飞思卡尔半导体公司
技术参数
MMA1270KEG
REV 0 ， 11/2009
低g
微机械加速度计
在MMA系列硅电容的，微机械加速度计功能
信号调理，2-极低通滤波器和温度补偿。
零重力抵消满量程和滤波器截止的出厂设置，不需要
外部设备。一个完整的系统自检功能验证系统的功能。
特点
积分信号调理
线性输出
2阶贝塞尔滤波器
校准的自测
EPROM校验状态
传感器密封在实现卓越的可靠性晶圆级
坚固的设计，高抗撞击能力
合格的AEC - Q100标准，修订版F级2 （ -40C / + 105C ）
MMA1270KEG
MMA1270KEG位：Z轴灵敏度
微机械
加速度计
±2.5g
典型应用
振动监测和记录
家电控制
机械轴承监测
电脑硬盘保护
电脑鼠标和游戏杆
虚拟现实输入设备
体育的诊断设备和系统
订购信息
设备名称
MMA1270EG
MMA1270EGR2
MMA1270KEG*
MMA1270KEGR2*
温度范围
–40°
至105℃
–40°
至105℃
–40°
至105℃
–40°
至105℃
案件编号：
475-01
475-01
475-01
475-01
包
SOIC-16
SOIC -16 ，带卷&
SOIC-16
SOIC -16 ，带卷&
KEG后缀（无铅）
16引脚SOIC
CASE 475-01
*从不同的工厂采购的产品编号。
V
DD
G-细胞
传感器
积分
收益
滤波器
TEMP COMP
和增益
V
OUT
V
SS
V
SS
V
SS
V
OUT
状态
V
DD
V
SS
ST
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
ST
自检
控制逻辑&
EPROM TRIM电路
振荡器
时钟
发电机
V
SS
状态
图1.简化加速度计功能框图
图2.引脚连接
飞思卡尔半导体公司2009年版权所有。
表1.最大额定值
（最大额定值的限制，以使设备可以在不造成永久损坏被暴露）。
等级
动力加速（所有轴）
无动力加速（所有轴）
电源电压
跌落测试
(1)
存储温度范围
1.跌落到混凝土表面，从任何轴。
符号
G
pd
G
UPD
V
DD
H
降
T
英镑
价值
1500
2000
-0.3到+7.0
1.2
-40到+125
单位
g
g
V
m
°C
静电放电（ ESD ）
警告：本装置是对静电敏感
放电。
虽然飞思卡尔加速计包含内部
2kV的ESD保护电路，额外的预防措施，必须采取
由用户来保护免受ESD芯片。一次充电超过
2000伏堆积在人体或相关联的
测试设备。一次充电这种规模的可改变
该芯片的性能或导致故障。当处理
加速度计，适当的ESD防范措施，应遵循
为了避免该装置暴露于放电可以是
损害其性能。
MMA1270KEG
2
传感器
飞思卡尔半导体公司
表2.工作特性
（除非另有说明： -40°C
≤
T
A
≤
+105°C, 4.75
≤
V
DD
≤
5.25 ，加速度= 0克，负载输出。
(1)
)
特征
工作范围
(2)
电源电压
(3)
电源电流
工作温度范围
加速范围
输出信号
零克（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(4)
零G（V
DD
= 5.0 V)
灵敏度（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(5)
灵敏度（V
DD
= 5.0 V)
带宽响应
非线性
噪音
RMS （ 0.1赫兹 - 1.0千赫）
谱密度（ RMS ， 0.1赫兹 - 1.0千赫）
(6)
自检
输出响应（V
DD
= 5.0 V)
输入低
输入高
输入加载
(7)
响应时间
(8)
状态
(9), (10)
输出低（我
负载
= 100
μA)
高输出（I
负载
= 100
μA)
输出级性能
电气饱和恢复时间
(11)
满量程输出范围（I
OUT
= 200
μA)
容性负载驱动
(12)
输出阻抗
机械特性
横向灵敏度
(13)
符号
V
DD
I
DD
T
A
g
FS
V
关闭
V
关闭
S
S
f
-3dB
NL
OUT
n
RMS
n
SD
ΔV
ST
V
IL
V
IH
I
IN
t
ST
V
OL
V
OH
t
延迟
V
FSO
C
L
Z
O
V
XZ ， YZ
民
4.75
1.1
– 40
—
2.25
2.2
712.5
693.8
40
– 1.0
—
—
0.9
V
SS
0.7 V
DD
– 300
—
—
V
DD
– 0.8
—
V
SS
+0.25
—
—
—
典型值
5.00
2.1
—
2.5
2.5
2.5
750
750
50
—
3.5
700
1.25
—
—
– 125
10
—
—
—
—
—
50
—
最大
5.25
3.0
+105
—
2.75
2.8
787.5
806.3
60
+1.0
6.5
—
1.6
0.3 V
DD
V
DD
– 50
25
0.4
—
2.0
V
DD
– 0.25
100
—
5.0
单位
V
mA
°C
g
V
V
毫伏/克
毫伏/克
Hz
％ FSO
毫伏有效值
微克/ √Hz的
V
V
V
μA
ms
V
V
ms
V
pF
Ω
％ FSO
1.对于加载输出测量后的RC滤波器由一个1 kΩ的电阻和一个0.1观察
μF
电容到地。
2.这些界限决定动作的量，一部分将满足规范的范围内。
3.在4.75和5.25伏的电源电压范围，该器件作为一个完全校准的线性加速度计。除了这些供应限制
设备可以用作线性装置，但并不保证在校准。
4.该设备可同时测量+和 - 的加速度。没有输入加速度的输出处于中间电源。对于正加速度输出
将增加超过V
DD
/ 2和为负加速度的输出将减小低于V
DD
/2.
5.装置claibrated以2g 。感光度范围适用于0 Hz的加速。
6.在时钟频率
70千赫。
7.数字输入引脚具有内部下拉电流源，以防止意外的自检开始，由于外部电路板级泄漏。
8.时间的输出达到90％最终值的启动自检之后。
9.状态管脚的输出是无效的通电后，直到至少有1个上升沿已被施加到自测试引脚。 STATUS引脚为高电平
每当自检输入为高。
10. STATUS引脚输出锁存器高，如果在EPROM校验更改为奇。 STATUS引脚可以通过上升沿自检复位，除非故障
状态继续存在。
11.时间放大器恢复后的加速度信号，使他们达到饱和。
12.果脯相位裕度（60° ），以保证输出放大器的稳定性。
的设备的拒绝的加速能力13.测量施加90°灵敏度的真实轴。
MMA1270KEG
传感器
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
飞思卡尔加速度计是表面微机械加工的
集成电路的加速度计。
该装置由一个表面微加工的
电容感测单元（克细胞）和CMOS信号
调节ASIC包含在单个集成电路
封装。所述传感元件设置在所述密封
采用体硅微机械“帽''晶圆晶片级。
是一个机械结构，从所形成的克细胞
（多晶硅）采用半导体半导体材料
过程（掩模和蚀刻） 。它可以建模为两个
固定板与可动板在两者之间。该
中心板可以从它的静止位置由偏转
使该系统的加速度（图
3).
当中间板挠曲，从它到1的距离
固定板将用相同量的距离增加
到另一个板下降。距离的变化是
测量加速度。
在G-电池板形成两个背到背电容器
（图
4).
为中心板加速运动时，
板的变化和各个电容的之间的距离
值会发生变化， （C = Aε / D ） 。其中A是的领域
板，
ε
是介电常数，而D是距离
板之间。
该CMOS ASIC采用开关电容技术
测量G-电池电容和提取加速
由两个电容器之间的差值数据。该
ASIC还信号条件和过滤器（开关电容）
的信号，从而提供一个高电平输出电压即
比例和加速度成比例。
特殊功能
筛选
飞思卡尔加速计包含一个板载2极
开关电容滤波器。贝塞尔实现使用
因为它提供了最平坦的响应延迟（线性
相）从而保持脉冲形状的完整性。因为
过滤器是利用开关电容技术来实现，有
外部无源元件（电阻器没有要求
和电容器）来设置截止频率。
自检
该传感器提供了一个自检功能，可以让
验证的机械和电气完整性
加速度传感器在安装之前或之后的任何时间。这
特征是在应用，如汽车安全气囊临界
其中，系统的完整性，必须确保在系统使用寿命
该车辆的。第四个“板” '被用在克细胞作为自
试板。当用户施加一个逻辑高输入到自
测试管脚，一个标定电位跨越自检施加
板和所述可移动板。由此产生的静电
力（ FE =
1
/
2
AV
2
/d
2
）使中心板偏斜。该
所得的偏转是由加速度计的测量
控制ASIC和比例的输出电压的结果。这
过程保证，无论是机械的（克细胞）和
加速度计的电子部分的功能一样。
状态
飞思卡尔加速计包括故障检测电路
和故障锁存器。 STATUS引脚从故障输出
锁存器，逻辑与的具有自检，并且被设置为高时的
以下事件发生：
的EPROM位奇偶变成单数。
故障锁存器可以通过一个上升沿上的自我复位
试输入管脚，除非一项所述的故障条件（或更多）
继续存在。
促进
图3.传感器
物理模型
图4.等效
电路模型
MMA1270KEG
4
传感器
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
（最大额定值的限制，以使设备可以在不造成永久损坏被暴露）。
等级
动力加速（所有轴）
无动力加速（所有轴）
电源电压
跌落测试
(1)
存储温度范围
1.跌落到混凝土表面，从任何轴。
符号
G
pd
G
UPD
V
DD
H
降
T
英镑
价值
1500
2000
-0.3到+7.0
1.2
-40到+125
单位
g
g
V
m
°C
静电放电（ ESD ）
警告：本装置是对静电敏感
放电。
虽然飞思卡尔加速计包含内部
2kV的ESD保护电路，额外的预防措施，必须采取
由用户来保护免受ESD芯片。一次充电超过
2000伏堆积在人体或相关联的
测试设备。一次充电这种规模的可改变
该芯片的性能或导致故障。当处理
加速度计，适当的ESD防范措施，应遵循
为了避免该装置暴露于放电可以是
损害其性能。
MMA1270EG
2
传感器
飞思卡尔半导体公司
表2.工作特性
（除非另有说明： -40°C
≤
T
A
≤
+105°C, 4.75
≤
V
DD
≤
5.25 ，加速度= 0克，负载输出。
(1)
)
特征
工作范围
(2)
电源电压
(3)
电源电流
工作温度范围
加速范围
输出信号
零克（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(4)
零G（V
DD
= 5.0 V)
灵敏度（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(5)
灵敏度（V
DD
= 5.0 V)
带宽响应
非线性
噪音
RMS （ 0.1赫兹 - 1.0千赫）
谱密度（ RMS ， 0.1赫兹 - 1.0千赫）
(6)
自检
输出响应（V
DD
= 5.0 V)
输入低
输入高
输入加载
(7)
响应时间
(8)
状态
(9), (10)
输出低（我
负载
= 100
A)
高输出（I
负载
= 100
A)
输出级性能
电气饱和恢复时间
(11)
满量程输出范围（I
OUT
= 200
A)
容性负载驱动
(12)
输出阻抗
机械特性
横向灵敏度
(13)
符号
V
DD
I
DD
T
A
g
FS
V
关闭
V
关闭
S
S
f
-3dB
NL
OUT
n
RMS
n
SD
V
ST
V
IL
V
IH
I
IN
t
ST
V
OL
V
OH
t
延迟
V
FSO
C
L
Z
O
V
XZ ， YZ
民
4.75
1.1
– 40
—
2.25
2.2
712.5
693.8
40
– 1.0
—
—
0.9
V
SS
0.7 V
DD
– 300
—
—
V
DD
– 0.8
—
V
SS
+0.25
—
—
—
典型值
5.00
2.1
—
2.5
2.5
2.5
750
750
50
—
3.5
700
1.25
—
—
– 125
10
—
—
—
—
—
50
—
最大
5.25
3.0
+105
—
2.75
2.8
787.5
806.3
60
+1.0
6.5
—
1.6
0.3 V
DD
V
DD
– 50
25
0.4
—
2.0
V
DD
– 0.25
100
—
5.0
单位
V
mA
°C
g
V
V
毫伏/克
毫伏/克
Hz
％ FSO
毫伏有效值
微克/ √Hz的
V
V
V
A
ms
V
V
ms
V
pF
％ FSO
1.对于加载输出测量后的RC滤波器由一个1 kΩ的电阻和一个0.1观察
F
电容到地。
2.这些界限决定动作的量，一部分将满足规范的范围内。
3.在4.75和5.25伏的电源电压范围，该器件作为一个完全校准的线性加速度计。除了这些供应限制
设备可以用作线性装置，但并不保证在校准。
4.该设备可同时测量+和 - 的加速度。没有输入加速度的输出处于中间电源。对于正加速度输出
将增加超过V
DD
/ 2和为负加速度的输出将减小低于V
DD
/2.
5.装置claibrated以2g 。感光度范围适用于0 Hz的加速。
6.在时钟频率
70千赫。
7.数字输入引脚具有内部下拉电流源，以防止意外的自检开始，由于外部电路板级泄漏。
8.时间的输出达到90％最终值的启动自检之后。
9.状态管脚的输出是无效的通电后，直到至少有1个上升沿已被施加到自测试引脚。 STATUS引脚为高电平
每当自检输入为高。
10. STATUS引脚输出锁存器高，如果在EPROM校验更改为奇。 STATUS引脚可以通过上升沿自检复位，除非故障
状态继续存在。
11.时间放大器恢复后的加速度信号，使他们达到饱和。
12.果脯相位裕度（60° ），以保证输出放大器的稳定性。
的设备的拒绝的加速能力13.测量施加90°灵敏度的真实轴。
MMA1270EG
传感器
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
飞思卡尔加速度计是表面微机械加工的
集成电路的加速度计。
该装置由一个表面微加工的
电容感测单元（克细胞）和CMOS信号
调节ASIC包含在单个集成电路
封装。所述传感元件设置在所述密封
采用体硅微机械“帽''晶圆晶片级。
是一个机械结构，从所形成的克细胞
（多晶硅）采用半导体半导体材料
过程（掩模和蚀刻） 。它可以建模为两个
固定板与可动板在两者之间。该
中心板可以从它的静止位置由偏转
使该系统的加速度（图
3).
当中间板挠曲，从它到1的距离
固定板将用相同量的距离增加
到另一个板下降。距离的变化是
测量加速度。
在G-电池板形成两个背到背电容器
（图
4).
为中心板加速运动时，
板的变化和各个电容的之间的距离
值会发生变化， （C = Aε / D ） 。其中A是的领域
板，
ε
是介电常数，而D是距离
板之间。
该CMOS ASIC采用开关电容技术
测量G-电池电容和提取加速
由两个电容器之间的差值数据。该
ASIC还信号条件和过滤器（开关电容）
的信号，从而提供一个高电平输出电压即
比例和加速度成比例。
特殊功能
筛选
飞思卡尔加速计包含一个板载2极
开关电容滤波器。贝塞尔实现使用
因为它提供了最平坦的响应延迟（线性
相）从而保持脉冲形状的完整性。因为
过滤器是利用开关电容技术来实现，有
外部无源元件（电阻器没有要求
和电容器）来设置截止频率。
自检
该传感器提供了一个自检功能，可以让
验证的机械和电气完整性
加速度传感器在安装之前或之后的任何时间。这
特征是在应用，如汽车安全气囊临界
其中，系统的完整性，必须确保在系统使用寿命
该车辆的。第四个“板” '被用在克细胞作为自
试板。当用户施加一个逻辑高输入到自
测试管脚，一个标定电位跨越自检施加
板和所述可移动板。由此产生的静电
力（ FE =
1
/
2
AV
2
/d
2
）使中心板偏斜。该
所得的偏转是由加速度计的测量
控制ASIC和比例的输出电压的结果。这
过程保证，无论是机械的（克细胞）和
加速度计的电子部分的功能一样。
状态
飞思卡尔加速计包括故障检测电路
和故障锁存器。 STATUS引脚从故障输出
锁存器，逻辑与的具有自检，并且被设置为高时的
以下事件发生：
的EPROM位奇偶变成单数。
故障锁存器可以通过一个上升沿上的自我复位
试输入管脚，除非一项所述的故障条件（或更多）
继续存在。
促进
图3.传感器
物理模型
图4.等效
电路模型
MMA1270EG
4
传感器
飞思卡尔半导体公司
QQ：2880707522 复制
