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MM80C95 MM80C97 MM80C98 3 -STATE六角缓冲器 3 -STATE六路反向器
1987年10月
修订后的1999年1月
MM80C95 MM80C97 MM80C98
三态缓冲器六角三态六路反向器
概述
该MM80C95 ， MM80C97和MM80C98门是单
岩屑互补MOS （CMOS ）集成电路CON-
structed与N沟道和P沟道增强型
晶体管。该MM80C95和MM80C97转换
CMOS或TTL输出三态输出，无逻辑
反转时， MM80C98提供的逻辑相反
输入信号。该MM80C95有常见的3 -STATE
控制所有六个设备。该MM80C97和
MM80C98有两个三态控制;一个用于两个设备
和一个用于其他四个设备。输入保护
从损坏是由于静电放电由二极管钳位到
V
CC
和GND 。
特点
s
宽电源电压范围：
s
保证噪声容限：
s
高抗干扰性：
3.0V至15V
1.0V
0.45 V
CC
（典型值）。
s
TTL兼容：驱动器1 TTL负载
应用
公交车司机：典型传播延迟为150 pF负载
为40纳秒
订购代码：
订单号
MM80C95N
MM80C97M
MM80C97N
MM80C98N
包装数
N16E
M16A
N16E
N16E
包装说明
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 “窄
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
连接图
引脚分配为DIP
MM80C95
MM80C97
顶视图
MM80C98
顶视图
顶视图
1999仙童半导体公司
DS005907.prf
www.fairchildsemi.com
MM80C95 MM80C97 MM80C98
原理图
MM80C95 3 -STATE
真值表
MM80C95
关闭
DIS
1
0
0
0
1
1
输入
DIS
2
0
0
1
0
1
MM80C97
关闭
DIS
4
0
0
X
1
输入
DIS
2
0
0
1
X
MM80C98
0
1
X
X
0
1
H- Z（注1 ）
H- Z（注2 ）
输入
产量
0
1
X
X
X
0
1
H-
H-
H-
输入
产量
MM80C97 3 -STATE
MM80C98 3 -STATE
关闭
DIS
4
0
0
X
1
X
=
不相干
注1 ：
输出5-6只
注2 ：
输出1-4只
输入
DIS
2
0
0
1
X
输入
0
1
X
X
产量
1
0
H- Z（注1 ）
H- Z（注2 ）
www.fairchildsemi.com
2
MM80C95 MM80C97 MM80C98
绝对最大额定值
（注3）
电压的任何引脚
工作温度范围
存储温度范围
功耗（P
D
)
双列直插式
小尺寸
700毫瓦
500毫瓦
0.3V
到V
CC
+
0.3V
40°C
to
+85°C
65°C
to
+150°C
电源电压（V
CC
)
焊接温度
（焊接， 10秒）
18V
260°C
注3 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该
该装置的安全性不能得到保证。除了“工作温度
TURE范围“它们不意味着暗示该设备应当被操作
在这些限制条件。的“电气特性”表中提供的条件
器件的实际工作。
DC电气特性
最小/最大限制适用于整个温度范围内，除非另有说明
符号
CMOS到CMOS
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
I
IN(1)
I
IN(0)
I
OZ
I
CC
V
IN(1)
V
IN(0)
V
OUT(1)
V
OUT(0)
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
逻辑“1”的输入电流
逻辑“0”输入电流
输出电流高
阻抗状态
电源电流
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
TTL接口
V
CC
=
4.75V
V
CC
=
4.75V
V
CC
=
4.75V,
I
O
= 1.6
mA
V
CC
=
4.75V,
I
O
=
1.6毫安
输出驱动器（短路电流）
I
来源
I
来源
I
SINK
I
SINK
输出源电流
输出源电流
输出灌电流
输出灌电流
V
CC
=
5V, V
IN(1)
=
5V
T
A
=
25 ° C，V
OUT
=
0V
V
CC
=
10V, V
IN(1)
=
10V
T
A
=
25 ° C，V
OUT
=
0V
V
CC
=
5V, V
IN(0)
=
0V
T
A
=
25 ° C，V
OUT
=
V
CC
V
CC
=
10V, V
IN(0)
=
0V
T
A
=
25 ° C，V
OUT
=
V
CC
20
mA
4.35
mA
20
mA
4.35
mA
0.4
V
2.4
V
CC
1.5
0.8
V
V
V
V
CC
=
15V, V
O
=
15V
V
CC
=
15V, V
O
=
0V
V
CC
=
15V
1.0
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
15V
1.0
0.005
0.005
0.005
0.005
0.01
15
1.0
4.5
9.0
0.5
1.0
1.0
3.5
8.0
1.5
2.0
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
参数
条件
民
典型值
最大
单位
3
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MM80C95 MM80C97 MM80C98
AC电气特性
T
A
=
25
°
C, C
L
=
为50 pF ，除非另有说明。
符号
t
pd0
, t
pd1
参数
传播延迟时间，以一个逻辑“0”或
逻辑“1” ，从数据输入到输出
MM80C95 ， MM80C97
MM80C98
t
pd0
, t
pd1
传播延迟时间，以一个逻辑“0”或
逻辑“1” ，从数据输入到输出
MM80C95 ， MM80C97
MM80C98
t
1H
, t
0H
（注4 ）
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
60
25
70
35
100
40
150
75
ns
ns
ns
ns
V
CC
=
5V ，C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ，C
L
=
150 pF的
V
CC
=
5V ，C
L
=
150 pF的
V
CC
=
10V ，C
L
=
150 pF的
85
40
95
45
160
80
210
110
ns
ns
ns
ns
延迟从禁止输入为高阻抗
L
=
10K ，C
L
=
5 pF的
状态， （从逻辑“1”或逻辑“0”）
MM80C95
MM80C97
MM80C98
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
80
50
70
50
90
70
135
90
125
90
170
125
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
H1
, t
H0
从禁止输入为逻辑“ 1 ”二级R延迟
L
=
10K ，C
L
=
50 pF的
（从高阻抗状态）
MM80C95
MM80C96
MM80C98
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
V
CC
=
5V
V
CC
=
10V
任何输入（注5 ）
任何输出（注5 ）
（注6 ）
120
50
130
60
120
50
5.0
11
60
200
90
225
110
200
90
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
C
IN
C
OUT
C
PD
输入电容
输出电容3 -STATE
功率耗散电容
注4 ：
AC参数都保证了DC相关测试。
注5 ：
电容是由周期性检测保证。
注6 ：
C
PD
决定任何CMOS器件的空载交流电耗。有关完整的说明，请参见家族特征应用笔记
AN-90.
AC测试电路和开关时间波形
t
pd0,
t
pd1
t
1H
和T
H1
CMOS到CMOS
t
1H
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4
MM80C95 MM80C97 MM80C98
AC测试电路和开关时间波形
t
H1
（续）
t
0H
t
0H
和T
H0
t
H0
注意：
延迟测量输入端吨
r
, t
f
≤
20纳秒。
典型性能特性
传播延迟与负载电容
t
pd
/ PF VS电源电压
N沟道输出驱动器，在25℃
P沟道输出驱动25℃
5
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