MM74HC597 8位移位寄存器与锁存器的输入
1988年1月
修订后的2000年8月
MM74HC597
8位移位寄存器通过输入锁存器
概述
这种高速寄存器采用先进的硅栅
CMOS技术。它具有较高的抗噪性和低
标准CMOS集成电路的功率消耗，
以及用于驱动10的LS- TTL负载的能力。
该MM74HC597采用16引脚封装，由
一个8位的存储锁存器供给平行于，串行输出的
8位的移位寄存器。无论是存储寄存器和移位寄存器
器具有正边沿触发的时钟。移位寄存器
也有直接的负载（从存储器）和明确的投入。
该74HC逻辑系列是速度，功能和引脚输出的COM
兼容与标准74LS逻辑系列。所有的输入都是
防止损坏，由于静电放电内部
二极管钳位到V
CC
和地面。
特点
s
8位并行存储寄存器的输入
s
宽工作电压范围： 2V ， 6V
s
移位寄存器有直接重写加载和清除
s
保证移频率： DC至30兆赫
s
低静态电流： 80
A最大
订购代码：
订单号
MM74HC597M
MM74HC597SJ
MM74HC597N
包装数
M16A
M16D
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150窄
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ，宽0.300
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
真值表
RCK SCK SLOAD SCLR
功能
载入输入锁存器数据
装在输入数据
移位寄存器
从数据传输
X
L
H
输入锁存转移
注册
无效的逻辑状态
X
X
X
X
X
L
H
H
L
L
H
移位寄存器不确定
当信号中去除
移位寄存器清零
移位寄存器时钟控制
Q
n
=
Q
n
1, Q
0
=
SER
↑
↑
No
时钟
EDGE
X
X
X
L
X
H
↑
顶视图
2000仙童半导体公司
DS005343
www.fairchildsemi.com
MM74HC597
绝对最大额定值
（注1 ）
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
S.O.这只包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260
°
C
600毫瓦
500毫瓦
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间
(t
r
, t
f
) V
CC
=
2.0V
V
CC
=
4.5V
V
CC
=
6.0V
1000
500
400
ns
ns
ns
0
V
CC
V
2
最大
6
单位
V
0.5
+
7.0V
1.5 V
CC
+
1.5V
0.5 V
CC
+
0.5V
±
20毫安
±
25毫安
±
70毫安
65
°
C到
+
150
°
C
40
+
85
°
C
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该损坏
可能发生的年龄到设备。
注2 ：
除非另有说明，所有电压以地为参考。
注3 ：
功耗温度降额 - 塑胶“ N”型：
12毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
V
IL
最大低电平
输入电压
（注5 ）
V
OH
最低高层
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
条件
（注4 ）
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0
4.5
6.0
4.2
5.2
0
0
0
0.2
0.2
T
A
=
25°C
典型值
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8.0
T
A
= 40
到85° （C T）
A
= 55
至125℃
保证限制
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
160
A
A
V
V
V
V
单位
V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
|I
OUT
|
≤
5.2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4毫安
|I
OUT
|
≤
5.2毫安
I
IN
I
CC
最大输入电流
最大静态
电源电流
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
0
A
4.5V
6.0V
6.0V
6.0V
V
4.5V
6.0V
注4 ：
对于5V的电源
±
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生的HC在4.5V 。因此，在4.5V的值时，应使用
与此供应设计。最坏的情况下V
IH
和V
IL
发生在V
CC
=
分别为5.5V和4.5V 。 （在V
IH
在5.5V值为3.85V ）。在最坏的情况下泄漏电流
租金（我
IN
, I
CC
和我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6.0V的值应该被使用。
注5 ：
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
。上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟实现比Q1， CY'89 。
3
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1988年1月
修订后的2004年1月
MM74HC597
8位移位寄存器通过输入锁存器
概述
这种高速寄存器采用先进的硅栅
CMOS技术。它具有较高的抗噪性和低
标准CMOS集成电路的功率消耗，
以及用于驱动10的LS- TTL负载的能力。
该MM74HC597采用16引脚封装，由
一个8位的存储锁存器供给平行于，串行输出的
8位的移位寄存器。无论是存储寄存器和移位寄存器
器具有正边沿触发的时钟。移位寄存器
也有直接的负载（从存储器）和明确的投入。
该74HC逻辑系列是速度，功能和引脚输出的COM
兼容与标准74LS逻辑系列。所有的输入都是
防止损坏，由于静电放电内部
二极管钳位到V
CC
和地面。
特点
s
8位并行存储寄存器的输入
s
宽工作电压范围： 2V ， 6V
s
移位寄存器有直接重写加载和清除
s
保证移频率： DC至30兆赫
s
低静态电流： 80
A最大
订购代码：
订单号
MM74HC597M
（注1 ）
MM74HC597SJ
MM74HC597N
包装数
M16A
M16D
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 ＆ QUOT ;窄
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 ＆ QUOT ;宽
注1 ：
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
真值表
RCK SCK SLOAD SCLR
功能
载入输入锁存器数据
装在输入数据
移位寄存器
从数据传输
X
L
H
输入锁存转移
注册
无效的逻辑状态
X
X
X
X
X
L
H
H
L
L
H
移位寄存器不确定
当信号中去除
移位寄存器清零
移位寄存器时钟控制
Q
n
=
Q
n
1, Q
0
=
SER
↑
↑
No
时钟
EDGE
X
X
X
L
X
H
↑
顶视图
2004仙童半导体公司
DS005343
www.fairchildsemi.com
MM74HC597
绝对最大额定值
（注2 ）
（注3）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注4 ）
S.O.这只包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260
°
C
600毫瓦
500毫瓦
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间
(t
r
, t
f
) V
CC
=
2.0V
V
CC
=
4.5V
V
CC
=
6.0V
1000
500
400
ns
ns
ns
0
V
CC
V
2
最大
6
单位
V
0.5
+
7.0V
1.5 V
CC
+
1.5V
0.5 V
CC
+
0.5V
±
20毫安
±
25毫安
±
70毫安
65
°
C到
+
150
°
C
40
+
85
°
C
注2 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该损坏
可能发生的年龄到设备。
注3 ：
除非另有说明，所有电压以地为参考。
注4 ：
功耗温度降额 - 塑胶“ N”型：
12毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
V
IL
最大低电平
输入电压
（注6 ）
V
OH
最低高层
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
条件
（注5 ）
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0
4.5
6.0
4.2
5.2
0
0
0
0.2
0.2
T
A
=
25°C
典型值
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8.0
T
A
= 40
到85° （C T）
A
= 55
至125℃
保证限制
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
160
A
A
V
V
V
V
单位
V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
|I
OUT
|
≤
5.2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4毫安
|I
OUT
|
≤
5.2毫安
I
IN
I
CC
最大输入电流
最大静态
电源电流
V
IN
=
V
CC
或GND
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
0
A
4.5V
6.0V
6.0V
6.0V
V
4.5V
6.0V
注5 ：
对于5V的电源
±
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生的HC在4.5V 。因此，在4.5V的值时，应使用
与此供应设计。最坏的情况下V
IH
和V
IL
发生在V
CC
=
分别为5.5V和4.5V 。 （在V
IH
在5.5V值为3.85V ）。在最坏的情况下泄漏电流
租金（我
IN
, I
CC
和我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6.0V的值应该被使用。
注6 ：
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
。上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟实现比Q1， CY'89 。
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