MM54HC194 MM74HC194 4位双向通用移位寄存器
1995年11月
MM54HC194 MM74HC194
4位双向通用移位寄存器
概述
这4位高速双向移位寄存器AD-利用
vanced硅栅的CMOS技术来实现低
功耗和标准的高抗噪声能力
CMOS集成电路与驾驶10的能力
LS- TTL负载器件工作速度相似
相当于低功率肖特基部分
这个双向移位寄存器的设计，其中包含
几乎所有的功能，系统设计人员可能希望在
移位寄存器它具有并行输入，并行输出
右移和左移串行输入的操作模式控制
输入和直接压倒一切的线条清晰的寄存器
操作并行四种不同的模式（宽边）
负荷右移（在Q方向
A
对Q
D
)
左移INHIBIT CLOCK （什么都不做）
同步并行加载是通过应用来实现
4比特的数据，并以这两个模式控制输入端S0
和S1高的数据加载到各自的倒装
触发器和之后的正跳变出现在输出端
时钟输入的加载过程中的串行数据流是inhib-
资讯科技教育右移是同步的利培完成
荷兰国际集团的时钟脉冲的边沿时， S0为高和S1为低
串行数据时进入此模式在右移
数据输入S0时低， S1是左高数据的变化
同步新数据输入时左移
串行输入时钟翻转的把触发电路被禁止时，这两个
模式控制输入是低的模式控制输入
在时钟输入为高，应只改变
该54HC逻辑74HC系列在功能和引脚
用标准54LS 74LS逻辑系列兼容
所有的输入免受损害，由于静态显示
负责内部二极管钳位到V
CC
和地面
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
典型工作频率为45 MHz的
典型传播延迟纳秒（时钟Q）
宽工作电源电压范围2 - 6V
低输入电流1
mA
最大
低静态电源电流160
mA
最大
（ 74HC系列）
10 LS- TTL负载扇出
接线图
双列直插式封装
TL F 5323 - 1
功能表
输入
模式
明确
L
H
H
H
H
H
H
H
S1 S2
X X
X X
H H
L H
L H
H L
H L
L L
时钟
X
L
串行
X
X
X
X
X
H
L
X
X
X
X
H
L
X
X
X
并行
Q
A
Q
B
Q
C
Q
D
L
Q
A0
a
H
L
Q
Bn
Q
Bn
Q
A0
L
Q
B0
b
Q
An
Q
An
Q
Cn
Q
Cn
Q
B0
L
Q
C0
c
Q
Bn
Q
Bn
Q
Dn
Q
Dn
Q
C0
L
Q
D0
d
Q
Cn
Q
Cn
H
L
Q
D0
X
X
a
X
X
X
X
X
X
X
b
X
X
X
X
X
X
X
c
X
X
X
X
X
X
X
d
X
X
X
X
X
向左向右A B C D
输出
订单号MM54HC194或MM74HC194
H
e
高水平（稳态）
L
e
低电平（稳态）
X
e
无关（任何输入包括转换）
u
e
到高电平的过渡，从低
A B C D
e
稳态输入的输入ABC或D级
分别
Q
A0
Q
B0
Q
C0
Q
D0
e
Q的水平
A
Q
B
Q
C
或Q
D
分别
在表示稳态输入条件建立之前，
Q
An
Q
Bn
Q
Cn
Q
Dn
e
Q的水平
A
Q
B
Q
C
分别前
时钟的过渡
最-最近
u
u
u
u
u
X
u
C
1995年全国半导体公司
TL F 5323
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
（注1
2)
工作条件
电源电压（V
CC
)
DC输入或输出电压
(V
IN
V
OUT
)
工作温度范围（T
A
)
MM74HC
MM54HC
输入信号上升和下降时间
V
CC
e
2 0V
(t
r
t
f
)
V
CC
e
4 5V
V
CC
e
6 0V
民
2
0
最大
6
V
CC
单位
V
V
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
电源电压（V
CC
)
直流输入电压（V
IN
)
直流输出电压（V
OUT
)
钳位二极管电流（I
IK
I
OK
)
每个引脚的直流输出电流（I
OUT
)
DC V
CC
或者每个引脚GND电流（I
CC
)
存储温度范围（T
英镑
)
功耗（P
D
)
（注3）
仅s O包
引线温度（T
L
)
（焊接10秒）
b
0至5
a
7 0V
b
1 5 V
CC
a
1 5V
b
0 5 V
CC
a
0 5V
g
20毫安
g
25毫安
g
50毫安
b
40
b
55
a
85
a
125
C
C
ns
ns
ns
b
65℃，以
a
150 C
1000
500
400
600毫瓦
500毫瓦
260 C
DC电气特性
（注4 ）
符号
参数
条件
V
CC
2 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
2 0V
4 5V
6 0V
4 5V
6 0V
6 0V
6 0V
20
45
60
42
57
0
0
0
02
02
T
A
e
25 C
典型值
V
IH
最低高层
输入电压
最大低电平
输入电压
最低高层
输出电压
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 98
5 48
01
01
01
0 26
0 26
g
0 1
74HC
T
A
eb
40到85℃
54HC
T
A
eb
55 125℃
单位
保证限制
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
3 84
5 34
01
01
01
0 33
0 33
g
1 0
15
3 15
42
05
1 35
18
19
44
59
37
52
01
01
01
04
04
g
1 0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
V
IL
V
OH
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
V
OL
最大低电平
输出电压
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
20
mA
V
IN
e
V
IH
或V
IL
l
I
OUT
l
s
4 0毫安
l
I
OUT
l
s
5 2毫安
I
IN
I
CC
最大输入
当前
最大静态
电源电流
V
IN
e
V
CC
或GND
V
IN
e
V
CC
或GND
I
OUT
e
0
mA
80
80
160
注1
绝对最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值
注2
除非另有说明，所有电压参考地
注3
功耗温度降额
塑料'' N' '包
b
12毫瓦C来自65 ℃至85℃的陶瓷'' J' '包
b
12毫瓦C来自100℃至125℃
注4
对于5V的电源
g
10％的最坏情况下的输出电压（V
OH
和V
OL
）在设计时会发生HC 4 5V因此， 4 5V值应使用
与此供应最坏情况V
IH
和V
IL
发生在V
CC
e
分别为5 5V和4 5V （在V
IH
5 5V值为3 85V ）最坏情况下的漏电流（I
IN
I
CC
和
I
OZ
）发生在CMOS在较高的电压，因此在6 0V的值，应使用
V
IL
限制在V的20 ％目前正在测试
CC
上述V个
IL
V的规格（ 30 ％
CC
）将在不迟于Q1 CY'89实施
2
QQ：2880707522 复制
