飞思卡尔半导体公司
技术参数
MMA1260D
第1版， 10/2004
低g
微机械加速度计
在MMA系列硅电容的，微机械加速度计
特征信号调理，一个2 - 极点低通滤波器和温度
补偿。零 - 克胶印满量程和过滤器切 - 关闭的出厂设置和
无需外部设备。一个完整的系统的自我 - 测试能力验证系统
功能。
特点
积分信号调理
线性输出
2阶贝塞尔滤波器
自校准 - 测试
EPROM校验状态
传感器密封在实现卓越的可靠性晶圆级
坚固的设计，高抗撞击能力
典型应用
振动监测和记录
家电控制
机械轴承监测
电脑硬盘保护
电脑鼠标和游戏杆
虚拟现实输入设备
体育的诊断设备和系统
MMA1260D
MMA1260D位：Z轴灵敏度
微机械
加速度计
±1.5g
16
9
1
8
16引脚SOIC
案例475--01
引脚分配
V
SS
V
SS
V
SS
V
OUT
状态
V
DD
V
SS
ST
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
订购信息
设备
MMA1260D
温度范围
--40至+ 105°C
案件编号：
案例475--01
包
SOIC--16
简化加速度计功能框图
V
DD
摹 - 细胞
传感器
积分
收益
滤波器
TEMP COMP
&增益
V
OUT
ST
自 - 测试
控制逻辑&
EPROM TRIM电路
振荡器
钟将军
V
SS
状态
图1.简化加速度计功能框图
REV 1
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MMA1260D
1
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
（最大额定值的限制，以使设备可以在不造成永久损坏被暴露）。
等级
动力加速（所有轴）
无动力加速（所有轴）
电源电压
跌落测试
(1)
存储温度范围
注意事项：
1.跌落到混凝土表面，从任何轴。
符号
g
pd
g
UPD
V
DD
H
降
T
英镑
价值
1500
2000
--0.3到7.0
1.2
--40到125
单位
g
g
V
m
°C
静电放电（ ESD ）
警告：本装置是对静电敏感
放电。
虽然飞思卡尔半导体的加速度计
包含内部2kV的ESD保护电路，额外的措施
化必须由用户来保护芯片免受ESD 。
一次充电超过2000伏堆积在人
机构或相关的测试设备。一次充电这个magni-的
突地可以改变芯片的性能或引起故障。
当处理加速度计，适当的ESD防范措施
应遵循以避免造成设备以显示
费用可能有损于它的性能。
MMA1260D
2
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
（除非另有说明： --40 ℃，
≤
T
A
≤
+105°C, 4.75
≤
V
DD
≤
5.25 ，加速度= 0克，输出负载
(1)
)
特征
工作范围
(2)
电源电压
(3)
电源电流
工作温度范围
加速范围
输出信号
零克（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(4)
零G（V
DD
= 5.0 V)
灵敏度（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(5)
灵敏度（V
DD
= 5.0 V)
带宽响应
非线性
噪音
RMS （ 0.1赫兹 - 1.0千赫）
谱密度（ RMS ， 0.1赫兹 - 1.0千赫）
(6)
自 - 测试
输出响应（V
DD
= 5.0 V)
输入低
输入高
输入加载
(7)
响应时间
(8)
状态
(12)(13)
输出低（我
负载
= 100
A)
高输出（I
负载
= --100
A)
输出级性能
电气饱和恢复时间
(9)
满量程输出范围（I
OUT
= --200
A)
容性负载驱动
(10)
输出阻抗
机械特性
横向灵敏度
(11)
符号
V
DD
I
DD
T
A
g
FS
V
关闭
V
关闭
S
S
f
--3dB
NL
OUT
n
RMS
n
SD
V
ST
V
IL
V
IH
I
IN
t
ST
V
OL
V
OH
t
延迟
V
FSO
C
L
Z
O
V
XZ ， YZ
民
4.75
1.1
40
—
2.25
2.2
1140
1110
40
1.0
—
—
0.3
V
SS
0.7 V
DD
50
—
—
V
DD
0.8
—
V
SS
+0.25
—
—
—
典型值
5.00
2.2
—
1.5
2.5
2.5
1200
1200
50
—
5.0
500
0.6
—
—
125
10
—
—
—
—
—
50
—
最大
5.25
3.2
+105
—
2.75
2.8
1260
1290
60
+1.0
9.0
—
0.9
0.3 V
DD
V
DD
300
25
0.4
—
2.0
V
DD
0.25
100
—
5.0
单位
V
mA
°C
g
V
V
毫伏/克
毫伏/克
Hz
％ FSO
毫伏有效值
微克/ √Hz的
V
V
V
A
ms
V
V
ms
V
pF
％ FSO
工作特性
注意事项：
1.对于加载输出测量后的RC滤波器由一个1 kΩ的电阻和一个0.1观察
F
电容到地。
2.这些界限决定动作的量，一部分将满足规范的范围内。
3.在4.75和5.25伏的电源电压范围，该器件作为一个完全校准的线性加速度计。除了这些供应限制
该装置可以作为一个非线性器件，但不能保证在校准。
4.该设备可同时测量+和
加速。没有输入加速度的输出处于中间电源。对于正加速度输出
将增加超过V
DD
/ 2和为负加速度的输出将减小低于V
DD
/2.
5.敏感性限额申请到0Hz加速。
6.在时钟频率
34千赫。
7.数字输入引脚具有内部上拉 - 下拉电流源，以防止意外的自检开始，由于外部电路板级泄漏。
8.时间的输出的自后达到90％最终值 - 测试被启动。
9.时间为放大器的加速度信号后的恢复，使它们达到饱和。
10.果脯相位裕度（60° ），以保证输出放大器的稳定性。
的设备的拒绝的加速能力11.测量施加90°灵敏度的真实轴。
12.状态管脚的输出是无效的下列功率 - 直至至少1个上升沿已被应用到自 - 测试引脚。状态引脚
高每当自我 - 测试输入为高电平。
13. STATUS引脚输出锁存器高，如果在EPROM校验更改为奇。 STATUS引脚可以通过一个上升沿复位自我 - 测试，除非
故障状况仍然存在。
MMA1260D
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
飞思卡尔半导体加速度传感器是一种surface--
微机械集成 - 电路加速度计。
该装置由一个表面微机械加工的电容器的
略去传感细胞（克 - 细胞）和CMOS信号调节
专用集成电路包含在单个集成电路封装。该
感测元件是在晶片级我们 - 密封
荷兰国际集团批量微机械“帽'的晶片。
属机械式结构，从semicon-形成细胞 - 对G
采用半导体亲导体材料（多晶硅）
正如事实（掩模和蚀刻） 。它可以建模为两个
固定板与活动板 - 之间。该
中心板可以从它的静止位置由子被偏转
jecting系统的加速度（图2）。
当中间板挠曲，从它到1的距离
固定板将用相同量的显示增加
tance到另一个板下降。距离的变化是
测量加速度。
对G - 电池板形成两回 - 来 - 回电容器（图 -
茜3）。为中心板加速移动，显示屏
板的变化和各个电容的之间tance
值会发生变化， （C = Aε / D ） 。其中A是的领域
板，
ε
是介电常数，而D是距离
补间板。
该CMOS ASIC采用开关电容技术
衡量克 - 电池电容和提取加速
由两个电容器之间的差值数据。该
ASIC还信号条件和过滤器（开关电容）
的信号，从而提供一个高电平输出电压是比 -
公制和加速度成比例。
促进
特殊功能
筛选
飞思卡尔半导体加速度传感器包含一个
板载2 - 极开关电容滤波器。贝塞尔imple-
心理状态被使用，因为它可提供最平坦延迟
回应（线性相位），从而保持脉冲形状integri-
TY 。因为该过滤器是利用开关电容器实现
技术中，存在用于外部无源不要求
元件（电阻和电容）来设置切 - 关频
昆西。
自
-Test
该传感器提供了一个自我 - 测试功能，允许ver-
的AC-的机械和电气完整性ification
celerometer在安装之前或之后的任何时间。第四
“板”“是用在克 - 细胞作为自 - 试验板。当
用户应用逻辑高电平输入到自 - 测试引脚，一个卡利
横过自校准电位施加 - 测试板和
所述可移动板。将所得的静电力
（ FE =
1
/
2
AV
2
/d
2
）使中心板偏斜。在重
sultant偏转是由加速度计的测量控制
ASIC和比例的输出电压的结果。这proce-
杜热，保证，无论是机械的（克 - 细胞）和电子
加速度计的部分是否正常。
状态
飞思卡尔半导体的加速计包括故障
检测电路和故障闭锁。状态引脚为输出
从故障锁存器，逻辑或运算自放 - 测试，并设置高
每当以下事件发生：
的EPROM位奇偶变成单数。
故障锁存器可通过在self--上升沿复位
试输入管脚，除非一项所述的故障条件（或更多）
继续存在。
图2.传感器
物理模型
图3.等效
电路模型
MMA1260D
4
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
（最大额定值的限制，以使设备可以在不造成永久损坏被暴露）。
等级
动力加速（所有轴）
无动力加速（所有轴）
电源电压
跌落测试
(1)
存储温度范围
1.跌落到混凝土表面，从任何轴。
符号
G
pd
G
UPD
V
DD
D
降
T
英镑
价值
1500
2000
-0.3到+7.0
1.2
-40到+125
单位
g
g
V
m
°C
静电放电（ ESD ）
警告：本装置是对静电敏感
放电。
虽然飞思卡尔加速计包含内部
2千伏ESD保护电路，额外的预防措施，必须采取
由用户来保护免受ESD芯片。一次充电超过
2000伏堆积在人体或相关联的
测试设备。一次充电这种规模的可改变
该芯片的性能或导致故障。当处理
加速度计，适当的ESD防范措施，应遵循
为了避免该装置暴露于放电可以是
损害其性能。
MMA1260D
2
传感器
飞思卡尔半导体公司
表2.工作特性
（除非另有说明： -40°C
≤
T
A
≤
+105°C, 4.75
≤
V
DD
≤
5.25 ，加速度= 0克，负载输出。
(1)
)
特征
工作范围
(2)
电源电压
(3)
电源电流
工作温度范围
加速范围
输出信号
零克（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(4)
零G（V
DD
= 5.0 V)
灵敏度（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(5)
灵敏度（V
DD
= 5.0 V)
带宽响应
非线性
噪音
RMS （ 0.1赫兹 - 1.0千赫）
谱密度（ RMS ， 0.1赫兹 - 1.0千赫）
(6)
自检
输出响应（V
DD
= 5.0 V)
输入低
输入高
输入加载
(7)
响应时间
(8)
状态
(9), (10)
输出低（我
负载
= 100
A)
高输出（I
负载
= 100
A)
输出级性能
电气饱和恢复时间
(11)
满量程输出范围（I
OUT
= 200
A)
容性负载驱动
(12)
输出阻抗
机械特性
横向灵敏度
(13)
符号
V
DD
I
DD
T
A
g
FS
V
关闭
V
关闭
S
S
f
–3dB
NL
OUT
n
RMS
n
SD
V
ST
V
IL
V
IH
I
IN
t
ST
V
OL
V
OH
t
延迟
V
FSO
C
L
Z
O
V
XZ ， YZ
民
4.75
1.1
–40
—
2.25
2.2
1140
1110
40
–1.0
—
—
0.3
V
SS
0.7 V
DD
–50
—
—
V
DD
– 0.8
—
V
SS
+ 0.25
—
—
—
典型值
5.00
2.2
—
1.55
2.5
2.5
1200
1200
50
—
5.0
500
0.6
—
—
–25
10
—
—
—
—
—
50
—
最大
5.25
3.2
+105
—
2.75
2.8
1260
1290
60
+1.0
9.0
—
0.9
0.3 V
DD
V
DD
–300
25
0.4
—
2.0
V
DD
– 0.25
100
—
5.0
单位
V
mA
°C
g
V
V
毫伏/克
毫伏/ G / V
Hz
％ FSO
毫伏有效值
g/
Hz
V
V
V
A
ms
V
V
ms
V
pF
％ FSO
1.对于加载输出测量后的RC滤波器由一个1 kΩ电阻和一个0.01观察
F
电容到地。
2.这些界限决定动作的量，一部分将满足规范的范围内。
3.在4.75和5.25伏的电源电压范围，该器件作为一个完全校准的线性加速度计。除了这些供应限制
设备可以用作线性装置，但并不保证在校准。
4.该设备可同时测量+和 - 的加速度。没有输入加速度的输出处于中间电源。对于正加速度输出
将增加超过V
DD
/ 2和为负加速度的输出将减小低于V
DD
/2.
5.该设备校准在5克。
6.在时钟频率
70
千赫。
7.数字输入引脚具有内部下拉电流源，以防止意外的自检开始，由于外部电路板级泄漏。
8.时间的输出达到90％最终值的启动自检之后。
9.状态管脚的输出是无效的通电后，直到至少有1个上升沿已被施加到自测试引脚。 STATUS引脚为高电平
每当自测试输入为高电平时，作为一个手段来检查在该应用程序的自测试和状态引脚的连接。
10. STATUS引脚输出锁存器高，如果低电压检测和时钟频率发生故障，或EPROM校验更改为奇。该
状态引脚可以复位低电平，如果自检销被脉冲具有高输入为至少100个
s,
除非故障状况仍然存在。
11.时间放大器恢复后的加速度信号，使他们达到饱和。
12.果脯相位裕度（60° ），以保证输出放大器的稳定性。
的设备的拒绝的加速能力13.测量施加90°灵敏度的真实轴。
MMA1260D
传感器
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
飞思卡尔加速度计是表面微机械加工的
集成电路的加速度计。
该装置由一个表面微加工的
电容感测单元（克细胞）和CMOS信号
调节ASIC包含在单个集成电路
封装。所述传感元件设置在所述密封
采用体硅微机械“帽''晶圆晶片级。
是一个机械结构，从所形成的克细胞
（多晶硅）采用半导体半导体材料
过程（掩模和蚀刻） 。它可以建模为两个
固定板与可动板在两者之间。该
中心板可以从它的静止位置由偏转
使该系统的加速度（图
3).
当中间板挠曲，从它到1的距离
固定板将用相同量的距离增加
到另一个板下降。距离的变化是
测量加速度。
在G-电池板形成两个背到背电容器
（图
4).
为中心板加速运动时，
板的变化和各个电容的之间的距离
值会发生变化， （C = Aε / D ） 。其中A是的领域
板，
ε
是介电常数，而D是距离
板之间。
该CMOS ASIC采用开关电容技术
测量G-电池电容和提取加速
由两个电容器之间的差值数据。该
ASIC还信号条件和过滤器（开关电容）
的信号，从而提供一个高电平输出电压即
比例和加速度成比例。
特殊功能
筛选
飞思卡尔加速计包含一个板载2极
开关电容滤波器。贝塞尔实现使用
因为它提供了最平坦的响应延迟（线性
相）从而保持脉冲形状的完整性。因为
过滤器是利用开关电容技术来实现，有
外部无源元件（电阻器没有要求
和电容器）来设置截止频率。
自检
该传感器提供了一个自检功能，可以让
验证的机械和电气完整性
加速度传感器在安装之前或之后的任何时间。这
特征是在应用，如汽车安全气囊临界
其中，系统的完整性，必须确保在系统使用寿命
该车辆的。第四个“板” '被用在克细胞作为自
试板。当用户施加一个逻辑高输入到自
测试管脚，一个标定电位跨越自检施加
板和所述可移动板。由此产生的静电
力（ FE =
1
/
2
AV
2
/d
2
）使中心板偏斜。该
所得的偏转是由加速度计的测量
控制ASIC和比例的输出电压的结果。这
过程保证，无论是机械的（克细胞）和
加速度计的电子部分的功能一样。
状态
飞思卡尔加速计包括故障检测电路
和故障锁存器。 STATUS引脚从故障输出
锁存器，逻辑与的具有自检，并且被设置为高时的
以下事件发生：
的EPROM位奇偶变成单数。
故障锁存器可以通过自检的上升沿被复位
输入引脚，除非一项所述的故障条件（或更多）
继续存在。
促进
图3.传感器
物理模型
图4.等效
电路模型
MMA1260D
4
传感器
飞思卡尔半导体公司
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MMA1260D
第1版， 10/2004
低g
微机械加速度计
在MMA系列硅电容的，微机械加速度计
特征信号调理，一个2 - 极点低通滤波器和温度
补偿。零 - 克胶印满量程和过滤器切 - 关闭的出厂设置和
无需外部设备。一个完整的系统的自我 - 测试能力验证系统
功能。
特点
积分信号调理
线性输出
2阶贝塞尔滤波器
自校准 - 测试
EPROM校验状态
传感器密封在实现卓越的可靠性晶圆级
坚固的设计，高抗撞击能力
典型应用
振动监测和记录
家电控制
机械轴承监测
电脑硬盘保护
电脑鼠标和游戏杆
虚拟现实输入设备
体育的诊断设备和系统
MMA1260D
MMA1260D位：Z轴灵敏度
微机械
加速度计
±1.5g
16
9
1
8
16引脚SOIC
案例475--01
引脚分配
V
SS
V
SS
V
SS
V
OUT
状态
V
DD
V
SS
ST
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
N / C
订购信息
设备
MMA1260D
温度范围
--40至+ 105°C
案件编号：
案例475--01
包
SOIC--16
简化加速度计功能框图
V
DD
摹 - 细胞
传感器
积分
收益
滤波器
TEMP COMP
&增益
V
OUT
ST
自 - 测试
控制逻辑&
EPROM TRIM电路
振荡器
钟将军
V
SS
状态
图1.简化加速度计功能框图
REV 1
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MMA1260D
1
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
（最大额定值的限制，以使设备可以在不造成永久损坏被暴露）。
等级
动力加速（所有轴）
无动力加速（所有轴）
电源电压
跌落测试
(1)
存储温度范围
注意事项：
1.跌落到混凝土表面，从任何轴。
符号
g
pd
g
UPD
V
DD
H
降
T
英镑
价值
1500
2000
--0.3到7.0
1.2
--40到125
单位
g
g
V
m
°C
静电放电（ ESD ）
警告：本装置是对静电敏感
放电。
虽然飞思卡尔半导体的加速度计
包含内部2kV的ESD保护电路，额外的措施
化必须由用户来保护芯片免受ESD 。
一次充电超过2000伏堆积在人
机构或相关的测试设备。一次充电这个magni-的
突地可以改变芯片的性能或引起故障。
当处理加速度计，适当的ESD防范措施
应遵循以避免造成设备以显示
费用可能有损于它的性能。
MMA1260D
2
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
（除非另有说明： --40 ℃，
≤
T
A
≤
+105°C, 4.75
≤
V
DD
≤
5.25 ，加速度= 0克，输出负载
(1)
)
特征
工作范围
(2)
电源电压
(3)
电源电流
工作温度范围
加速范围
输出信号
零克（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(4)
零G（V
DD
= 5.0 V)
灵敏度（T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5.0 V)
(5)
灵敏度（V
DD
= 5.0 V)
带宽响应
非线性
噪音
RMS （ 0.1赫兹 - 1.0千赫）
谱密度（ RMS ， 0.1赫兹 - 1.0千赫）
(6)
自 - 测试
输出响应（V
DD
= 5.0 V)
输入低
输入高
输入加载
(7)
响应时间
(8)
状态
(12)(13)
输出低（我
负载
= 100
A)
高输出（I
负载
= --100
A)
输出级性能
电气饱和恢复时间
(9)
满量程输出范围（I
OUT
= --200
A)
容性负载驱动
(10)
输出阻抗
机械特性
横向灵敏度
(11)
符号
V
DD
I
DD
T
A
g
FS
V
关闭
V
关闭
S
S
f
--3dB
NL
OUT
n
RMS
n
SD
V
ST
V
IL
V
IH
I
IN
t
ST
V
OL
V
OH
t
延迟
V
FSO
C
L
Z
O
V
XZ ， YZ
民
4.75
1.1
40
—
2.25
2.2
1140
1110
40
1.0
—
—
0.3
V
SS
0.7 V
DD
50
—
—
V
DD
0.8
—
V
SS
+0.25
—
—
—
典型值
5.00
2.2
—
1.5
2.5
2.5
1200
1200
50
—
5.0
500
0.6
—
—
125
10
—
—
—
—
—
50
—
最大
5.25
3.2
+105
—
2.75
2.8
1260
1290
60
+1.0
9.0
—
0.9
0.3 V
DD
V
DD
300
25
0.4
—
2.0
V
DD
0.25
100
—
5.0
单位
V
mA
°C
g
V
V
毫伏/克
毫伏/克
Hz
％ FSO
毫伏有效值
微克/ √Hz的
V
V
V
A
ms
V
V
ms
V
pF
％ FSO
工作特性
注意事项：
1.对于加载输出测量后的RC滤波器由一个1 kΩ的电阻和一个0.1观察
F
电容到地。
2.这些界限决定动作的量，一部分将满足规范的范围内。
3.在4.75和5.25伏的电源电压范围，该器件作为一个完全校准的线性加速度计。除了这些供应限制
该装置可以作为一个非线性器件，但不能保证在校准。
4.该设备可同时测量+和
加速。没有输入加速度的输出处于中间电源。对于正加速度输出
将增加超过V
DD
/ 2和为负加速度的输出将减小低于V
DD
/2.
5.敏感性限额申请到0Hz加速。
6.在时钟频率
34千赫。
7.数字输入引脚具有内部上拉 - 下拉电流源，以防止意外的自检开始，由于外部电路板级泄漏。
8.时间的输出的自后达到90％最终值 - 测试被启动。
9.时间为放大器的加速度信号后的恢复，使它们达到饱和。
10.果脯相位裕度（60° ），以保证输出放大器的稳定性。
的设备的拒绝的加速能力11.测量施加90°灵敏度的真实轴。
12.状态管脚的输出是无效的下列功率 - 直至至少1个上升沿已被应用到自 - 测试引脚。状态引脚
高每当自我 - 测试输入为高电平。
13. STATUS引脚输出锁存器高，如果在EPROM校验更改为奇。 STATUS引脚可以通过一个上升沿复位自我 - 测试，除非
故障状况仍然存在。
MMA1260D
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
工作原理
飞思卡尔半导体加速度传感器是一种surface--
微机械集成 - 电路加速度计。
该装置由一个表面微机械加工的电容器的
略去传感细胞（克 - 细胞）和CMOS信号调节
专用集成电路包含在单个集成电路封装。该
感测元件是在晶片级我们 - 密封
荷兰国际集团批量微机械“帽'的晶片。
属机械式结构，从semicon-形成细胞 - 对G
采用半导体亲导体材料（多晶硅）
正如事实（掩模和蚀刻） 。它可以建模为两个
固定板与活动板 - 之间。该
中心板可以从它的静止位置由子被偏转
jecting系统的加速度（图2）。
当中间板挠曲，从它到1的距离
固定板将用相同量的显示增加
tance到另一个板下降。距离的变化是
测量加速度。
对G - 电池板形成两回 - 来 - 回电容器（图 -
茜3）。为中心板加速移动，显示屏
板的变化和各个电容的之间tance
值会发生变化， （C = Aε / D ） 。其中A是的领域
板，
ε
是介电常数，而D是距离
补间板。
该CMOS ASIC采用开关电容技术
衡量克 - 电池电容和提取加速
由两个电容器之间的差值数据。该
ASIC还信号条件和过滤器（开关电容）
的信号，从而提供一个高电平输出电压是比 -
公制和加速度成比例。
促进
特殊功能
筛选
飞思卡尔半导体加速度传感器包含一个
板载2 - 极开关电容滤波器。贝塞尔imple-
心理状态被使用，因为它可提供最平坦延迟
回应（线性相位），从而保持脉冲形状integri-
TY 。因为该过滤器是利用开关电容器实现
技术中，存在用于外部无源不要求
元件（电阻和电容）来设置切 - 关频
昆西。
自
-Test
该传感器提供了一个自我 - 测试功能，允许ver-
的AC-的机械和电气完整性ification
celerometer在安装之前或之后的任何时间。第四
“板”“是用在克 - 细胞作为自 - 试验板。当
用户应用逻辑高电平输入到自 - 测试引脚，一个卡利
横过自校准电位施加 - 测试板和
所述可移动板。将所得的静电力
（ FE =
1
/
2
AV
2
/d
2
）使中心板偏斜。在重
sultant偏转是由加速度计的测量控制
ASIC和比例的输出电压的结果。这proce-
杜热，保证，无论是机械的（克 - 细胞）和电子
加速度计的部分是否正常。
状态
飞思卡尔半导体的加速计包括故障
检测电路和故障闭锁。状态引脚为输出
从故障锁存器，逻辑或运算自放 - 测试，并设置高
每当以下事件发生：
的EPROM位奇偶变成单数。
故障锁存器可通过在self--上升沿复位
试输入管脚，除非一项所述的故障条件（或更多）
继续存在。
图2.传感器
物理模型
图3.等效
电路模型
MMA1260D
4
传感器设备数据
飞思卡尔半导体公司
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