的超快速二极管
MMBD1201;MMBD1203
MMBD1204;MMBD1205
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
二极管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
A B S 0路忒米的个IM ü M R锡的s T A = 2 5
P一RA M E TE
W 0 RK以g为V è RS电子V LTA克é
A V ê RA克é 权证tifie维C ④此吨
D C F RW一个道中④此吨
权证④此吨P·E A K F RW一个道中④此吨
P·E A K F RW一个RD的SuI RG式C ④此吨
P ü LS东西ID TH = 1.0发E C 0 N D
P ü LS东西ID =第1 0.0米IC RO发E C 0 N D
S到RA克（E T） ê米P·Eラ恩重新R A N G - é
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e米P·Eラ恩重
T O服务た升D E V IC E D是的IP一个TIO N
D E RA TE的一种B○ V e 2的5
吨他RM人 es是TA NCE ，J UNC TIO N为A MB也就是新台币
R
JA
S YM BOL
W
IV
伏鲁é
50
200
600
700
0-0.1
加利IT
V
mA
mA
mA
I
O
I
F
i
f
i
F（ s ^ ú R G E）
1 .0
2 .0
A
A
T
s TG
T
J
P
D
-5 5 + 1 5 0
150
350
2 .8
357
mW
毫瓦/
/W
www.kexin.com.cn
1
SMD型
MMBD1201;MMBD1203
MMBD1204;MMBD1205
二极管
电气特性TA = 25
参数
击穿电压
符号
B
V
条件
I
R
= 100
I
F
= 20 V
反向电流
I
R
I
F
= 50 V
I
F
= 50 V ，T
A
= 150
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
正向电压
V
F
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
I
F
= 300毫安
二极管电容
反向恢复时间
C
D
T
RR
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= I
R
= 10 mA时，我
RR
= 1.0毫安，R
L
= 100
550
660
820
0.87
A
民
100
25
50
5
600
740
920
1.0
1.1
2.0
4.0
最大
单位
V
nA
nA
A
mV
mV
mV
V
V
pF
ns
记号
TYPE
记号
MMBD1201
24
MMBD1203
26
MMBD1204
27
MMBD1205
28
2
www.kexin.com.cn
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MH4V644AXJJ-5S
MBU104
MII400-12E4
MDIN06K
MI-QC24X-IVY
M29F002BNB55P3T
MR82C59A-12B
M27C512-90XB3F
MC68HC08JL3_05
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    MMBD1205
    -
    -
    -
    -
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
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MMBD1205
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
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SOT-23-3
T2
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电话：0755-23612326
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154
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联系人：朱经理、张小姐
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