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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MMA25312B
牧师0 ,二千○一十二分之九
异质结双极晶体管
技术(的InGaP HBT )
高效率/线性放大器
该MMA25312B是一种高效率的InGaP HBT放大器,设计用于
在2400 MHz的ISM应用, WLAN ( 802.11克)的WiMAX ( 802.16e标准)的使用和
无线宽带网状网络。它适合于与应用程序
利用简单的外部匹配频率, 2300年至2700年兆赫
部件用3至5伏的电源。
特点
频率: 2300--2700兆赫
P1dB为31 dBm的@ 2500 MHz的
功率增益:26 dB的2500兆赫
OIP3 : 40 dBm的@ 2500 MHz的
有源偏置控制(开 - 片)
单3至5伏电源
单 - 结束了功率检测器
成本 - 效益QFN表面贴装封装
在磁带和卷轴。 T1后缀= 1000单位12毫米磁带宽度, 7英寸的卷轴。
表1.典型CW性能
(1)
特征
小 - 信号增益
(S21)
输入回波损耗
(S11)
输出回波损耗
(S22)
功率输出@
1dB压缩
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
2300
兆赫
26
--14
--11
30
2500
兆赫
26
--12
--13
31
2700
兆赫
24.5
--12
--15
29.8
单位
dB
dB
dB
DBM
MMA25312BT1
2300-
-2700兆赫, 26分贝
31 dBm的
的InGaP HBT
CASE 2131-
-01
QFN 3×3
塑料
表2.最大额定值
等级
电源电压
电源电流
RF输入功率
存储温度范围
结温
(2)
符号
V
CC
I
CC
P
in
T
英镑
T
J
价值
6
550
30
--65到150
150
单位
V
mA
DBM
°C
°C
2.运行可靠,结温不应
超过150 ℃。
1. V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC ,T
A
= 25 ℃,50欧姆系统,连续波
应用电路
表3.热特性
特征
热阻,结到外壳
外壳温度91 ° C,V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC
符号
R
θJC
价值
(3)
92
单位
° C / W
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司, 2012年版权所有。
MMA25312BT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(V
CC1
= V
CC2
= V
BIAS
= 5 VDC , 2500兆赫,T
A
= 25 ° C, 50欧姆系统,在飞思卡尔CW应用
电路)
特征
小 - 信号增益( S21 )
输入回波损耗( S11 )
输出回波损耗( S22 )
输出功率@ 1dB压缩
三阶输出截取点,两个 - 音频CW
噪声系数
电源电流
(1)
电源电压
(1)
符号
G
p
IRL
ORL
P1dB
OIP3
NF
I
CQ
V
CC
24.5
110
典型值
26
--12
--13
31
40
3.8
124
5
最大
138
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
表5. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD 22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD 22 - A115 )
充电器型号(每JESD 22 - C101 )
2
A
IV
表6.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
1.可靠运行,结点温度不应超过150 ℃。
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
V
BA2
V
CC1
V
CC1
V
BA2
V
CC1
V
CC1
12
V
BA1
V
BIAS
RF
in
1
2
3
4
5
6
北卡罗来纳州北卡罗来纳州PDET
PDET
11
10
9
8
7
RF
OUT
RF
OUT
V
CC2
V
BA1
BIAS
电路
RF
OUT
RF
OUT
V
BIAS
V
CC2
RF
in
图1.功能框图
图2.引脚连接
MMA25312BT1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
L2
R1
R2
C1
Z2
C7
V
CC1
C2
12
1
BIAS
电路
11
10
9
RF
产量
C13
C5
2
RF
输入
3
C8
探测器
4
5
6
7
8
Z1
C11
V
CC2
C14
L3
P
DET
C9
Z1
Z2
0.140 “× 0.030 ”微带
0.073 “× 0.030 ”微带
图3. MMA25312BT1测试电路原理图 - 2500兆赫, 5伏操作
表7. MMA25312BT1测试电路组件标识和价值观 - 2500兆赫, 5伏操作
部分
C1, C2
C3, C4, C6, C10, C12, C15
C5, C9
C7
C8, C13
C11
C14
L2
L3
R1
R2
R3
PCB
描述
1
μF
贴片电容
组件未放置
100 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
22 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
4.7
μF
贴片电容
1.2 nH的片式电感
22 nH的片式电感
430
,
1/16 W贴片电阻
1.6 kΩ的1/16 W贴片电阻
组件未放置
0.014″,
ε
r
= 3.7
FR408
伊索拉
GRM1555C1H101JA01
04023J8R2BBS
04023J22R0BBS
04023J1R5BBS
GRM188R60J475KE19D
LL1608-FH1N2S
LL1608-FH22N0S
RC0402JR-07430RL
RC0402JR-071K60L
村田
AVX
AVX
AVX
村田
TOKO
TOKO
YAGEO
YAGEO
产品型号
GRM155R61A105KE15
生产厂家
村田
注意:元件号C3,C4, C6, C10,C12 , C15和R3均标上板,但没有放置。
注:组件L1故意省略。
MMA25312BT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS(1)
C1
R3*
R1
RF
IN
C5
C6*
C4*
C8
C9
V
CC1
C2
C3*
L2
R2
C7
C11
C12*
C13
RF
OUT
C10*
L3
C14
C15*
QFN 3x3--12N
第0版
(1) V
BIAS
[董事会]供应V
BA1
, V
BA2
和V
BIAS
[设备] 。
注:组件数* C3 ,C4 * , 6 * , * C10 ,C12 * C15 *和R3 *标注在船上
但不能放置。
图4. MMA25312BT1测试电路元件布局 - 2500兆赫, 5伏操作
表7. MMA25312BT1测试电路组件标识和价值观 - 2500兆赫, 5伏操作
部分
C1, C2
C3, C4, C6, C10, C12, C15
C5, C9
C7
C8, C13
C11
C14
L2
L3
R1
R2
R3
PCB
描述
1
μF
贴片电容
组件未放置
100 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
22 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
4.7
μF
贴片电容
1.2 nH的片式电感
22 nH的片式电感
430
,
1/16 W贴片电阻
1.6 kΩ的1/16 W贴片电阻
组件未放置
0.014″,
ε
r
= 3.7
FR408
伊索拉
GRM1555C1H101JA01
04023J8R2BBS
04023J22R0BBS
04023J1R5BBS
GRM188R60J475KE19D
LL1608-FH1N2S
LL1608-FH22N0S
RC0402JR-07430RL
RC0402JR-071K60L
村田
AVX
AVX
AVX
村田
TOKO
TOKO
YAGEO
YAGEO
产品型号
GRM155R61A105KE15
生产厂家
村田
V
DECT
V
CC2
注:组件L1故意省略。
(组件牌号和值表重复以供参考。 )
MMA25312BT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
L2
R1
R2
C1
Z2
C7
V
CC1
C2
12
1
BIAS
电路
11
10
9
RF
产量
C13
C5
2
RF
输入
3
C8
探测器
4
5
6
7
8
Z1
C11
V
CC2
C14
L3
P
DET
C9
Z1
Z2
0.140 “× 0.030 ”微带
0.073 “× 0.030 ”微带
图5. MMA25312BT1测试电路原理图 - 2500兆赫, 3.3伏操作
表8. MMA25312BT1测试电路组件标识和价值观 - 2500兆赫, 3.3伏操作
部分
C1, C2
C3, C4, C6, C10, C12, C15
C5, C9
C7
C8, C13
C11
C14
L2
L3
R1
R2
R3
PCB
描述
1
μF
贴片电容
组件未放置
100 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
22 pF的贴片电容
1.5 pF的贴片电容
4.7
μF
贴片电容
1.2 nH的片式电感
22 nH的片式电感
100
,
1/16 W贴片电阻
470
,
1/16 W贴片电阻
组件未放置
0.014″,
ε
r
= 3.7
FR408
伊索拉
GRM1555C1H101JA01
04023J8R2BBS
04023J22R0BBS
04023J1R5BBS
GRM188R60J475KE19D
LL1608-FH1N2S
LL1608-FH22N0S
RC0402JR-07100RL
RC0402JR-07470RL
村田
AVX
AVX
AVX
村田
TOKO
TOKO
YAGEO
YAGEO
产品型号
GRM155R61A105KE15
生产厂家
村田
注意:元件号C3,C4, C6, C10,C12 , C15和R3均标上板,但没有放置。
注:组件L1故意省略。
MMA25312BT1
RF设备数据
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMA25312BT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MMA25312BT1
NXP Semiconductors
2419+
4
561¥/片,LQFP-112
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MMA25312BT1
FREESCALE
21+
16800
QFN
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
MMA25312BT1
Nexperia
2025+
16820
12-VFQFN
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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MMA25312BT1
FREESCALE
2443+
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QFN
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MMA25312BT1
NXP
24+
25000
12-QFN (3x3)
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MMA25312BT1
freescale
21+22+
62710
DFN
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MMA25312BT1
freescale
13+
2171
原装正品,支持实单
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电话:171-4729-9698(微信同号)
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MMA25312BT1
Freescale Semiconductor
24+
22000
622¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-83220081
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
MMA25312BT1
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24+
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