MM74HC589 8位移位寄存器与锁存器的输入和3态串行输出
1983年9月
修订后的1999年2月
MM74HC589
8位移位寄存器与锁存器的输入和3态
串行输出
概述
该MM74HC589高速移位寄存器使用
先进的硅栅CMOS技术来实现的
高抗干扰和标低功耗
准CMOS集成电路，以及有能力
开车15 LS- TTL负载。
该MM74HC589采用16引脚封装，由
一个8位的存储锁存器供给平行于，串行输出的8-
位的移位寄存器。数据也可以被串行地输入移位
注册通过SER引脚。两个存储寄存器和
移位寄存器有正边沿触发时钟，和RCK
SCK分别。 SLOAD引脚控制并行加载或
串行移位操作的移位寄存器。移位寄存器
具有三态输出，使多个的导线或门
在串行总线上的设备。
该74HC逻辑系列是速度，功能和引脚输出的COM
兼容与标准74LS逻辑系列。所有的输入都是
防止损坏，由于静电放电内部
二极管钳位到V
CC
和地面。
特点
s
8位并行存储寄存器的输入
s
宽工作电压范围： 2V ， 6V
s
移位寄存器有直接压倒一切的负载
s
保证移频。 。 。 DC至30兆赫
s
低静态电流： 80
A
最大（ 74HC系列）
s
三态输出的“线或”
订购代码：
订单号
MM74HC589M
MM74HC589SJ
MM74HC589MTC
MM74HC589N
包装数
M16A
M16D
MTC16
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 “窄
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 “宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
引脚分配为DIP ， SOIC ， SOP和TSSOP
真值表
RCK SCK SLOAD OE
X
X
↑
↑
X
X
X
X
X
X
X
L
H
L
X
X
功能
Q
H
在Hi-Z状态
Q
H
已启用
加载到输入锁存器数据
数据加载到移位寄存器
从销
H或L
X
L
X
从加载到锁存数据
移位寄存器
X
↑
↑
H
X
移位寄存器移位。数据
SER引脚上移入。
↑
H
X
数据移入移位寄存器
和数据被装入锁存器
顶视图
1999仙童半导体公司
DS005368.prf
www.fairchildsemi.com
MM74HC589
绝对最大额定值
（注1 ）
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
S.O.这只包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260°C
600毫瓦
500毫瓦
0.5
to
+7.0V
1.5
到V
CC
+1.5V
0.5
到V
CC
+0.5V
±20
mA
±25
mA
±50
mA
65°C
to
+150°C
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间
(t
r
, t
f
) V
CC
=
2.0V
V
CC
=
4.5V
V
CC
=
6.0V
1000
500
400
ns
ns
ns
0
40
V
CC
+85
V
°C
2
最大
6
单位
V
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该损坏
可能发生的年龄到设备。
注2 ：
除非另有说明，所有电压以地为参考。
注3 ：
功耗温度降额 - 塑胶“ N”型：
12毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
V
IL
最大低电平
输入电压
V
OH
最低高层
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
条件
（注4 ）
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0
4.5
6.0
T
A
=
25°C
典型值
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0
0
0
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8.0
±0.5
T
A
= 40
到85° （C T）
A
= 55
至125℃
保证限制
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
160
±10.0
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
I
IN
I
CC
I
OZ
最大输入
当前
最大静态
电源电流
最大的3 -STATE
漏电流
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
0
A
在高输出
阻抗状态
V
IN
=
V
IL
或V
IH
V
OUT
=
V
CC
或GND
OE
=
V
IH
注4 ：
对于5V的电源
±10%
最坏的情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生的HC在4.5V 。因此，在4.5V的值时，应使用
与此供应设计。最坏的情况下V
IH
和V
IL
发生在V
CC
=5.5V
和4.5V分别。 （在V
IH
在5.5V值为3.85V ）。在最坏的情况下泄漏电流
(I
IN
, I
CC
和我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6.0V的值应该被使用。
4.5V
6.0V
4.5V
6.0V
6.0V
6.0V
6.0V
V
IN
=
V
CC
或GND
3
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MM74HC589 8位移位寄存器与锁存器的输入和3态串行输出
1983年9月
修订后的2001年9月
MM74HC589
8位移位寄存器
与输入锁存器和三态串行输出
概述
该MM74HC589高速移位寄存器使用
先进的硅栅CMOS技术来实现的
高抗干扰和标低功耗
准CMOS集成电路，以及有能力
开车15 LS- TTL负载。
该MM74HC589采用16引脚封装，由
一个8位的存储锁存器供给平行于，串行输出的8-
位的移位寄存器。数据也可以被串行地输入移位
注册通过SER引脚。两个存储寄存器和
移位寄存器有正边沿触发时钟，和RCK
SCK分别。 SLOAD引脚控制并行加载或
串行移位操作的移位寄存器。移位寄存器
具有三态输出，使多个的导线或门
在串行总线上的设备。
该74HC逻辑系列是速度，功能和引脚输出的COM
兼容与标准74LS逻辑系列。所有的输入都是
防止损坏，由于静电放电内部
二极管钳位到V
CC
和地面。
特点
s
8位并行存储寄存器的输入
s
宽工作电压范围： 2V ， 6V
s
移位寄存器有直接压倒一切的负载
s
保证移频。 。 。 DC至30兆赫
s
低静态电流： 80
最大（ 74HC系列）
s
三态输出的“线或”
订购代码：
订单号
MM74HC589M
MM74HC589SJ
MM74HC589N
包装数
M16A
M16D
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 ＆ QUOT ;窄
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 ＆ QUOT ;宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
接线图
真值表
RCK SCK SLOAD OE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
L
X
X
功能
Q
H
在Hi-Z状态
Q
H
已启用
加载到输入锁存器数据
数据加载到移位寄存器
从销
H或L
X
L
X
从加载到锁存数据
移位寄存器
X
↑
↑
顶视图
↑
↑
H
X
移位寄存器移位。数据
SER引脚上移入。
↑
H
X
数据移入移位寄存器
和数据被装入锁存器
2001仙童半导体公司
DS005368
www.fairchildsemi.com
MM74HC589
绝对最大额定值
（注1 ）
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
直流输出电流，每个引脚（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
S.O.这只包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260
°
C
600毫瓦
500毫瓦
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间
(t
r
, t
f
) V
CC
=
2.0V
V
CC
=
4.5V
V
CC
=
6.0V
1000
500
400
ns
ns
ns
0
V
CC
V
2
最大
6
单位
V
0.5
+
7.0V
1.5 V
CC
+
1.5V
0.5 V
CC
+
0.5V
±
20毫安
±
25毫安
±
50毫安
65
°
C到
+
150
°
C
40
+
85
°
C
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该损坏
可能发生的年龄到设备。
注2 ：
除非另有说明，所有电压以地为参考。
注3 ：
功耗温度降额 - 塑胶“ N”型：
12毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
V
IL
最大低电平
输入电压
V
OH
最低高层
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
条件
（注4 ）
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
2.0
4.5
6.0
T
A
=
25°C
典型值
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0
0
0
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
8.0
±0.5
T
A
= 40
到85° （C T）
A
= 55
至125℃
保证限制
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
±5.0
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
160
±10.0
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
6.0毫安
|I
OUT
|
≤
7.8毫安
I
IN
I
CC
I
OZ
最大输入
当前
最大静态
电源电流
最大的3 -STATE
漏电流
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
0
A
在高输出
阻抗状态
V
IN
=
V
IL
或V
IH
V
OUT
=
V
CC
或GND
OE
=
V
IH
注4 ：
对于5V的电源
±10%
最坏的情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生的HC在4.5V 。因此，在4.5V的值时，应使用
与此供应设计。最坏的情况下V
IH
和V
IL
发生在V
CC
=5.5V
和4.5V分别。 （在V
IH
在5.5V值为3.85V ）。在最坏的情况下泄漏电流
(I
IN
, I
CC
和我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6.0V的值应该被使用。
4.5V
6.0V
4.5V
6.0V
6.0V
6.0V
6.0V
V
IN
=
V
CC
或GND
3
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