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MM54HCT151 MM74HCT151 8通道数字多路复用器
1995年11月
MM54HCT151 MM74HCT151
8通道数字多路复用器
概述
这种高速数字多路复用器采用了先进的硅
栅CMOS技术,以及高抗噪性
与标准CMOS的低功耗集成税务局局长
cuits它拥有驾驶10的能力, LS -TTL加载
MM54HCT151 MM74HCT151选择8个数据中的一个
根据地址源呈现在AB
和C输入端设有两个真( Y)和补体( W)
输出选通输入必须是低逻辑电平,以
启用此多路复用器在频闪高逻辑电平
强制在W输出高电平和Y输出低电平
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件,可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为20ns
低静态电流40
mA
最大
( 74HCT系列)
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
TTL输入兼容
连接和逻辑图
双列直插式封装
真值表
输入
C
X
L
L
L
L
H
H
H
H
SELECT
B
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
X
L
H
L
H
L
H
L
H
频闪
S
H
L
L
L
L
L
L
L
L
输出
Y
L
D
D
D
D
D
D
D
D
W
H
D
D
D
D
D
D
D
D
TL F 9399 - 1
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不在乎
D0 D1 D7
e
各自的D输入端的电平
顶视图
订单号MM54HCT151或MM74HCT151
TL F 9399 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 9399
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
45
0
最大
55
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
500
b
65℃,以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最小高级别V
IN
e
V
IH
或V
IL
输出电压
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平V
IN
e
V
IH
或V
IL
输出电压
l
I
OUT
l
e
mA
l
I
OUT
l
e
mA
l
I
OUT
l
e
mA
最大输入
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
V
V
V
74HCT
54HCT
T
A
E B
40℃
a
85 (C T)
A
E B
55 ℃
a
125 C单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
V
V
V
I
IN
I
CC
mA
mA
mA
最大静态V
IN
e
V
CC
或GND
电源电流
I
OUT
e
mA
V
IN
e
V或
V注
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)发生对HCT在4 5V因此, 4 5V的值时,应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为85V 3 )最糟糕的情况下泄漏电流
(I
IN
I
CC
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
参数
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒
条件
典型值
保证
极限
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大传播延迟
A,B或C为Y
最大传播延迟
A,B或C为W
最大传播延迟
任何D为Y
最大传播延迟
任何D为W
最大传播延迟
频闪为Y
最大传播延迟
频闪为W
AC电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10%
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
TLH
t
THL
C
PD
C
IN
最大传播延迟
A,B或C为Y
最大传播延迟
A,B或C为W
最大传播延迟
任何D为Y
最大传播延迟
任何D为W
最大传播延迟
频闪为Y
最大传播延迟
频闪为W
最大输出上升
时间和下降时间
功耗
电容注
最大输入
电容
每包
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒(除非另有规定)
74HCT
T
A
eb
40℃
a
85 C
54HCT
T
A
eb
55 ℃
a
125 C
单位
保证限制
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
MM54HCT151 MM74HCT151 8通道数字多路复用器
物理尺寸
英寸
(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM54HCT151J或MM74HCT151J
NS包装数J16A
模压双列直插式封装( N)
订单号MM74HCT151N
NS包装数N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间,恕不另行通知更改上述电路和规格
MM54HCT151 MM74HCT151 8通道数字多路复用器
1995年11月
MM54HCT151 MM74HCT151
8通道数字多路复用器
概述
这种高速数字多路复用器采用了先进的硅
栅CMOS技术,以及高抗噪性
与标准CMOS的低功耗集成税务局局长
cuits它拥有驾驶10的能力, LS -TTL加载
MM54HCT151 MM74HCT151选择8个数据中的一个
根据地址源呈现在AB
和C输入端设有两个真( Y)和补体( W)
输出选通输入必须是低逻辑电平,以
启用此多路复用器在频闪高逻辑电平
强制在W输出高电平和Y输出低电平
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件,可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为20ns
低静态电流40
mA
最大
( 74HCT系列)
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
TTL输入兼容
连接和逻辑图
双列直插式封装
真值表
输入
C
X
L
L
L
L
H
H
H
H
SELECT
B
X
L
L
H
H
L
L
H
H
A
X
L
H
L
H
L
H
L
H
频闪
S
H
L
L
L
L
L
L
L
L
输出
Y
L
D
D
D
D
D
D
D
D
W
H
D
D
D
D
D
D
D
D
TL F 9399 - 1
H
e
High级L级
e
低等级X
e
不在乎
D0 D1 D7
e
各自的D输入端的电平
顶视图
订单号MM54HCT151或MM74HCT151
TL F 9399 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 9399
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
45
0
最大
55
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
500
b
65℃,以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最小高级别V
IN
e
V
IH
或V
IL
输出电压
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
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I
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l
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V
OL
最大低电平V
IN
e
V
IH
或V
IL
输出电压
l
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l
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mA
l
I
OUT
l
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mA
l
I
OUT
l
e
mA
最大输入
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
V
V
V
74HCT
54HCT
T
A
E B
40℃
a
85 (C T)
A
E B
55 ℃
a
125 C单位
保证限制
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
V
V
V
I
IN
I
CC
mA
mA
mA
最大静态V
IN
e
V
CC
或GND
电源电流
I
OUT
e
mA
V
IN
e
V或
V注
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)发生对HCT在4 5V因此, 4 5V的值时,应使用
与此供应最坏情况V设计
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为85V 3 )最糟糕的情况下泄漏电流
(I
IN
I
CC
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
参数
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒
条件
典型值
保证
极限
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最大传播延迟
A,B或C为Y
最大传播延迟
A,B或C为W
最大传播延迟
任何D为Y
最大传播延迟
任何D为W
最大传播延迟
频闪为Y
最大传播延迟
频闪为W
AC电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10%
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
TLH
t
THL
C
PD
C
IN
最大传播延迟
A,B或C为Y
最大传播延迟
A,B或C为W
最大传播延迟
任何D为Y
最大传播延迟
任何D为W
最大传播延迟
频闪为Y
最大传播延迟
频闪为W
最大输出上升
时间和下降时间
功耗
电容注
最大输入
电容
每包
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒(除非另有规定)
74HCT
T
A
eb
40℃
a
85 C
54HCT
T
A
eb
55 ℃
a
125 C
单位
保证限制
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
3
MM54HCT151 MM74HCT151 8通道数字多路复用器
物理尺寸
英寸
(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM54HCT151J或MM74HCT151J
NS包装数J16A
模压双列直插式封装( N)
订单号MM74HCT151N
NS包装数N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间,恕不另行通知更改上述电路和规格
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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