MM74HC4046的CMOS锁相环
1984年2月
经修订的2003年10月
MM74HC4046
的CMOS锁相环
概述
该MM74HC4046是利用低功耗锁相环
先进的硅栅CMOS技术来获得高频
昆西操作都在相位比较器和压控振荡器
部分。该器件内置一个低功耗线性稳压
控制振荡器（VCO ） ，一个源极跟随器，以及三个
相比较。三个相位比较器具有一个
公共信号输入端和一个共同的比较器的输入。该
信号输入具有自偏置放大器允许信号
可以任一电容耦合到所述相位比较器
用小信号或直接与标准的输入
逻辑电平。此设备相似，不同的CD4046
该金属栅极CMOS器件的齐纳二极管具有
被替换的第三相位比较器。
相位比较器I是异或（XOR）门。据亲
志愿组织维持一个90°相移的数字误差信号
VCO的中心频率和输入信号之间
（ 50％的占空比输入波形）。这个相位检测器是
更容易受到锁定到输入的谐波频
昆西比相比较我，但提供更好的噪声
排斥反应。
相位比较器III是一个SR触发器门。它可用于
以提供相位比较器的功能，它类似于
在性能上的第一比较器。
相比较二是边缘敏感的数字顺序
网络。设置两个信号输出端，比较器
输出和一个相位的脉冲输出。比较器的输出是
三态输出，提供了一个信号，即锁定VCO
输出信号与输入信号同在0相移
他们。该比较是更容易受噪声throw-
荷兰国际集团的环路失锁，但不太可能锁定到har-
monics比其他两个比较器。
在一个典型的应用程序的三个比较器中的任何一个
喂这又助长了VCO的外部滤波器网络
输入。该输入是一个非常高的阻抗CMOS输入
这也带动了源极跟随器。 VCO的工作
频率由连接三个外部元件设置
到C1A ， C1B ， R1和R2引脚。一禁止销被设置
禁用VCO和源极跟随器，提供了一个
将上述IC处于低功率状态的方法。
源极跟随器的MOS晶体管的栅极所配置
，连接到该VCO的输入端，其漏极连接
解调器的输出。该输出通常是用绑
从销10的电阻器接地，并且提供一种手段
看着VCO输入，而无需加载下修改
PLL的滤波器的特性。
特点
s
低动态功耗：
s
最大的VCO的工作频率：
12兆赫（V
CC
=
4.5V)
s
快速比较器的响应时间（V
CC
=
4.5V)
比较我：
比较二：
比较三：
25纳秒
30纳秒
25纳秒
(V
CC
=
4.5V)
s
压控振荡器具有高线性度和高温度稳定性
订购代码：
订单号
MM74HC4046M
MM74HC4046SJ
MM74HC4046MTC
MM74HC4046N
包装数
M16A
M16D
MTC16
N16E
包装说明
16引脚小外形集成电路（ SOIC ） ， JEDEC MS- 012 ， 0.150 ＆ QUOT ;窄
16引脚小外形封装（ SOP ） ， EIAJ TYPE II ， 5.3毫米宽
16引脚超薄紧缩小型封装（ TSSOP ） ， JEDEC MO- 153 ， 4.4毫米宽
16引脚塑料双列直插式封装（ PDIP ） ， JEDEC MS- 001 ， 0.300 ＆ QUOT ;宽
在磁带和卷轴可用的设备也。通过附加的后缀字母“X”的订货代码指定。
2003仙童半导体公司
DS005352
www.fairchildsemi.com
MM74HC4046
接线图
引脚分配为DIP ， SOIC ， SOP和TSSOP
框图
www.fairchildsemi.com
2
MM74HC4046
绝对最大额定值
（注1 ）
（注2 ）
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
, I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或接地电流，每个引脚（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
S.O.这只包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
260
°
C
600毫瓦
500毫瓦
推荐工作
条件
民
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
, V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
输入信号上升和下降时间
(t
r
, t
f
) V
CC
=
2.0V
V
CC
=
4.5V
V
CC
=
6.0V
1000
500
400
ns
ns
ns
0
V
CC
V
2
最大
6
单位
V
0.5
+
7.0V
1.5 V
CC
+
1.5V
0.5 V
CC
+
0.5V
±
20毫安
±
25毫安
±
50毫安
65
°
C
+
150
°
C
40
+
85
°
C
注1 ：
最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。
注2 ：
除非另有说明，所有电压以地为参考。
注3 ：
功耗温度降额 - 塑胶“ N”型：
12毫瓦/°C， 65 ° C至85°C 。
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最低高层
输入电压
V
IL
最大低电平
输入电压
V
OH
最低高层
输出电压
（注4 ）
V
CC
2.0V
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
T
A
=
25°C
典型值
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
2.0
4.5
6.0
4.2
5.7
0
0
0
0.2
0.2
20
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
50
±0.5
30
600
80
1500
T
A
= 40
到85° （C T）
A
= 55
至125℃
保证限制
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
80
±5.0
130
2400
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
100
±10
160
3000
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
条件
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
|I
OUT
|
≤
5.2毫安
4.5V
6.0V
2.0V
4.5V
6.0V
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
4.0毫安
|I
OUT
|
≤
5.2毫安
4.5V
6.0V
6.0V
6.0V
6.0V
6.0V
6.0V
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
=
V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20
A
I
IN
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入电流（引脚-3,5,9- ）V
IN
=
V
CC
或GND
最大输入电流（引脚14 ）
最大三态输出
漏电流（引脚13 ）
最大静态
电源电流
V
IN
=
V
CC
或GND
I
OUT
=
0
A
V
IN
=
V
CC
或GND
销14开放
V
IN
=
V
CC
或GND
V
OUT
=
V
CC
或GND
注4 ：
对于5V的电源
±10%
最坏的情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）发生的HC在4.5V 。因此，在4.5V的值时，应使用
与此供应设计。最坏的情况下V
IH
和V
IL
发生在V
CC
=
分别为5.5V和4.5V 。 （在V
IH
在5.5V值为3.85V ）。在最坏的情况下泄漏电流
租金（我
IN
, I
CC
和我
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6.0V的值应该被使用。
3
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