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MM82PC12 8位输入输出端口
MM82PC12 8位输入输出端口
概述
该MM82PC12是microCMOS 8位的输入输出端口
在标准的24脚双列直插式封装
MM82PC12可以用来实现锁存选通缓冲的
器或多路复用因此,所有的主要外围设备和
一个微计算机系统的输入输出功能,可以通过
与此设备来实现
该MM82PC12包括一个8位锁存器与三态
输出缓冲器和设备的选择,也是控制逻辑
包括的是一个服务请求触发器的生成和
中断到微处理器的控制
该MM82PC12是引脚排列和功能用标准的兼容
准INS8212和DP8212设备
对于军事应用的MM82PC12可与
B类的筛选按照MIL-的方法5004
STD-883
1987年7月
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
驱动能力150 pF负载
高噪声抗扰度
低功耗
全接口到CMOS逻辑电平
microCMOS技术
TTL驱动能力时, V
CC
e
5V
8位数据锁存器和缓冲器
服务请求触发器用于产生和控制
中断
1
mA
输入负载电流
通过更换缓冲降低了系统包计
锁存器和多路复用器的微型计算机系统
系统CON组fi guration
TL 5596 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL 5596
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
存储温度范围
电压在任一引脚
对于地面
焊接温度
(焊接10秒)
功耗
最大V
CC
b
65℃,以
a
150 C
b
0 3V至V
CC
a
0 3V
绝对最大额定值超出这些值
该装置的安全性不能得到保证CON-
在这些限制条件连续的操作是不想要的操作
应限制在直流指定的那些条件
电气特性
工作范围
V
CC
e
5V
g
10%
环境温度
军事
产业
广告
b
55 ℃
a
125 C
b
40℃
a
85 C
300 C
500毫瓦
7V
0 ℃
a
70 C
DC电气特性
V
CC
e
5V
g
10 % GND
e
0V ,除非另有说明
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IH
I
IL
I
OH
I
OL
I
CC
I
OZL
I
OZH
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高电流
输出低电流
电源电流
TRI- STATE低漏
当前
TRI- STATE高漏
当前
V
CC
e
4 5V V
IH
e
4 5V I
OH
E B
2毫安
V
CC
e
5 5V V
IL
e
0V V
IH
e
5 5V I
OL
e
2毫安
V
CC
e
5 5V V
IN
e
5 5V
V
CC
e
5 5V V
IN
e
0V
V
CC
e
4 5V V
OUT
e
2 4V V
IH
e
4 5V
V
CC
e
5 5V V
OUT
e
0 4V V
IL
e
0V
V
CC
e
5 5V V
IH
e
5 5V V
IL
e
0V
V
CC
e
5 5V V
OUT
e
0V
V
CC
e
4 5V V
OUT
e
4 5V
b
2 0
测试条件
0 7 V
CC
0
24
典型值
最大
V
CC
0 2 V
CC
04
10
b
10
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
20
400
b
10
mA
mA
mA
10
AC电气特性
T
A
E B
55 ℃
a
125 C V
CC
e
5V
g
10 % GND
e
0V ,除非另有说明
符号
t
PW
t
PD
t
WE
t
SET
t
H
t
R
t
S
t
C
t
ED
参数
脉冲宽度( STB DS1

DS2 CLR )
数据输入到数据输出
写使能到数据输出
数据建立时间
数据保持时间
复位到数据输出
选择中断
清除数据输出
输出使能禁止时间
15
20
50
50
45
50
65
65
60
65
测试条件
典型值
25
45
55
最大
40
60
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
时序波形
读时序
TL 5596 - 2
写时序
TL 5596 - 3
数据建立保持时间延迟
TL 5596 - 4
中断时序
TL 5596 - 5
清除时间
TL 5596 - 6
3
传播延迟
图1
示出了一个更加有用propa-的计算
gation延迟图采用的是5V电源与公差
g
为10%的环境温度
a
25 C和负载电容
100 pF的交流特性表tance描绘吨
PD
在5V 25℃等于25纳秒使用图表中
图1
要得到
为150 pF的示数的劣化的多个是
1 09调整后的传播延迟,因此是25
c
1 09或27毫微秒
引脚说明
下面描述的所有MM82PC12的功能
输入输出引脚,其中一些描述参考IN-
ternal电路
输入信号
设备选择( DS
1
DS
2
当DS
1
是低和DS
2
是高
该设备被选中缓冲器使能输出
服务请求触发器异步复位
(清除)时被选择的设备
模式( MD )
当MD为高电平(输出模式)输出
缓冲器的使能和数据的源锁存时钟
输入装置选择逻辑(DS
1

DS
2
)当MD是
低(输入模式)的输出缓冲器的状态是阻止 -
由设备选择逻辑(DS开采
1

DS
2
)及
数据来源锁存时钟输入选通( STB ) IN-
选通( STB)
STB被用作数据锁存时钟输入
当模式( MD )输入为低电平(输入模式)机顶盒也
用来同步地将服务请求触发器
这是下降沿触发
数据输入( DI
1
-dI
8
)
数据在是8位数据输入到数据
锁存它由八个D型触发器掺入
电平敏感时钟,而数据锁存时钟输入
每个触发器的高的Q输出如下数据输入
当时钟输入返回低电平数据锁存器存储
数据输入清零( CLR)是当时钟才有效
低(在闭锁状态锁存器)
清除( CLR )
当CLR为低电平时,数据锁存器复位
(清)如果时钟也低的时钟输入高过
乘坐清除( CLR )输入数据锁存器复位CLR为低
也复位服务请求触发器服务请求
触发器是在复位时不中断状态
输出信号
中断( INT )
中断引脚变为低电平(中断
状态)时,无论是服务请求触发器是同步的
通过选通( STB)输入nously设置或装置是选择 -
ed
数据输出( DO
1
8
)
数据输出为8位的数据输出
数据缓冲区这是三态非反相阶段
这些缓冲区都有一个共同的控制线,要么烯
禁止进入缓冲器,从数据锁存器传送数据
输出或禁用缓存将它们放置在高
阻抗状态
TL 5596- 9
TL 5596- 7
包括夹具和探头电容
输出测试电路
对于传播延迟
TL 5596- 8
图1归一化的典型传播延迟VS
负载电容
可靠性信息
门数108
晶体管数量248
4
连接图
双列直插式封装
逻辑图
TL 5596-10
顶视图
订单号MM82PC12J或N
见NS包装数J24A或
N24A
塑料芯片载体
TL 5596-12
TL 5596 - 11
顶视图
订单号MM82PC12V
见NS包装数V28A
逻辑表A
逻辑表B
机顶盒
0
1
0
1
0
1
0
1
MD
0
0
1
1
0
0
1
1
DS
1

DS
2
0
0
0
0
1
1
1
1
数据输出
等于
三州
三州
数据锁存器
数据锁存器
数据锁存器
DATA IN
DATA IN
DATA IN
CLR
0复位
1
1
1
1
DS
1

DS
2
0
0
0
1 RESET
0
机顶盒
0
0
K
0
0
Q
0
0
1
0
0
INT
1
1
0
0
1
内部服务请求触发器
CLR
K
重置数据锁存到输出低电平状态的数据锁存器
时钟为电平触发低级别的时钟锁存数据
5
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