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MM54HCT03 MM74HCT03四2输入与非门(漏极开路)
1988年1月
MM54HCT03 MM74HCT03
四2输入与非门(漏极开路)
概述
该MM54HCT03 MM74HCT03是逻辑功能fabri-
通过使用先进的硅栅CMOS技术cated
它提供了CMOS低quies-的固有优势
分功率和宽电源电压范围,这些设备
输入和输出特性和引脚兼容
标准DM54LS 74LS逻辑系列的所有输入都是
从内部二极管静电放电损伤的保护
到V
CC
和地面
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件,可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
LS TTL引脚输出和阈值兼容
快速开关吨
PLH
t
PHL
e
12纳秒(典型值)
低功耗10
mW
在DC
高扇出10 LS- TTL负载
连接和逻辑图
双列直插式封装
TL F 9395 - 1
订单号MM54HCT03或MM74HCT03
TL F 9395 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 9395
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
45
0
最大
55
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
500
b
65℃,以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
V
CC
e
5V
g
10% (除非另有规定)
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OL
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最大低电平
电压
V
IN
e
V
IH
0
l
I
OUT
l
e
20
mA
e
4 0毫安V
CC
e
4 5V 0 2
l
I
OUT
l
l
I
OUT
l
e
4 8毫安V
CC
e
5 5V 0 2
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IH
或V
IL
20
08
74HCT
54HCT
T
A
eb
40℃
a
85 (C T)
A
eb
55 ℃
a
125 C单位
保证限制
20
08
20
08
V
V
01
0 26
0 26
g
0 1
01
0 33
0 33
g
1 0
01
04
04
g
1 0
V
V
V
mA
mA
mA
mA
I
IN
I
LKG
I
CC
最大输入
当前
最低高层
V
IN
e
V
IH
或V
IL
输出漏电流V
OUT
e
V
CC
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
V
IN
e
2 4V或5V 0 (注4 )
05
20
12
50
20
14
10
40
15
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
这是每个输入测量在V举行的所有其他投入
CC
或接地
2
AC电气特性
V
CC
e
5 0V
符号
t
PZL
t
PLZ
参数
最大传播延迟
最大传播延迟
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒,除非另有说明
条件
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
典型值
7
10
单位
ns
ns
AC电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10%
符号
参数
条件
T
A
e
25
C
典型值
t
PZL
t
PLZ
t
THL
C
PD
C
IN
最大传播延迟
最大传播延迟
最大输出下降时间
功率耗散电容
(注5 )
最大输入电容
(每门)
R
L
e
%
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
10
12
10
20
20
15
14
5
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒,除非另有说明
74HCT
T
A
eb
40℃
a
85 C
保证限制
25
25
19
30
30
22
ns
ns
ns
pF
10
10
pF
54HCT
T
A
eb
55 ℃
a
125 C
单位
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM54HCT03J或MM74HCT03J
NS包装数J14A
3
MM54HCT03 MM74HCT03四2输入与非门(漏极开路)
物理尺寸
英寸(毫米) (续)
模压双列直插式封装( N)
订单号MM74HCT03N
NS包装数N14A
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间,恕不另行通知更改上述电路和规格
MM54HCT03 MM74HCT03四2输入与非门(漏极开路)
1988年1月
MM54HCT03 MM74HCT03
四2输入与非门(漏极开路)
概述
该MM54HCT03 MM74HCT03是逻辑功能fabri-
通过使用先进的硅栅CMOS技术cated
它提供了CMOS低quies-的固有优势
分功率和宽电源电压范围,这些设备
输入和输出特性和引脚兼容
标准DM54LS 74LS逻辑系列的所有输入都是
从内部二极管静电放电损伤的保护
到V
CC
和地面
MM54HCT MM74HCT设备拟接口BE-
吐温TTL和NMOS组件和标准CMOS
设备这些部件也是插件替代LS-
TTL器件,可用于降低功耗
在现有的设计
特点
Y
Y
Y
Y
LS TTL引脚输出和阈值兼容
快速开关吨
PLH
t
PHL
e
12纳秒(典型值)
低功耗10
mW
在DC
高扇出10 LS- TTL负载
连接和逻辑图
双列直插式封装
TL F 9395 - 1
订单号MM54HCT03或MM74HCT03
TL F 9395 - 2
C
1995年全国半导体公司
TL F 9395
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HCT
MM54HCT
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
45
0
最大
55
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5V
a
7 0V
b
1 5V至V
CC
a
1 5V
b
0 5V至V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
500
b
65℃,以
a
150 C
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
V
CC
e
5V
g
10% (除非另有规定)
符号
参数
条件
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
V
IL
V
OL
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最大低电平
电压
V
IN
e
V
IH
0
l
I
OUT
l
e
20
mA
e
4 0毫安V
CC
e
4 5V 0 2
l
I
OUT
l
l
I
OUT
l
e
4 8毫安V
CC
e
5 5V 0 2
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IH
或V
IL
20
08
74HCT
54HCT
T
A
eb
40℃
a
85 (C T)
A
eb
55 ℃
a
125 C单位
保证限制
20
08
20
08
V
V
01
0 26
0 26
g
0 1
01
0 33
0 33
g
1 0
01
04
04
g
1 0
V
V
V
mA
mA
mA
mA
I
IN
I
LKG
I
CC
最大输入
当前
最低高层
V
IN
e
V
IH
或V
IL
输出漏电流V
OUT
e
V
CC
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
V
IN
e
2 4V或5V 0 (注4 )
05
20
12
50
20
14
10
40
15
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
这是每个输入测量在V举行的所有其他投入
CC
或接地
2
AC电气特性
V
CC
e
5 0V
符号
t
PZL
t
PLZ
参数
最大传播延迟
最大传播延迟
T
A
e
25 C C
L
e
15 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒,除非另有说明
条件
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
典型值
7
10
单位
ns
ns
AC电气特性
V
CC
e
5 0V
g
10%
符号
参数
条件
T
A
e
25
C
典型值
t
PZL
t
PLZ
t
THL
C
PD
C
IN
最大传播延迟
最大传播延迟
最大输出下降时间
功率耗散电容
(注5 )
最大输入电容
(每门)
R
L
e
%
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
10
12
10
20
20
15
14
5
C
L
e
50 pF的吨
r
e
t
f
e
6纳秒,除非另有说明
74HCT
T
A
eb
40℃
a
85 C
保证限制
25
25
19
30
30
22
ns
ns
ns
pF
10
10
pF
54HCT
T
A
eb
55 ℃
a
125 C
单位
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
物理尺寸
英寸(毫米)
陶瓷双列直插式封装(J )
订单号MM54HCT03J或MM74HCT03J
NS包装数J14A
3
MM54HCT03 MM74HCT03四2输入与非门(漏极开路)
物理尺寸
英寸(毫米) (续)
模压双列直插式封装( N)
订单号MM74HCT03N
NS包装数N14A
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间,恕不另行通知更改上述电路和规格
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MM74HCT03
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