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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1734页 > MM74HC253M
MM54HC253 MM74HC253双4通道TRI- STATE多路复用器
1988年1月
MM54HC253 MM74HC253
双4通道TRI- STATE多路复用器
概述
该MM54HC253 MM74HC253采用先进的硅
栅CMOS技术来实现低功率消耗
标准CMOS和灰和高抗干扰的综合
随着功能的电路来驱动10 LS- TTL负载
这种DE-的大输出驱动和三态功能
副使它非常适合在公交线路接口
总线系统组织当输出控制输入
采取高多路复用器的输出被发送到一个高im-
pedance状态
当控制输出保持低电平关联多
多路复用器选择对于给定的IN-正确的输出通道
把所选择A和B输入信号来确定
该54HC逻辑74HC系列在功能和引脚的COM
兼容与标准54LS 74LS逻辑系列所有输入
免受损害,由于静电放电由跨
最终二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟24纳秒
宽电源电压范围为2V - 6V
低静态电流80
mA
最大( 74HC系列)
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
接线图
双列直插式封装
TL F 5108 - 1
订单号MM54HC253或MM74HC253
真值表
SELECT
输入
B
X
L
L
L
L
H
H
H
H
A
X
L
L
H
H
L
L
H
H
C0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
数据输入
C1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
C2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
C3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
产量
控制
G
H
L
L
L
L
L
L
L
L
产量
Y
Z
L
H
L
H
L
H
L
H
选择输入A和B是通用的部分
H
e
High级L级
e
低等级X
e
无关
e
高阻抗(关)
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5108
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
b
65℃,以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
当前
最大TRI -STATE
输出漏
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
频闪
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
g
0 5
g
5 0
g
10
I
CC
6 0V
80
80
160
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
参数
最大传播
延迟选择A或B与Y
最大传播
拖延的数据为Y
最大输出使能时间
Y输出为逻辑电平
最大输出禁止时间
Y输出为高阻状态
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6 ns的
L
e
15 pF的
条件
典型值
24
18
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
13
18
保证限额
30
23
18
27
单位
ns
ns
ns
ns
AC电气特性
C
L
e
50 pF的
符号
参数
条件
t
r
e
t
f
e
6纳秒(除非另有规定)
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
T
A
e
25 C
典型值
74HC
54HC
T
A
eb
40 85 (C T)
A
eb
55 125℃机组
保证限制
158
35
30
126
28
23
90
20
17
135
30
25
75
15
13
10
198
44
38
158
35
29
113
25
21
169
38
31
95
19
16
10
237
53
45
189
42
35
135
30
26
203
45
38
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PHL
t
PLH
最大传播
延迟选择A或B与Y
t
PHL
t
PLH
最大传播
拖延的数据为Y
t
PZH
t
PZL
最大输出使能时间
R
L
e
1的kX
131
29
24
99
22
19
63
14
12
90
20
17
30
8
7
5
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
t
PHZ
t
PLZ
最大输出禁止时间R
L
e
1的kX
t
THL
t
TLH
最大输出上升
时间和下降时间
C
IN
C
PD
最大输入电容
功耗
电容(注5 )
(每包)
输出启用
输出禁用
90
25
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
逻辑图
TL F 5108 - 2
3
MM54HC253 MM74HC253双4通道TRI- STATE多路复用器
物理尺寸
英寸(毫米)
订单号MM54HC253J或MM74HC253J
NS封装J16A
订单号MM54HC253J或MM74HC253J
NS封装N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
国家不承担任何使用电路的任何责任描述没有电路专利许可以及国家有权在任何时间,恕不另行通知更改上述电路和规格
MM54HC253 MM74HC253双4通道TRI- STATE多路复用器
1988年1月
MM54HC253 MM74HC253
双4通道TRI- STATE多路复用器
概述
该MM54HC253 MM74HC253采用先进的硅
栅CMOS技术来实现低功率消耗
标准CMOS和灰和高抗干扰的综合
随着功能的电路来驱动10 LS- TTL负载
这种DE-的大输出驱动和三态功能
副使它非常适合在公交线路接口
总线系统组织当输出控制输入
采取高多路复用器的输出被发送到一个高im-
pedance状态
当控制输出保持低电平关联多
多路复用器选择对于给定的IN-正确的输出通道
把所选择A和B输入信号来确定
该54HC逻辑74HC系列在功能和引脚的COM
兼容与标准54LS 74LS逻辑系列所有输入
免受损害,由于静电放电由跨
最终二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
典型传播延迟24纳秒
宽电源电压范围为2V - 6V
低静态电流80
mA
最大( 74HC系列)
低输入电流1
mA
最大
10 LS- TTL负载扇出
接线图
双列直插式封装
TL F 5108 - 1
订单号MM54HC253或MM74HC253
真值表
SELECT
输入
B
X
L
L
L
L
H
H
H
H
A
X
L
L
H
H
L
L
H
H
C0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
数据输入
C1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
C2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
C3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
产量
控制
G
H
L
L
L
L
L
L
L
L
产量
Y
Z
L
H
L
H
L
H
L
H
选择输入A和B是通用的部分
H
e
High级L级
e
低等级X
e
无关
e
高阻抗(关)
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5108
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1
2)
工作条件
电源电压(V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围(T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
(t
r
t
f
)
V
CC
e
2 0V
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压(V
CC
)
直流输入电压(V
IN
)
直流输出电压(V
OUT
)
钳位二极管电流(I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流(I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流(I
CC
)
存储温度范围(T
英镑
)
功耗(P
D
)
(注3)
仅s O包
引线温度(T
L
)
(焊接10秒)
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
b
65℃,以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
(注4 )
符号
参数
条件
V
CC
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
当前
最大TRI -STATE
输出漏
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
频闪
e
V
CC
V
OUT
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
g
0 5
g
5 0
g
10
I
CC
6 0V
80
80
160
mA
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明,所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10%的最坏情况下的输出电压(V
OH
和V
OL
)在设计时会发生HC 4 5V因此, 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V (在V
IH
5 5V值为3 85V )最坏情况下的漏电流(I
IN
I
CC
I
OZ
)发生在CMOS在较高的电压,因此在6 0V的值,应使用
V
IL
限制在V的20 %目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格( 30 %
CC
)将在不迟于Q1 CY'89实施
2
AC电气特性
V
CC
e
5V
符号
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
参数
最大传播
延迟选择A或B与Y
最大传播
拖延的数据为Y
最大输出使能时间
Y输出为逻辑电平
最大输出禁止时间
Y输出为高阻状态
T
A
e
25℃吨
r
e
t
f
e
6 ns的
L
e
15 pF的
条件
典型值
24
18
R
L
e
1的kX
R
L
e
1的kX
13
18
保证限额
30
23
18
27
单位
ns
ns
ns
ns
AC电气特性
C
L
e
50 pF的
符号
参数
条件
t
r
e
t
f
e
6纳秒(除非另有规定)
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
T
A
e
25 C
典型值
74HC
54HC
T
A
eb
40 85 (C T)
A
eb
55 125℃机组
保证限制
158
35
30
126
28
23
90
20
17
135
30
25
75
15
13
10
198
44
38
158
35
29
113
25
21
169
38
31
95
19
16
10
237
53
45
189
42
35
135
30
26
203
45
38
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
t
PHL
t
PLH
最大传播
延迟选择A或B与Y
t
PHL
t
PLH
最大传播
拖延的数据为Y
t
PZH
t
PZL
最大输出使能时间
R
L
e
1的kX
131
29
24
99
22
19
63
14
12
90
20
17
30
8
7
5
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
t
PHZ
t
PLZ
最大输出禁止时间R
L
e
1的kX
t
THL
t
TLH
最大输出上升
时间和下降时间
C
IN
C
PD
最大输入电容
功耗
电容(注5 )
(每包)
输出启用
输出禁用
90
25
注5
C
PD
确定无负载的动态功耗P
D
e
C
PD
V
CC2
f
a
I
CC
V
CC
和空载动态电流消耗我
S
e
C
PD
V
CC
f
a
I
CC
逻辑图
TL F 5108 - 2
3
MM54HC253 MM74HC253双4通道TRI- STATE多路复用器
物理尺寸
英寸(毫米)
订单号MM54HC253J或MM74HC253J
NS封装J16A
订单号MM54HC253J或MM74HC253J
NS封装N16E
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
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49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
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49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
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