MM54HC365 MM54HC366 MM54HC367 MM54HC368
MM74HC365 MM74HC366 MM74HC367 MM74HC368
1988年1月
MM54HC365
MM54HC366
MM54HC367
MM54HC368
MM74HC365六角三态缓冲器
MM74HC366六角反相三态缓冲器
MM74HC367六角三态缓冲器
MM74HC368六角反相三态缓冲器
六个门的MM54 74HC367和74HC368 MM54
也有两个输出使能，但一个使能（ G1 ）的控制
4门及其他（ G2 ）控制其余2门
所有的输入免受损害，由于静态显示
充电通过二极管V
CC
和地面
概述
这些三态缓冲器是通用的高速
即利用先进sili-反相和非反相缓冲器
CON-栅CMOS技术，他们有较高的驱动电流
输出driv-时，它使高速运转，即使
荷兰国际集团大型客车电容这些电路具有低
CMOS电路的功耗，有速度的COM
比喻以低功率肖特基TTL电路全部4电路
能够驱动多达15个低功率肖特基投入
该MM54 74HC366和74HC368 MM54是反转
缓冲区所在的MM54 74HC365和MM54
74HC367都是非反相缓冲器的MM54 74HC365
和MM54 74HC366有两个三态控制IN-
看跌期权（ G1和G2 ），其是接异或一起控制所有
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为15ns
宽工作电压范围为2V - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电流80
mA
最大（ 74系列）
输出驱动能力15 LS- TTL负载
连接图
双列直插式封装顶视图
TL F 5209 - 1
TL F 5209 - 2
订单号MM54HC365或MM74HC365
订单号MM54HC366或MM74HC366
TL F 5209 - 3
TL F 5209 - 4
订单号MM54HC367或MM74HC367
订单号MM54HC368或MM74HC368
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5209
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
V
IH
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入电流
V
IN
e
V
CC
或GND
最大三态输出V
OUT
e
V
CC
或GND
漏电流
G
e
V
IH
最大静态电源
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
MM54HC365 MM54HC366 MM54HC367 MM54HC368
MM74HC365 MM74HC366 MM74HC367 MM74HC368
1988年1月
MM54HC365
MM54HC366
MM54HC367
MM54HC368
MM74HC365六角三态缓冲器
MM74HC366六角反相三态缓冲器
MM74HC367六角三态缓冲器
MM74HC368六角反相三态缓冲器
六个门的MM54 74HC367和74HC368 MM54
也有两个输出使能，但一个使能（ G1 ）的控制
4门及其他（ G2 ）控制其余2门
所有的输入免受损害，由于静态显示
充电通过二极管V
CC
和地面
概述
这些三态缓冲器是通用的高速
即利用先进sili-反相和非反相缓冲器
CON-栅CMOS技术，他们有较高的驱动电流
输出driv-时，它使高速运转，即使
荷兰国际集团大型客车电容这些电路具有低
CMOS电路的功耗，有速度的COM
比喻以低功率肖特基TTL电路全部4电路
能够驱动多达15个低功率肖特基投入
该MM54 74HC366和74HC368 MM54是反转
缓冲区所在的MM54 74HC365和MM54
74HC367都是非反相缓冲器的MM54 74HC365
和MM54 74HC366有两个三态控制IN-
看跌期权（ G1和G2 ），其是接异或一起控制所有
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟为15ns
宽工作电压范围为2V - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电流80
mA
最大（ 74系列）
输出驱动能力15 LS- TTL负载
连接图
双列直插式封装顶视图
TL F 5209 - 1
TL F 5209 - 2
订单号MM54HC365或MM74HC365
订单号MM54HC366或MM74HC366
TL F 5209 - 3
TL F 5209 - 4
订单号MM54HC367或MM74HC367
订单号MM54HC368或MM74HC368
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5209
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
民
电源电压V
CC
DC输入或输出电压
V
IN
V
OUT
工作温度范围（T
A
)
MM慧聪
MM慧聪
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
V
t
r
t
f
V
CC
e
V
V
CC
e
V
b
b
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
最大
V
CC
单位
V
V
a
a
C
C
ns
ns
ns
g
35毫安
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
g
70毫安
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
b
65℃，以
a
150 C
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
600毫瓦
仅s O包
500毫瓦
铅温度（T
L
） （焊接10秒）
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
V
V
V
V
V
V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
g
g
g
g
g
g
T
A
e
25 C
典型值
74HC
T
A
eb
40到85℃
保证限制
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
V
IH
最低高电平输入
电压
最大低电平输入
电压
最小高电平输出
电压
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
V
OL
最大低电平输出
电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
mA
l
I
OUT
l
s
mA
I
IN
I
OZ
I
CC
最大输入电流
V
IN
e
V
CC
或GND
最大三态输出V
OUT
e
V
CC
或GND
漏电流
G
e
V
IH
最大静态电源
当前
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
mA
注1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
QQ：2881677436 复制
